公开(公告)号：KR1020150048135A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020157005121

申请日：2013-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시 ,  린,옌-팅 ,  첸,치-흐수안 ,  흐시에,주-치아 ,  요네다시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/76805 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 본실시예의플라즈마처리방법은, 먼저, 불소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 니켈실리사이드막의표면에산화실리콘막또는질화실리콘막이형성된피처리기판을불소함유가스의플라즈마를이용하여에칭하는에칭공정을실행한다(단계(S101)). 이어서, 플라즈마처리방법은, 수소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 플라즈마처리공간에표면을대향시켜배치된부재에대하여에칭공정후에부착한니켈함유물을수소함유가스의플라즈마를이용하여환원하는환원공정을실행한다(단계(S102)). 이어서, 플라즈마처리방법은, 산소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 환원공정에의해니켈함유물이환원되어얻어진니켈을산소함유가스의플라즈마를이용하여제거하는제거공정을실행한다(단계(S103)).

Abstract translation: 本实施方式的等离子体处理方法中，首先，含氟蚀刻工艺称为目标基板供应气体至该等离子体处理空间，并在表面上的膜或硅膜的氧化硅的硅化镍膜中使用含有氟系气体的等离子体形成的氮化物 （步骤S101）。 然后，将等离子处理方法，其包括供给气体含氢成等离子体处理空间，以及使用含氢气体的等离子体蚀刻处理后附相对于一个部件含镍的材料减少布置成面对的表面于等离子体处理空间 执行缩小处理（步骤S102）。 然后，等离子体处理法，并进行供给含氧气体引入等离子体处理空间的除去工序，并通过使用含氧气的气体，以获得通过还原步骤（步骤被还原成含水镍镍的等离子体去除（S103 ））。

公开(公告)号：KR101154559B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020097006959

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  고바야시노리유키 ,  요네다시게루 ,  하나와겐이치 ,  다하라시게루 ,  스기모토마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 진공배기가능한처리용기(10)내에, 상부전극(34)과하부전극(16)을대향하도록배치하고, 상부전극(34)에플라즈마형성용의고주파전력을공급하는제 1 고주파전원(48)을접속하고, 하부전극(16)에이온인입바이어스용의고주파전력을인가하는제 2 고주파전원(90)을접속하고, 제 2 고주파전원(90)에제어기(95)를마련하고, 이제어기(95)는, 제 2 고주파전원(90)을, 웨이퍼(W)의소정의막에폴리머가퇴적되는제 1 파워와웨이퍼(W)의소정의막의에칭이진행하는제 2 파워사이에서소정주기로파워변조하는파워변조모드로동작하도록제어한다.

Abstract translation: 在被真空排气的处理容器（10）中，上电极（34）和下电极（16）彼此相对设置。 上电极（34）连接到被配置为施加用于等离子体产生的第一RF功率的第一RF电源（48）。 下电极（16）连接到被配置为施加用于离子吸引的第二RF功率的第二RF电源（90）。 第二RF电源（90）设置有控制器（95），其被设置为控制第二RF电源（90）以在第一功率组之间以预定周期执行功率调制的功率调制模式，以在第一功率组上沉积聚合物 在晶片（W）上的预定膜和用于促进蚀刻晶片（W）上的预定膜的第二功率组。

公开(公告)号：KR1020090057088A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020097006959

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  고바야시노리유키 ,  요네다시게루 ,  하나와겐이치 ,  다하라시게루 ,  스기모토마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: An upper electrode (34) and a lower electrode (16) are arranged to oppose to each other in a treatment vessel (10) which can be evacuated. The upper electrode (34) is connected to a first high-frequency power source (48) for supplying high-frequency power for plasma formation. The lower electrode (16) is connected to a second high-frequency power source (90) for applying high-frequency power for ion take-in bias. A controller (95) is arranged in the second high-frequency power source (90). The controller (95) controls the second high-frequency power source (90) in a power modulation mode where power modulation is performed at a predetermined cycle between a first power at which polymer is deposited on a predetermined film of a wafer W and a second power at which etching of a predetermined film of the wafer W is performed.

Abstract translation: 上部电极（34）和下部电极（16）在能够被抽真空的处理容器（10）中相对配置。 上电极（34）连接到用于提供用于等离子体形成的高频电力的第一高频电源（48）。 下电极（16）连接到第二高频电源（90），用于施加用于离子吸收偏压的高频电力。 控制器（95）布置在第二高频电源（90）中。 控制器（95）以功率调制模式控制第二高频电源（90），在功率调制模式下，以聚合物沉积在晶片W​​的预定薄膜上的第一功率与第二高频电源 执行对晶片W的预定膜的蚀刻的功率。