Abstract:
본 발명의 공기청정장치는, 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 토출되는 토출구를 가지는 공기 유통실과, 공기 유통실에 설치되고, 공기를 흡인구로부터 토출하는 송풍수단과, 처리공간에 있어서의 처리에 의하여 유해하게 되는 불순가스의 발생이 작은 소재에 의하여 전체가 형성되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중에 함유하는 파티클을 제거하는 파티클 제거수단을 갖추고 있다.
Abstract:
본 발명의 공기청정장치는 처리공간내의 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 처리공간내에 토출되는 토출구를 가지는 장치본체와, 장치본체의 내부에 설치되고, 처리공간내의 공기를 흡인구로부터 장치본체에 흡인함과 동시에 흡인한 공기를 토출구로부터 처리공간내에 향하여 토출하는 송풍장치와, 장치본체의 내부에 설치되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중의 함유되고, 처리공간내의 있어서의 처리에 있어서, 유해로 되는 불순가스를 제거하는 불순가스 제거장치와, 불순가스 제거장치의 배기쪽에 설치되고, 불순가스 제거장치에 의하여 불순가스가 제거된 흡인공기중의 파티클을 제거하는 파티클 제거장치를 구비하고 있다.
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본 발명의 공기청정장치는 처리공간내의 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 처리공간내에 토출되는 토출구를 가지는 장치본체와, 장치본체의 내부에 설치되고, 처리공간내의 공기를 흡인구로부터 장치본체에 흡인함과 동시에 흡인한 공기를 토출구로부터 처리공간내에 향하여 토출하는 송풍장치와, 장치본체의 내부에 설치되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중의 함유되고, 처리공간내의 있어서의 처리에서, 유해로 되는 불순가스를 제거하는 불순가스 제거장치와, 불순가스 제거장치의 배기쪽에 설치되고, 불순가스 제거장치에 의하여 불순가스가 제거된 흡인공기중의 파티클을 제거하는 파티클 제거장치를 구비하고 있다.
Abstract:
열처리로의 아래쪽의 옮겨싣기실 내에 기류를 형성하도록 송풍팬 및 셔터가 배치된 순환덕트부를 설치하고, 그 취출구에 제진필터부를 배치한다. 또, 이 필터부의 전방쪽에 다수의 취출구가 형성된 예컨대, 3개의 공기공급관을 소정의 높이 위치에 설치하고, 이들 기단쪽에 개폐밸브를 개재하여 청정기체 공급원을 접속한다. 웨이퍼의 언로드 개시후, 웨이퍼 보오트로부터 웨이퍼를 떼내는 동안은 청정기체 공급원으로부터의 청정기체를 옮겨싣기실 내에 공급하고, 순환덕트부 내에서의 기류의 순환을 정지해둔다. 또, 제진필터부의 필터재로 PTFE를 사용한다. 이로써 제진필터부로부터 비산하는 불순물이 웨이퍼에 주는 악영향을 저감할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 처리 기판의 오염을 야기하지 않고 열처리를 할 수 있는 반도체 제조장치용의 석영관 등의 석영 부재, 그와 같은 석영 부재의 제조방법, 그와 같은 석영 부재를 갖춘 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법을 제공한다. 석영 시료편을 불화수소산중에 침지하여 소정의 깊이에 위치하는 피분석층을 노출시켜, 노출면에 불화수소산 또는 질산 등의 분해액을 적하하여 극히 얇은 피분석층의 두께 분만 분해시켜, 분해액을 회수한다. 분해액을 원자 흡광 분석법(AAS) 등에 의해 정량 분석하여 분해액중에 포함되는 금속량을 측정한다. 분해 전후의 석영 시료의 두께의 차이와 적하한 분해액의 면적으로부터 분해된 피분석층의 부피를 구하고, 이 값과 분해액에 포함되어 있는 금속량으로부터 피분석층의 함유 금속 농도, 나아가 피분석층의 확산 계수를 산출한다. 이렇게 해서 구한 확산 계수를 지표로 하여 금속 원자가 확산하기 어려운 석영 재료를 선정하고, 그 석영 재료로 석영관 등의 반도체 제조장치용 석영 부재를 제조한다.
Abstract:
유기물을 제거한 기체를 공급하기 위한 감습시스템이 제공된다. 이 감습시스템은, 유지케이스와, 유지케이스에 회전가능하게 지지되어, 흡착제를 담지하는 로터를 가지고 있다. 로터는 유지케이스에 부착된 구분판에 의해, 흡착 존과 재생 존으로 구획형성되어 있다. 피처리기체는 흡착 존에 공급되고, 흡착 존에서 처리된 피처리기체는 목적공간에 공급된다. 재생 존에 재생용기체가 공급되어, 흡착 존의 흡착제에 흡착된 수분 및 유기물이 재생 존에서 이탈된다.
Abstract:
유기물을 제거한 기체를 공급하기 위한 감습시스템이 제공된다. 이 감습시스템은, 유지케이스와, 유지케이스에 회전가능하게 지지되어, 흡착제를 담지하는 로터를 가지고 있다. 로터는 유지케이스에 부착된 구분판에 의해, 흡착 존과 재생 존으로 구획형성되어 있다. 피처리기체는 흡착 존에 공급되고, 흡착 존에서 처리된 피처리기체는 목적공간에 공급된다. 재생 존에 재생용기체가 공급되어, 흡착 존의 흡착제에 흡착된 수분 및 유기물이 재생 존에서 이탈된다.
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본 발명은 처리 기판의 오염을 야기하지 않고 열처리를 할 수 있는 반도체 제조장치용의 석영관 등의 석영 부재, 그와 같은 석영 부재의 제조방법, 그와 같은 석영 부재를 갖춘 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법을 제공한다. 석영 시료편을 불화수소산중에 침지하여 소정의 깊이에 위치하는 피분석층을 노출시켜, 노출면에 불화수소산 또는 질산 등의 분해액을 적하하여 극히 얇은 피분석층의 두께 분만 분해시켜, 분해액을 회수한다. 분해액을 원자 흡광 분석법(AAS) 등에 의해 정량 분석하여 분해액중에 포함되는 금속량을 측정한다. 분해 전후의 석영 시료의 두께의 차이와 적하한 분해액의 면적으로부터 분해된 피분석층의 부피를 구하고, 이 값과 분해액에 포함되어 있는 금속량으로부터 피분석층의 함유 금속 농도, 나아가 피분석층의 확산 계수를 산출한다. 이렇게 해서 구한 확산 계수를 지표로 하여 금속 원자가 확산하기 어려운 석영 재료를 선정하고, 그 석영 재료로 석영관 등의 반도체 제조장치용 석영 부재를 제조한다.
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열처리로의 아래편쪽의 옮겨싣기실 내에 기류를 형성하도록 송풍팬 및 셔터가 배치된 순환덕트부를 설치하고, 그 취출구에 제진필터부를 배설한다. 또 이 필터부의 전방쪽에 다수의 취출구가 형성된 예컨대, 3개의 공기공급관을 소정의 높이 위치에 설치하고, 이들 기단쪽에 개폐밸브를 개재하여 청정기체 공급원을 접속한다. 웨이퍼의 언로드 개시후, 웨이퍼 보오트로부터 웨이퍼를 떼내는 동안은 청정기체 공급원으로부터 청정기체를 옮겨싣기실 내에 공급하고, 순환덕트부 내에서의 기류의 순환을 정지해 둔다, 또 제진피터부의 필터재에 PTFE를 사용한다. 이로써 제진 필터로부터 비산하는 불순물이 웨이퍼에주는 악영향을 저감할 수 있다.