公开(公告)号：KR1020170038182A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：KR1020170037590

申请日：2017-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.

公开(公告)号：KR1020110046353A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105158

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준 ,  이이즈카하치시로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to freely and accurately control the plasma density distribution. CONSTITUTION: A conductive cylindrical supporting part(16) is extended to an upper part from the bottom of a chamber(10) along the outer circumference of the cylindrical supporting part(14). An exhaust duct is formed between the inner wall of the chamber. A circular baffle board(20) is attached to the upper part of the exhaust duct or an entrance. A exhaust port(22) is placed on the bottom part of the exhaust duct. A gate valve(28) opens and closes the entrance gate(27) of the semiconductor wafer.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法来自由且精确地控制等离子体密度分布。 构成：导电圆柱形支撑部分（16）沿着圆柱形支撑部分（14）的外圆周从腔室（10）的底部延伸到上部。 在室的内壁之间形成排气管。 圆形挡板（20）安装在排气管的上部或入口处。 排气口（22）放置在排气管的底部。 闸阀（28）打开和关闭半导体晶片的入口门（27）。

公开(公告)号：KR101247857B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009516A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110046351A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105143

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  고시미즈치시오 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32458 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to simplify the RF antenna structure by reducing the load in an RF part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: an evacuable processing chamber including a dielectric window; a substrate supporting unit, provided in the processing chamber, for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a desired processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; a first RF antenna, provided on the dielectric window, for generating a plasma by an inductive coupling in the processing chamber; and a first RF power supply unit for supplying an RF power to the first RF antenna.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过减少RF部件中的负载来简化RF天线结构。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗的可抽空处理室; 基板支撑单元，设置在处理室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供给单元，用于向所述处理室供给期望的处理气体，以在所述目标基板上进行等离子体处理; 设置在电介质窗口上的第一RF天线，用于通过处理室中的感应耦合产生等离子体; 以及用于向第一RF天线提供RF功率的第一RF电源单元。

公开(公告)号：KR1020070022781A

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010050986A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000060019

申请日：2000-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토마사시 ,  히라야마유스케 ,  사카이이츠코 ,  오히와도쿠히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897

Abstract: PURPOSE: A processor is provided to easily control circulation gas. CONSTITUTION: The processor has a shower head(200) supplying processing gas into a process chamber through several gas supply holes, a turbopump exhausting processing gas from the process chamber and a circulation gas piping(150) returning at least a part circulation gas(Q2) of exhaust gas exhausted from within the process chamber by the turbopump to the shower head. The shower head is provided with a primary gas supply system which supplies primary gas(Q1) supplied from a gas source into the process chamber through several primary gas jet holes(h1), and a circulation gas supply system supplying circulation gas into the process chamber through several circulation gas supply holes. The primary gas supplying system and the circulation gas supply system are independent systems. Since primary gas and circulation gas can be mixed in the process chamber for the first time, circulation gas can easily be controlled even if pressure control is not conducted.

Abstract translation: 目的：提供处理器以便于控制循环气体。 构成：处理器具有淋浴头（200），其通过几个气体供应孔向处理室提供处理气体，涡轮泵从处理室排出处理气体，循环气体管道（150）使至少部分循环气体（Q2 ）由涡轮泵从处理室中排出的废气到喷淋头。 淋浴头设置有主气体供给系统，其通过几个主气体喷射孔（h1）将从气体源供给的一次气体（Q1）供给到处理室，以及将循环气体供给到处理室 通过几个循环供气孔。 主要供气系统和循环气体供应系统是独立系统。 由于主气体和循环气体可以在处理室中首次混合，所以即使不进行压力控制，也能够容易地控制循环气体。

公开(公告)号：KR101758026B1

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：KR1020160144583

申请日：2016-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.

公开(公告)号：KR101250717B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101180125B1

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.