公开(公告)号：KR100918580B1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020020056797

申请日：2002-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  하마마나부 ,  스기모토신이치 ,  히라카와나오야

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05D3/0493

Abstract: 본 발명은 감압건조장치 및 도포막 형성방법에 관한 것으로, 도포막의 성분과 용제를 혼합하여 이루어지는 도포액이 도포된 기판을 재치하기 위한 재치부가 내부에 설치된 밀폐용기와, 밀폐용기에 배기로를 통해 접속되고, 밀폐용기 내를 감압하여, 기판상의 도포액에서 용제를 휘발시키기 위한 진공배기장치와, 재치부에 재치된 기판 표면과 대향하도록 설치된 정류부재와, 이 정류부재를 승강시키기 위한 정류부재 승강기구를 구비하고 있다. 밀폐용기 내를 감압하여 기판상의 도포액에서 용제를 휘발시키는 동안에 상기 정류부재가 승강되고, 정류부재의 높이 위치가 변화하면, 기판상 도포액의 액흐름이 제어되고, 도포액의 막두께 제어를 할 수 있다. 기판 주연영역에서의 도포액 둥글기와 부풀기가 억제되고, 도포막의 중앙부와 주연영역의 막두께가 가지런해지며, 막두께의 균일성을 향상할 수 있는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100855364B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020020020703

申请日：2002-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  스기모토신이치 ,  코바야시신지 ,  히라카와나오야 ,  후쿠토미아키라 ,  이시자카노부카즈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/0486 ,  G03F7/162

Abstract: 본 발명은 기판을 처리하는 처리방법에 관한 것으로, 도포액 토출노즐과 기판을 상대적으로 이동시키면서 노즐을 통해 기판상에 도포액을 토출하고 기판표면에 도포액을 도포하는 공정을 갖는다. 그 후 기판을 도포액의 용제분위기에 쬐거나 또는 용기내에서 일단 가압하고나서 기판이 수용된 용기내를 감압하여 기판상의 도포액을 건조시킨다. 본 발명에 따르면 제품화되지 않은 기판 주연부의 소위 엣지컷폭의 협소화를 도모하면서 도포막의 면내 균일성을 유지할 수 있는 처리방법이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020020081118A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020020020704

申请日：2002-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  스기모토신이치 ,  코바야시신지 ,  히라카와나오야 ,  후쿠토미아키라 ,  이시자카노부카즈

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: To form a uniform air flow within the surface of a wafer in a chamber at the time of evacuating the chamber by exhausting the chamber. CONSTITUTION: The chamber 60 which can house and tightly seal the wafer W is made of a disk-shaped placing base 61 and a vertically movable cap 62. On the top of the cap 62, an exhaust pipe 67 is provided to evacuate the chamber 60. On the inside of the cap 62, is addition, a disk-shaped flow straightening plate 72 is provided. The lower surface of the plate 72 is flattened and supporting members 73 are attached to the lower surface so that the plate 72 may be placed on the placing base 61 in parallel with the upper surface of the base 61 through the members 73. The outside diameter of the flow straightening plate 72 is made a little larger than the inside diameter of the lid 62 and a plurality of vents 74 is provided in the peripheral section of the plate 72. When the chamber 60 is evacuated, the air flow flows uniformly to the peripheral section of the wafer W from the center of the surface of the wafer W.

Abstract translation: 目的：在通过排出腔室排空室时，在室内的晶片表面内形成均匀的气流。 构成：可以容纳并密封晶片W的室60由盘形放置基座61和可垂直移动的盖62制成。在盖62的顶部设置排气管67以将腔室60 另外，在盖62的内侧设有盘状的流动矫正板72。 板72的下表面变平，并且支撑构件73附接到下表面，使得板72可以通过构件73与基座61的上表面平行地放置在放置基座61上。外径 流动矫直板72的尺寸略大于盖62的内径，并且在板72的周边部分设置有多个通风口74.当室60抽空时，空气流均匀流动到 从晶片W的表面的中心的晶片W的周边部分。

公开(公告)号：KR100798659B1

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：KR1020020020704

申请日：2002-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  스기모토신이치 ,  코바야시신지 ,  히라카와나오야 ,  후쿠토미아키라 ,  이시자카노부카즈

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 기판을 처리하는 처리장치에 관한 것으로서, 기판을 수용하고 기체가 통하지 않도록 폐쇄가능한 처리실을 형성하는 챔버와, 처리실의 분위기를 상기 챔버의 상부로부터 배기하여 처리실을 감압시키기 위한 배기부를 갖고 있다. 본 발명은 감압할 때에 처리실 내에 형성되는 기류를 제어하는 정류판을 갖고 챔버는 기판을 재치하는 재치대와, 재치대상의 기판을 상방에서 덮고 상기 재치대와 일체가 되게 처리실을 형성하는 하면이 개구된 대략 원통형상의 개체와, 정류판을 재치대에 대해 평행하게 되도록 지지하는 지지부재를 갖는다. 본 발명에 따르면 정류판과 기판간에 흐르는 기류의 속도가 기판면내에서 균일해지므로 기판상의 도포막을 건조시킬 때에 막두께가 균일하게 평탄해지는 기술이제시된다.

Abstract translation: 本发明具有涉及一种处理设备，用于处理衬底，其包括：容纳所述衬底和所述腔室，并从形成的可封闭的处理室中，使得所述气体通过所述腔室的部分排气进行减压处理室的上部排出处理室的气氛 。 开口时，本发明是当减压具有用于控制在工艺腔室所形成的腔室，以覆盖上述载置台的气流的整流板，和用于在上述的形成所述安装台与积分的安装衬底的安装目标基板是成为处理室 以及用于支撑整流板以与安装台平行的支撑构件。 在根据本发明通过当前板呈现，因此在基片平面均匀的涂膜厚度在基片之间流动的流量变得均匀时在衬底上的平面状的干燥技术膜。

公开(公告)号：KR1020040017271A

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：KR1020047000004

申请日：2002-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지 ,  기타노다카히로 ,  모리카와마사테루 ,  이시자카노부카즈 ,  고가노리히사 ,  미나미도모히데 ,  스기모토신이치 ,  오쿠라준 ,  구리시마히로아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67253 ,  B05C5/0216 ,  B05C5/0291 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 미리 제품기판과 같은 기판에 대하여 노즐에 의해 스캔하면서 도포액을 공급하여 도포액의 선을 형성하여, 이것을 예를 들어 CCD 카메라로 촬상하여 도포액의 접촉각을 구하여, 이 접촉각에 기초하여 기하학 모델을 이용하여, 실제 도포를 할 때의 스캔속도에 있어서의 도포액 노즐의 토출유량과, 피치의 허용범위와의 관계데이터를 구한다. 그리고 미리 목표막두께마다 도포액 노즐의 토출유량과 피치와의 관계 데이터를 작성해 두고, 양자의 관계데이터에 기초하여 피치를 결정한다.

公开(公告)号：KR1020030025199A

公开(公告)日：2003-03-28

申请号：KR1020020056797

申请日：2002-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  하마마나부 ,  스기모토신이치 ,  히라카와나오야

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05D3/0493

Abstract: PURPOSE: A reduced-pressure drying unit is provided to improve uniformity of a film thickness by preventing a rounded shape or an accumulated portion of a coating solution at a peripheral region of a substrate and by making a coating film uniform in thickness. CONSTITUTION: A mount(41) for mounting a substrate coated with a coating solution made by mixing a component of the coating film and a solvent is installed in a hermetic container(4). A vacuum exhauster is connected to the hermetic container through an exhaust passage for reducing a pressure in the hermetic container to vaporize the solvent from the coating solution on the substrate. A current member is provided to face a front face of the substrate mounted on the mount. A current member raising and lowering mechanism(53) raises and lowers the current member. When the current member is raised and lowered to change in height position while the pressure inside the hermetic container is reduced to vaporize the solvent from the coating solution on the substrate, a liquid flow of the coating solution on the substrate is controlled, so that the film thickness of a film of the coating solution is controlled.

Abstract translation: 目的：提供一种减压干燥装置，通过防止在基板的周边区域的涂布液的圆形或累积部分，并使涂膜的厚度均匀化来提高膜厚的均匀性。 构成：用于安装涂覆有通过混合涂膜的组分和溶剂制成的涂布溶液的基材的安装座（41）安装在密封容器（4）中。 真空排气器通过排气通道连接到密封容器，用于减小密封容器中的压力，使溶剂从基材上的涂布溶液蒸发。 设置当前构件以面对安装在安装件上的基板的前表面。 当前构件升降机构（53）升高并降低当前构件。 当当前构件升高和降低以改变高度位置，同时减少密封容器内的压力以使溶剂从衬底上的涂布溶液蒸发时，控制衬底上的涂布液的液体流动，使得 控制涂布液的膜的膜厚。

公开(公告)号：KR1020020081117A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020020020703

申请日：2002-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  스기모토신이치 ,  코바야시신지 ,  히라카와나오야 ,  후쿠토미아키라 ,  이시자카노부카즈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/0486 ,  G03F7/162

Abstract: PURPOSE: A method and system for processing substrate are provided to secure interface uniformity in the film thickness of an application film, even if the application processing of a wafer is performed by using the application liquid of high viscosity by the point which is the so-called 'one- stroke' writing. CONSTITUTION: A method and system for processing substrate comprises coating a coating solution on a surface of the substrate(w) while relatively moving a coating solution discharge nozzle and the substrate and discharging the coating solution onto the substrate from the coating solution discharge nozzle, exposing the substrate to a solvent atmosphere of the coating solution after the step of coating, and reducing pressure inside a container in which the substrate is housed after the step of exposing.

Abstract translation: 目的：提供用于处理基板的方法和系统，以确保涂膜的膜厚度的界面均匀性，即使通过使用高粘度的涂布液进行晶片的涂布处理， 称为“中风”写作。 构成：用于处理基材的方法和系统包括在使涂布液排出喷嘴和基材相对移动并将涂布溶液从涂布液排出喷嘴排出到基板上的同时，在基材表面上涂布涂布液（w） 在涂布步骤之后，将基底涂布到涂布溶液的溶剂气氛中，并且在曝光步骤之后降低其中容纳基材的容器内的压力。