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公开(公告)号：KR1020110132214A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020110029148
申请日：2011-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , B05B15/00 , B05C9/10
CPC classification number: H01L21/0273 , B05B15/16 , B05B15/20 , B05C9/10 , G03F7/16 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A hydrophobic treatment method and apparatus are provided to secure stable and high hydrophobic property using hexamethyl disilazane gas as carrier gas of H2O. CONSTITUTION: A reaction accelerator which accelerates the hydrophobic of a substrate is provided to the substrate. The substrate which is carried in the inner side of a treatment basin(30) is heated. The steam vapor of the reaction accelerator is adsorbed on the surface of the substrate. Hydrophobic treatment gas is provided to the surface of the substrate. The reaction of silicon of the hydrophobic treatment gas and oxygen of the surface of the substrate is accelerated by the reaction accelerator.
Abstract translation: 目的：提供使用六甲基二硅氮烷作为H 2载体的疏水性处理方法和装置，以确保稳定和高疏水性。 构成：将加速基材的疏水性的反应促进剂提供给基材。 载置在处理池（30）的内侧的基板被加热。 反应促进剂的蒸气蒸气被吸附在基材的表面上。 疏水性处理气体被提供到基底的表面。 疏水性处理气体的硅与基板表面的氧的反应被反应促进剂加速。
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公开(公告)号：KR101406379B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020090011662
申请日：2009-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 본 발명의 과제는 가열판 상에 기판을 적재하여 기판의 가열 처리를 행하는 데 있어서, 가열판의 온도 상승 및 온도 강하를 빠르게 행할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 적재하여 가열하기 위한 가열판과, 온도 조절 매체의 온도에 따라서 상기 가열판을 온도 조절하기 위한 가열판 온도 조절부와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 가열판의 온도를 임의의 온도로부터 그 온도보다도 높은 제1 온도로 변경하기 위해, 가열판 온도 조절부의 유로에 그 제1 온도보다도 높은 온도로 온도 조절된 온도 조절 매체를 공급하는 한편, 가열판의 온도를 임의의 온도로부터 그 온도보다도 낮은 제2 온도로 변경하기 위해, 가열판 온도 조절부의 상기 유로에 그 제2 온도보다도 낮은 온도로 온도 조절된 온도 조절 매체를 공급하도록 매체 온도 조절 수단 및 공급 수단의 동작을 제어하도록 구성하여 가열판의 승온 및 강온을 빠르게 행한다.
소수화 처리 모듈, 소수화 처리 장치, 가스 공급관, 도포 현상 장치-
公开(公告)号：KR1020120082365A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020120003827
申请日：2012-01-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G13/04 , H01G11/06 , H01G11/34 , H01G11/86 , H01G13/02 , H01M4/04 , H01M4/139 , Y02E60/122
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing an electrode, and a method thereof, and a computer storage medium are provided to adjust a film thickness of an active material mixture by adjusting a distance between a surface of a corresponding roller itself and the surface of a metal film. CONSTITUTION: A unwind roll(10) unwinds a strip-shaped metal film. A coating part(11) applies an active material mixture on both sides of the metal film. A drying part(12) forms the active material layer by drying the active material mixture on the metal film. A winding roll(13) winds the metal film. The dryer part is arranged in a long direction of the metal film side by side. A plurality of LEDs(30a,30b,30c) emits infrared rays. The drying part is divided into a plurality of regions(Ta,Tb,Tc).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电极的设备及其方法和计算机存储介质，以通过调节相应辊本身的表面与金属膜表面之间的距离来调节活性材料混合物的膜厚度 。 构成：展开卷（10）展开条形金属膜。 涂覆部件（11）在金属膜的两面上施加活性物质混合物。 干燥部件（12）通过干燥金属膜上的活性物质混合物形成活性物质层。 卷绕辊（13）卷绕金属膜。 干燥部分并排设置在金属膜的长方向上。 多个LED（30a，30b，30c）发射红外线。 干燥部分被分成多个区域（Ta，Tb，Tc）。
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公开(公告)号：KR1020120014105A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：KR1020110077681
申请日：2011-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
CPC classification number: C23C16/52 , G03F7/16 , G03F7/162 , H01L21/67253 , H01L21/0274 , H01L21/302
Abstract: PURPOSE: A vaporization apparatus, a substrate processing apparatus, a coating/developing apparatus, and a substrate processing method are provided to easily detect a supplied processing gas on a substrate in which the processing gas is acquired by vaporizing liquid chemicals. CONSTITUTION: A container(11) is comprised of a container main body(11b) and a ceiling plate(11a). A heating plate(12) is arranged within the container. A heater(12h) which surrounds an HMDS(Hexa Methyl Disilazane) supply tube(14) is included in the heating plate. A vaporization plate(13) is loaded on the heating plate. A controller(19) is connected to a sensor(15), a flux controller(17b), a temperature controller(16a), and a power supply part(16b).
Abstract translation: 目的：提供蒸发装置，基板处理装置，涂布/显影装置和基板处理方法，以容易地检测在通过汽化液体化学品获得处理气体的基板上提供的处理气体。 构成：容器（11）由容器主体（11b）和顶板（11a）构成。 加热板（12）布置在容器内。 围绕HMDS（六甲基二硅氮烷）供给管（14）的加热器（12h）包括在加热板中。 蒸发板（13）装载在加热板上。 控制器（19）连接到传感器（15），磁通控制器（17b），温度控制器（16a）和电源部分（16b）。
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公开(公告)号：KR1020100128262A
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：KR1020100091510
申请日：2010-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A heating apparatus, an applying and developing apparatus, and a heating method are provided to cool an air current in order to prevent the air current to be warm by suppressing the spread of temperature variation between a substrate and the lower side of a ceiling plate. CONSTITUTION: A substrate is received in a carrier block(S1). A coating block forms a coating film on the surface of a substrate which is drawn from the carrier block before the substrate is exposed to light. A processing block(S2) includes a developing block in order to develop the substrate after an exposure process with respect to the substrate is performed. An interface part guides the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种加热装置，施加和显影装置以及加热方法以冷却气流，以通过抑制基板与天花板下侧之间的温度变化的扩散来防止气流温暖 盘子。 构成：衬底被接收在载体块（S1）中。 涂覆块在衬底的表面上形成涂膜，其在衬底暴露于光之前从载体块拉出。 处理块（S2）包括在执行相对于基板的曝光处理之后显影基板的显影块。 接口部分引导基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101059277B1
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100091510
申请日：2010-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명의 과제는 천정판이 승강하지 않아도 면내 균일성이 높은 가열 처리를 행하는 가열 장치 및 가열 방법을 제공하는 것이다.
기판을 적재하여 가열하기 위한 열판과, 이 열판의 상방에 기판과 간격을 두고 대향하도록 설치되고, 기판의 피가열 처리 영역보다도 큰 정류용 천정판과, 천정판의 내부에 기판측으로부터의 열을 단열하기 위해 형성된 진공 영역과, 상기 열판에 적재된 기판과 상기 천정판 사이에 기류를 형성하기 위한 기류 형성 수단을 구비하도록 가열 장치를 구성한다. 내부에 진공 영역이 마련된 천정판을 이용하고 있으므로 열판측으로부터의 열이 도피되기 어렵고, 천정판과 열판 사이의 주위를 개방한 상태로 해도 천정판의 하면의 온도를 기판의 온도에 근접시킬 수 있어, 기판과 천정판의 하면의 온도차가 확대되는 것이 억제된다. 그 결과로서 상기 기류가 냉각됨으로써 난류가 되는 것을 막을 수 있으므로 기판에 대해 면내 균일성이 높은 가열 처리를 행할 수 있다.Abstract translation: 发明内容本发明的目的在于提供一种加热装置和加热方法，即使在顶板不升降时也能进行面内均匀性高的加热处理。
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公开(公告)号：KR1020090088808A
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：KR1020090011662
申请日：2009-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: G03B27/52 , C09J5/02 , G03F7/168 , G03F7/115 , G03F7/70341 , G03F7/70933 , H01L21/67098 , H01L21/6735
Abstract: A hydrophobic processing method, a hydrophobic processing apparatus, a coating-developing device, and a recoding medium are provided to suppress a defect of a pattern by performing a hydrophobic conversion for improving the close adhesion between a base layer and a resist layer. A wafer is loaded on a loading unit(5) installed in a process space(20) inside a process container(30). The wafer loaded on the loading table is controlled to a first temperature in which the hydrophobic process gas is not condensed. The hydrophobic process gas is supplied to the temperature controlled wafer. The wafer surface becomes hydrophobic by reacting the molecule included in the hydrophobic process gas with the wafer surface. The wafer is controlled to the second temperature higher than the first temperature. The remaining molecule is removed from the wafer surface by exhausting the process space.
Abstract translation: 提供疏水处理方法，疏水处理装置，涂覆显影装置和记录介质，以通过进行用于改善基底层和抗蚀剂层之间的紧密粘附的疏水转化来抑制图案的缺陷。 将晶片装载在安装在处理容器（30）内部的处理空间（20）中的装载单元（5）上。 装载在装载台上的晶片被控制在第一温度，其中疏水处理气体不会冷凝。 将疏水性工艺气体供给到受温度控制的晶片。 通过使包含在疏水处理气体中的分子与晶片表面反应，晶片表面变得疏水。 将晶片控制到高于第一温度的第二温度。 剩余的分子通过排出处理空间从晶片表面去除。
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公开(公告)号：KR1020060110213A
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020060034815
申请日：2006-04-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/30
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: A heating apparatus, a coater, a developing apparatus and a heating method are provided to improve the uniformity of a heat treatment by restraining the difference of temperature between a substrate and a lower surface of a ceiling plate using an air flow generating unit. A heating apparatus comprises a heating plate(53) for loading and heating a substrate, a rectifying ceiling plate(6) over the substrate, a vacuum region(65), and an air flow generating unit. The vacuum region is formed in the ceiling plate in order to be used as a heat insulation portion. The air flow generating unit is used for generating an air flow between the substrate and the ceiling plate.
Abstract translation: 提供加热装置，涂布机，显影装置和加热方法，以通过使用空气流产生单元来限制基板和顶板的下表面之间的温度差来提高热处理的均匀性。 加热装置包括用于加载和加热基板的加热板（53），在基板上方的整流顶板（6），真空区域（65）和空气流产生单元。 真空区域形成在顶板中以用作隔热部分。 气流发生单元用于在基板和顶板之间产生空气流。
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公开(公告)号：KR101692082B1
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020110029148
申请日：2011-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , B05B15/00 , B05C9/10
Abstract: 본발명의과제는안정적이고높은소수성을확보할수 있는소수화처리방법및 소수화처리장치를제공하는것이다. 처리용기내에서, 웨이퍼(W)에 HMDS 가스를공급하고, 상기웨이퍼의표면에 -O(CH)로이루어지는소수기를생성하는소수화처리에있어서, 상기소수화를촉진시키는반응촉진제로서수증기를웨이퍼(W)에공급하는공정과, 상기처리용기내로반입된웨이퍼(W)를가열하는공정과, 가열된웨이퍼(W)의표면에상기수증기가흡착되어있는상태에서, 당해웨이퍼(W)의표면에상기 HMD 가스를공급하는공정을실시한다. 상기수증기에의해, HMDS 소수화처리가스의규소와, 기판표면의산소의반응이촉진되어, 안정적이고높은소수성이얻어진다.
Abstract translation: 要解决的问题：提供疏水性处理方法和能够稳定地确保高疏水性的疏水性处理装置。解决方案：在用于在处理容器中供给晶片W与HMDS气体进行疏水处理以产生疏水基团，包括 -O（CH），晶片W供给蒸汽作为加速疏水化的反应促进剂的工序，加工在处理容器中的晶片W的加工过程以及供给HMD的工序 执行在加热的晶片W的表面上吸附蒸汽的状态下的晶片W的表面的气体。 蒸汽加速HMDS疏水性处理气体中的硅与基材表面上的氧之间的反应，从而稳定地实现高疏水性。
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公开(公告)号：KR1020120082367A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020120003948
申请日：2012-01-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G13/04 , H01G11/06 , H01G11/34 , H01G11/86 , H01G13/02 , H01M4/04 , H01M4/139 , Y02E60/122
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing an electrode and a computer storage medium are provided to control a film thickness of an active material mixture by controlling a distance between a surface of a corresponding roller and the surface of a metal thin film. CONSTITUTION: A unwind roll unwinds a strip-shaped metal film. A coating part applies an active material mixture on both sides of the metal film. A drying part(12) forms the active material layer by drying the active material mixture on the metal film. A winding roll winds the metal film. The drying part comprises a plurality of road heaters(30) irradiating infrared rays, a plurality of reflectors(31) reflecting the infrared rays from the road heater, an air supply outlet(32) supplying air to a dry region between the metal film and the reflector, and an exhaust pipe(33) exhausting the air within the dry region.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电极和计算机存储介质的装置和方法，以通过控制相应辊的表面和金属薄膜的表面之间的距离来控制活性材料混合物的膜厚度。 构成：展开卷展开带状金属薄膜。 涂层部分在金属膜的两面上施加活性物质混合物。 干燥部件（12）通过干燥金属膜上的活性物质混合物形成活性物质层。 卷绕卷绕金属膜。 干燥部包括照射红外线的多个道路加热器（30），反射来自道路加热器的红外线的多个反射器（31），将空气供给到金属膜与金属膜之间的干燥区域的供气口 反射器和排出管（33），排出干燥区域内的空气。
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