公开(公告)号：KR101265231B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 보다정확하게원하는형상으로에칭할수 있는플라즈마에칭처리장치를제공한다. 플라즈마에칭처리장치(11)는, 그내부에서피처리기판에플라즈마처리를행하는처리용기(12)와, 처리용기(12) 내로플라즈마처리용의가스를공급하는가스공급부(13)와, 처리용기(12) 내에배치되고, 그위에피처리기판(W)을지지하는지지대(14)와, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(15)와, 마이크로파발생기(15)에의해발생시킨마이크로파를이용하여처리용기(12) 내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생수단과, 처리용기(12) 내의압력을조정하는압력조정수단과, 지지대(14)로교류의바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 바이어스전력공급수단에서의교류의바이어스전력을정지및 공급을교호로반복하여행하도록제어하는제어수단을구비한다.

公开(公告)号：KR1020120028853A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: PURPOSE: A plasma etching treatment apparatus and method, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to control a protective film to be superfluously thickened by controlling the thickness of the protective film which is formed in the off of bias under 10Å. CONSTITUTION: A gas supply part(13) supplies gas for plasma processing within a treatment basin(12). A microwave generator(15) generates plasma excited microwaves. A waveguide(16) and a coaxial waveguide(17) transmit the microwaves generated by the microwave generator within the treatment basin. A dielectric plate(18) spreads the microwave to a diametric direction. A slot antenna plate(20) radiates the microwave. A pressure control means controls the pressure within the treatment basin. A bias power supply means supplies AC bias power to a supporting stand.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻处理装置和方法以及半导体装置的制造方法，通过控制在10度以下的偏压下形成的保护膜的厚度来控制保护膜被超级增厚。 构成：气体供应部件（13）在处理池（12）内提供用于等离子体处理的气体。 微波发生器（15）产生等离子体激发的微波。 波导（16）和同轴波导（17）将由微波发生器产生的微波传送到处理池内。 电介质板（18）将微波扩散到直径方向。 狭缝天线板（20）辐射微波。 压力控制装置控制处理盆内的压力。 偏置电源装置向支撑架提供AC偏置电力。