公开(公告)号：KR1020120026497A

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020117027556

申请日：2010-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라다쇼오이찌 ,  기무라요시오 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B05C13/00 ,  B08B3/024 ,  B29C33/58 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/67225 ,  Y10S414/141 ,  H01L21/0274

Abstract: 본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿을 사용하여, 전사 패턴을 기판 위에 형성되는 도포막에 전사하고, 당해 도포막에 소정의 패턴을 형성하는 임프린트 유닛을 구비한 임프린트 시스템이며, 임프린트 유닛에 접속되어, 복수의 상기 기판을 보유 가능하고, 또한 임프린트 유닛측에 기판을 반입출하는 기판 반입출 스테이션과, 임프린트 유닛에 접속되어, 복수의 템플릿을 보유 가능하고, 또한 임프린트 유닛측에 소정의 타이밍에서 템플릿을 반입출하는 템플릿 반입출 스테이션을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020110132214A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：KR1020110029148

申请日：2011-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하마다도모꼬 ,  니시겐지 ,  심무라사또시 ,  후꾸오까데쯔오 ,  기따노다까히로 ,  다께시따가즈히로 ,  강송윤

IPC: H01L21/027 ,  B05B15/00 ,  B05C9/10

CPC classification number: H01L21/0273 ,  B05B15/16 ,  B05B15/20 ,  B05C9/10 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A hydrophobic treatment method and apparatus are provided to secure stable and high hydrophobic property using hexamethyl disilazane gas as carrier gas of H2O. CONSTITUTION: A reaction accelerator which accelerates the hydrophobic of a substrate is provided to the substrate. The substrate which is carried in the inner side of a treatment basin(30) is heated. The steam vapor of the reaction accelerator is adsorbed on the surface of the substrate. Hydrophobic treatment gas is provided to the surface of the substrate. The reaction of silicon of the hydrophobic treatment gas and oxygen of the surface of the substrate is accelerated by the reaction accelerator.

Abstract translation: 目的：提供使用六甲基二硅氮烷作为H 2载体的疏水性处理方法和装置，以确保稳定和高疏水性。 构成：将加速基材的疏水性的反应促进剂提供给基材。 载置在处理池（30）的内​​侧的基板被加热。 反应促进剂的蒸气蒸气被吸附在基材的表面上。 疏水性处理气体被提供到基底的表面。 疏水性处理气体的硅与基板表面的氧的反应被反应促进剂加速。

公开(公告)号：KR101406379B1

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020090011662

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후꾸오까데쯔오 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03B27/52 ,  C09J5/02

Abstract: 본 발명의 과제는 가열판 상에 기판을 적재하여 기판의 가열 처리를 행하는 데 있어서, 가열판의 온도 상승 및 온도 강하를 빠르게 행할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 적재하여 가열하기 위한 가열판과, 온도 조절 매체의 온도에 따라서 상기 가열판을 온도 조절하기 위한 가열판 온도 조절부와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 가열판의 온도를 임의의 온도로부터 그 온도보다도 높은 제1 온도로 변경하기 위해, 가열판 온도 조절부의 유로에 그 제1 온도보다도 높은 온도로 온도 조절된 온도 조절 매체를 공급하는 한편, 가열판의 온도를 임의의 온도로부터 그 온도보다도 낮은 제2 온도로 변경하기 위해, 가열판 온도 조절부의 상기 유로에 그 제2 온도보다도 낮은 온도로 온도 조절된 온도 조절 매체를 공급하도록 매체 온도 조절 수단 및 공급 수단의 동작을 제어하도록 구성하여 가열판의 승온 및 강온을 빠르게 행한다.
소수화 처리 모듈, 소수화 처리 장치, 가스 공급관, 도포 현상 장치

公开(公告)号：KR101389632B1

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：KR1020090021086

申请日：2009-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시끼도슈우이찌 ,  요시따까나오또 ,  기따노다까히로 ,  도꾸나가요오이찌

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명의 과제는 기판 세정 장치에 있어서 기판의 생산성을 향상시키는 것이다.
본 발명의 기판 세정 장치는 세정 부재에 의해 기판을 세정하는 위치로부터 이격되어 설치되고, 그 하면이 브러시부와 접촉하여 당해 브러시부를 세정하는 세정면으로서 형성된 브러시 세정체와, 세정 부재를, 기판을 세정하는 영역과 브러시 세정체에 의해 브러시부가 세정되는 영역 사이에서 이동시키는 이동 수단과, 브러시 세정체의 하면에 세정 부재의 브러시부를 압박하여, 브러시 세정체와 세정 부재를 상대적으로 회전시키기 위한 수단과, 브러시 세정체와 브러시 부재를 상대적으로 회전시키고 있을 때에 브러시 세정체의 하면과 브러시부 사이에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단을 구비한다.
기판 세정 장치, 기억 매체, 반도체 웨이퍼, 스핀 척, 세정 브러시

公开(公告)号：KR1020120082365A

公开(公告)日：2012-07-23

申请号：KR1020120003827

申请日：2012-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후꾸오까데쯔오 ,  데라다가즈오 ,  기따노다까히로

IPC: H01G9/058 ,  H01G9/155

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G13/04 ,  H01G11/06 ,  H01G11/34 ,  H01G11/86 ,  H01G13/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/139 ,  Y02E60/122

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing an electrode, and a method thereof, and a computer storage medium are provided to adjust a film thickness of an active material mixture by adjusting a distance between a surface of a corresponding roller itself and the surface of a metal film. CONSTITUTION: A unwind roll(10) unwinds a strip-shaped metal film. A coating part(11) applies an active material mixture on both sides of the metal film. A drying part(12) forms the active material layer by drying the active material mixture on the metal film. A winding roll(13) winds the metal film. The dryer part is arranged in a long direction of the metal film side by side. A plurality of LEDs(30a,30b,30c) emits infrared rays. The drying part is divided into a plurality of regions(Ta,Tb,Tc).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电极的设备及其方法和计算机存储介质，以通过调节相应辊本身的表面与金属膜表面之间的距离来调节活性材料混合物的膜厚度 。 构成：展开卷（10）展开条形金属膜。 涂覆部件（11）在金属膜的两面上施加活性物质混合物。 干燥部件（12）通过干燥金属膜上的活性物质混合物形成活性物质层。 卷绕辊（13）卷绕金属膜。 干燥部分并排设置在金属膜的长方向上。 多个LED（30a，30b，30c）发射红外线。 干燥部分被分成多个区域（Ta，Tb，Tc）。

公开(公告)号：KR1020120054606A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：KR1020127005392

申请日：2010-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고오끼찌 ,  니시다까노리 ,  데라다쇼오이찌 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B29C37/0053 ,  B29C33/20 ,  B29C43/021 ,  B29C59/022 ,  B29C2043/025 ,  B29C2043/3488 ,  B29K2105/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0273

Abstract: 본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 전사 패턴을 전사하는 방법이며, 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 템플릿과 기판 사이에 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하고, 그 후, 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하고, 그 후, 제2 거리를 제1 거리와 동일하게 하도록, 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시킨다.

Abstract translation: 本发明提供了一种在模板和基板之间施加涂布液并将转印图案转印到涂布液上的方法。 模板相对于基板倾斜地布置，使得模板的第一端部分和基板之间的第一距离是引起施加液体的毛细作用的距离，并且第二距离在第二 与第一端部和基板相对的模板的端部是不会引起施加液的毛细作用的距离。 此后，将应用液从第一端部的外侧供给到第一端部。 此后，第二端部和基板相对移动，使得第二距离变得等于第一距离。

公开(公告)号：KR101207043B1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：KR1020060074447

申请日：2006-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기따노다까히로 ,  모또마쯔가즈끼 ,  다나까게이이찌

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명의 과제는 불필요한 레지스트액의 소비를 최대한 억제하고, 또한 처리량을 저하시키지 않고, 인라인에서 레지스트액의 점도 조정을 행할 수 있는 도포 처리 장치를 제공하는 것이다.
레지스트 도포 장치(CT)(23a)는 고농도 도포액과 용제를 혼합하여 소정 농도로 희석된 희석 도포액으로 하는 혼합부(70)와, 희석 도포액을 토출하여 기판에 도포막을 형성하는 도포액 토출 기구(14)와, 희석 도포액을 취입하여 모니터 도포를 행하는 모니터 도포 기구(79)와, 모니터 도포한 도포막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치(85)와, 모니터 도포 기구(79)에 의해 모니터된 파라미터를 기초로 하여 고농도 도포액과 용제의 혼합 비율이 소정의 범위인지 여부를 판단하고, 상기 혼합 비율이 소정의 범위가 아니라고 판단한 경우에는 고농도 도포액과 용제의 혼합 비율을 조정하는 제어 기구(90, 92)를 구비한다.
레지스트 도포 처리 장치, 도포액 토출 기구, 모니터 도포 기구, 제어 기구, 막 두께 측정 기구

公开(公告)号：KR1020090088808A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：KR1020090011662

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후꾸오까데쯔오 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03B27/52 ,  C09J5/02 ,  G03F7/168 ,  G03F7/115 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70933 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6735

Abstract: A hydrophobic processing method, a hydrophobic processing apparatus, a coating-developing device, and a recoding medium are provided to suppress a defect of a pattern by performing a hydrophobic conversion for improving the close adhesion between a base layer and a resist layer. A wafer is loaded on a loading unit(5) installed in a process space(20) inside a process container(30). The wafer loaded on the loading table is controlled to a first temperature in which the hydrophobic process gas is not condensed. The hydrophobic process gas is supplied to the temperature controlled wafer. The wafer surface becomes hydrophobic by reacting the molecule included in the hydrophobic process gas with the wafer surface. The wafer is controlled to the second temperature higher than the first temperature. The remaining molecule is removed from the wafer surface by exhausting the process space.

Abstract translation: 提供疏水处理方法，疏水处理装置，涂覆显影装置和记录介质，以通过进行用于改善基底层和抗蚀剂层之间的紧密粘附的疏水转化来抑制图案的缺陷。 将晶片装载在安装在处理容器（30）内部的处理空间（20）中的装载单元（5）上。 装载在装载台上的晶片被控制在第一温度，其中疏水处理气体不会冷凝。 将疏水性工艺气体供给到受温度控制的晶片。 通过使包含在疏水处理气体中的分子与晶片表面反应，晶片表面变得疏水。 将晶片控制到高于第一温度的第二温度。 剩余的分子通过排出处理空间从晶片表面去除。

公开(公告)号：KR1020070023560A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020060079642

申请日：2006-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이비덴 가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 오크테크

Inventor： 시노다도모따까 ,  야마다긴지 ,  기따노다까히로 ,  야마니시요시끼 ,  하라다무네오 ,  가와구찌다쯔죠오 ,  히로따요시히로 ,  오꾸무라가쯔야 ,  가와노슈우이찌

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 유전체막 커패시터는 개구부를 갖고, 백금을 포함하는 재료로 이루어지는 하부 전극과, 하부 전극의 상방에 마련된 ABOx형 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물을 포함하는 유전체막과, 유전체막의 상방에 마련된 상부 전극을 포함한다. 유전체막의 형성 영역의 면적에 대한 하부 전극의 평면 면적의 비율이 50 ％ 이상이다. 유전체막 커패시터는, 백금을 포함하는 재료로 이루어지는 막 두께 10 내지 100 ㎚의 하부 전극과, 하부 전극의 상방에 마련된 ABOx형 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물을 포함하는 유전체막과, 유전체막의 상방에 마련된 상부 전극을 포함한다.
유전체막 형성용 조성물, 절연층, 유전체막 커패시터, 하부 전극, 개구부, 상부 전극

公开(公告)号：KR101357506B1

公开(公告)日：2014-02-03

申请号：KR1020127005392

申请日：2010-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고오끼찌 ,  니시다까노리 ,  데라다쇼오이찌 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B29C37/0053 ,  B29C33/20 ,  B29C43/021 ,  B29C59/022 ,  B29C2043/025 ,  B29C2043/3488 ,  B29K2105/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 전사 패턴을 전사하는 방법이며, 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 템플릿과 기판 사이에 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하고, 그 후, 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하고, 그 후, 제2 거리를 제1 거리와 동일하게 하도록, 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시킨다.

Abstract translation: 本发明提供了一种在模板和基板之间施加涂布液并将转印图案转印到涂布液上的方法。 模板相对于基板倾斜地布置，使得模板的第一端部分和基板之间的第一距离是引起施加液体的毛细作用的距离，并且第二距离在第二 与第一端部和基板相对的模板的端部是不会引起施加液的毛细作用的距离。 此后，将应用液从第一端部的外侧供给到第一端部。 此后，第二端部和基板相对移动，使得第二距离变得等于第一距离。