공기청정장치 및 방법
    3.
    发明公开
    공기청정장치 및 방법 失效
    空气净化装置和方法

    公开(公告)号:KR1019940020490A

    公开(公告)日:1994-09-16

    申请号:KR1019940002137

    申请日:1994-02-04

    Abstract: 본 발명의 공기청정장치는 처리공간내의 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 처리공간내에 토출되는 토출구를 가지는 장치본체와, 장치본체의 내부에 설치되고, 처리공간내의 공기를 흡인구로부터 장치본체에 흡인함과 동시에 흡인한 공기를 토출구로부터 처리공간내에 향하여 토출하는 송풍장치와, 장치본체의 내부에 설치되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중의 함유되고, 처리공간내의 있어서의 처리에 있어서, 유해로 되는 불순가스를 제거하는 불순가스 제거장치와, 불순가스 제거장치의 배기쪽에 설치되고, 불순가스 제거장치에 의하여 불순가스가 제거된 흡인공기중의 파티클을 제거하는 파티클 제거장치를 구비하고 있다.

    공기청정장치 및 방법
    4.
    发明授权
    공기청정장치 및 방법 失效
    空气净化装置

    公开(公告)号:KR100248567B1

    公开(公告)日:2000-05-01

    申请号:KR1019940002137

    申请日:1994-02-04

    CPC classification number: F24F3/16 F24F2003/1614 F24F2003/1625

    Abstract: 본 발명의 공기청정장치는 처리공간내의 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 처리공간내에 토출되는 토출구를 가지는 장치본체와, 장치본체의 내부에 설치되고, 처리공간내의 공기를 흡인구로부터 장치본체에 흡인함과 동시에 흡인한 공기를 토출구로부터 처리공간내에 향하여 토출하는 송풍장치와, 장치본체의 내부에 설치되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중의 함유되고, 처리공간내의 있어서의 처리에서, 유해로 되는 불순가스를 제거하는 불순가스 제거장치와, 불순가스 제거장치의 배기쪽에 설치되고, 불순가스 제거장치에 의하여 불순가스가 제거된 흡인공기중의 파티클을 제거하는 파티클 제거장치를 구비하고 있다.

    열처리장치
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100269413B1

    公开(公告)日:2000-11-01

    申请号:KR1019940033374

    申请日:1994-12-09

    Abstract: 열처리로의 아래쪽의 옮겨싣기실 내에 기류를 형성하도록 송풍팬 및 셔터가 배치된 순환덕트부를 설치하고, 그 취출구에 제진필터부를 배치한다. 또, 이 필터부의 전방쪽에 다수의 취출구가 형성된 예컨대, 3개의 공기공급관을 소정의 높이 위치에 설치하고, 이들 기단쪽에 개폐밸브를 개재하여 청정기체 공급원을 접속한다. 웨이퍼의 언로드 개시후, 웨이퍼 보오트로부터 웨이퍼를 떼내는 동안은 청정기체 공급원으로부터의 청정기체를 옮겨싣기실 내에 공급하고, 순환덕트부 내에서의 기류의 순환을 정지해둔다. 또, 제진필터부의 필터재로 PTFE를 사용한다. 이로써 제진필터부로부터 비산하는 불순물이 웨이퍼에 주는 악영향을 저감할 수 있다.

    반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법
    6.
    发明授权
    반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법 失效
    用于半导体制造设备的QUARTZ会员,半导体制造设备的QUARTZ会员制造方法,热处理设备以及QUARTZ会员中金属的分析方法

    公开(公告)号:KR100733201B1

    公开(公告)日:2007-06-27

    申请号:KR1020027010172

    申请日:2000-12-28

    Abstract: 본 발명은 처리 기판의 오염을 야기하지 않고 열처리를 할 수 있는 반도체 제조장치용의 석영관 등의 석영 부재, 그와 같은 석영 부재의 제조방법, 그와 같은 석영 부재를 갖춘 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법을 제공한다. 석영 시료편을 불화수소산중에 침지하여 소정의 깊이에 위치하는 피분석층을 노출시켜, 노출면에 불화수소산 또는 질산 등의 분해액을 적하하여 극히 얇은 피분석층의 두께 분만 분해시켜, 분해액을 회수한다. 분해액을 원자 흡광 분석법(AAS) 등에 의해 정량 분석하여 분해액중에 포함되는 금속량을 측정한다. 분해 전후의 석영 시료의 두께의 차이와 적하한 분해액의 면적으로부터 분해된 피분석층의 부피를 구하고, 이 값과 분해액에 포함되어 있는 금속량으로부터 피분석층의 함유 금속 농도, 나아가 피분석층의 확산 계수를 산출한다. 이렇게 해서 구한 확산 계수를 지표로 하여 금속 원자가 확산하기 어려운 석영 재료를 선정하고, 그 석영 재료로 석영관 등의 반도체 제조장치용 석영 부재를 제조한다.

    반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법
    9.
    发明公开
    반도체 제조장치용 석영 부재, 반도체 제조장치용 석영 부재의 제조방법, 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법 失效
    用于半导体制造装置的石英部件,用于制造用于半导体制造装置的石英部件的方法,热处理装置以及用于分析石英部件中的金属的方法

    公开(公告)号:KR1020020076290A

    公开(公告)日:2002-10-09

    申请号:KR1020027010172

    申请日:2000-12-28

    Abstract: 본 발명은 처리 기판의 오염을 야기하지 않고 열처리를 할 수 있는 반도체 제조장치용의 석영관 등의 석영 부재, 그와 같은 석영 부재의 제조방법, 그와 같은 석영 부재를 갖춘 열처리 장치, 및 석영 부재중의 금속의 분석 방법을 제공한다. 석영 시료편을 불화수소산중에 침지하여 소정의 깊이에 위치하는 피분석층을 노출시켜, 노출면에 불화수소산 또는 질산 등의 분해액을 적하하여 극히 얇은 피분석층의 두께 분만 분해시켜, 분해액을 회수한다. 분해액을 원자 흡광 분석법(AAS) 등에 의해 정량 분석하여 분해액중에 포함되는 금속량을 측정한다. 분해 전후의 석영 시료의 두께의 차이와 적하한 분해액의 면적으로부터 분해된 피분석층의 부피를 구하고, 이 값과 분해액에 포함되어 있는 금속량으로부터 피분석층의 함유 금속 농도, 나아가 피분석층의 확산 계수를 산출한다. 이렇게 해서 구한 확산 계수를 지표로 하여 금속 원자가 확산하기 어려운 석영 재료를 선정하고, 그 석영 재료로 석영관 등의 반도체 제조장치용 석영 부재를 제조한다.

    열처리장치
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019950021004A

    公开(公告)日:1995-07-26

    申请号:KR1019940033374

    申请日:1994-12-09

    Abstract: 열처리로의 아래편쪽의 옮겨싣기실 내에 기류를 형성하도록 송풍팬 및 셔터가 배치된 순환덕트부를 설치하고, 그 취출구에 제진필터부를 배설한다. 또 이 필터부의 전방쪽에 다수의 취출구가 형성된 예컨대, 3개의 공기공급관을 소정의 높이 위치에 설치하고, 이들 기단쪽에 개폐밸브를 개재하여 청정기체 공급원을 접속한다. 웨이퍼의 언로드 개시후, 웨이퍼 보오트로부터 웨이퍼를 떼내는 동안은 청정기체 공급원으로부터 청정기체를 옮겨싣기실 내에 공급하고, 순환덕트부 내에서의 기류의 순환을 정지해 둔다, 또 제진피터부의 필터재에 PTFE를 사용한다. 이로써 제진 필터로부터 비산하는 불순물이 웨이퍼에주는 악영향을 저감할 수 있다.

Patent Agency Ranking