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公开(公告)号:KR1020110071700A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:KR1020090128331
申请日:2009-12-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A crystallization method, method of manufacturing a thin film transistor and method of manufacturing a display device are provided to reduce leakage current by optimally the concentration of nickel functioned as a crystallized seed. CONSTITUTION: In a crystallization method, method of manufacturing a thin film transistor and method of manufacturing a display device, a buffer layer(103) is formed on a substrate(101). A reserved amorphous silicon layer(104) is formed on the buffer layer. Nickel particles(105a) are formed on the reserved amorphous silicon layer. The reserved amorphous silicon layer is changed into an amorphous silicon layer. Laser is projected on the amorphous silicon layer.
Abstract translation: 目的:提供一种结晶方法,制造薄膜晶体管的方法和制造显示装置的方法,以通过最佳地作为结晶晶种起作用的镍的浓度来减少漏电流。 构成:在结晶方法中,制造薄膜晶体管的方法和制造显示装置的方法,在基板(101)上形成缓冲层(103)。 在缓冲层上形成保留的非晶硅层(104)。 在保留的非晶硅层上形成镍颗粒(105a)。 保留的非晶硅层变成非晶硅层。 激光投射在非晶硅层上。
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公开(公告)号:KR1020110054466A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:KR1020090111108
申请日:2009-11-17
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/56 , H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L27/3262
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic light emitting display device is provided to form a polycrystal silicon layer with uniform crystal grain by removing the deviation of a property between a single irradiation area and a double irradiation area. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate body. An amorphous silicon layer is formed on the buffer layer(S101). A micro crystal silicon layer is formed by thermally processing an amorphous silicon layer(S102). A polycrystal silicon layer is formed by scanning linear laser beams to be overlapped on the micro crystal silicon layer in a width direction twice or more times(S103).
Abstract translation: 目的:提供一种制造有机发光显示装置的方法,通过消除单个照射区域和双重照射区域之间的特性的偏差来形成具有均匀晶粒的多晶硅层。 构成:在基体上形成缓冲层。 在缓冲层上形成非晶硅层(S101)。 通过热处理非晶硅层形成微晶硅层(S102)。 通过扫描在宽度方向上重叠在微晶硅层上的线性激光束两次以上来形成多晶硅层(S103)。
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公开(公告)号:KR100964234B1
公开(公告)日:2010-06-17
申请号:KR1020080125962
申请日:2008-12-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3269 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L21/0271 , H01L27/3246
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device is provided to prevent the light emitted from an organic light emitting device from being directly incident to a photosensor by forming a light blocking part in the photosensor. CONSTITUTION: A display part comprises a substrate(100), a thin film transistor(220), an organic light emitting device(230), and a photosensor(240). The organic light emitting device comprises a pixel electrode, an opposite electrode, and an intermediate layer. A pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor. The opposite electrode is formed in the whole surface of the substrate. The intermediate layer is arranged between the pixel electrode and the opposite electrode. A light blocking part is formed in one side of a photosensor.
Abstract translation: 目的:提供一种有机电致发光显示装置,用于通过在光传感器中形成遮光部来防止从有机发光元件发射的光直接入射到光传感器。 构成:显示部件包括基板(100),薄膜晶体管(220),有机发光器件(230)和光电传感器(240)。 有机发光器件包括像素电极,相对电极和中间层。 像素电极电连接到薄膜晶体管。 相对电极形成在基板的整个表面上。 中间层配置在像素电极和对置电极之间。 遮光部分形成在光电传感器的一侧。
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公开(公告)号:KR1020110021259A
公开(公告)日:2011-03-04
申请号:KR1020090078946
申请日:2009-08-25
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L21/02579 , H01L2251/308
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent the deviation in the image quality by improving the uniformity of the organic light emitting device formed on each pixel by configuring a compensation circuit. CONSTITUTION: A first gate electrode(121) and a second semiconductor layer(125) are formed on a substrate body(111). A gate insulating layer(130) is formed on the first gate electrode and the second semiconductor layer. A semiconductor layer(141) and a second gate electrode(145) are formed on the first gate electrode and the second semiconductor layer.
Abstract translation: 目的:提供一种有机发光显示装置及其制造方法,通过构成补偿电路来提高形成在各像素上的有机发光元件的均匀性,以防止图像质量的偏差。 构成:在基板主体(111)上形成第一栅电极(121)和第二半导体层(125)。 栅极绝缘层(130)形成在第一栅电极和第二半导体层上。 半导体层(141)和第二栅电极(145)形成在第一栅电极和第二半导体层上。
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公开(公告)号:KR101097323B1
公开(公告)日:2011-12-23
申请号:KR1020090128331
申请日:2009-12-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 결정화방법, 박막트랜지스터제조방법및 표시장치제조방법에서, 기판상에비정질실리콘층을형성하는단계, 상기비정질실리콘층상에니켈입자를형성하는단계, 상기비정질실리콘층에대하여 280℃내지 330℃의상대적저온에서의열처리를통해상기니켈입자를확산시키는단계및 상기비정질실리콘층에레이저를조사하는단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR101094294B1
公开(公告)日:2011-12-19
申请号:KR1020090111108
申请日:2009-11-17
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/56 , H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L27/3262
Abstract: 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서, 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해 비정질 규소막을 형성한다. 그리고 비정질 규소막을 열처리하여 미세결정 규소막을 형성한다. 이어서 미세결정 규소막에 폭방향으로 일부 중첩되도록 선형의 레이저빔을 두 번 이상 스캔 조사하여 다결정 규소막을 형성한다. 따라서, 엑시머 레이저 어닐링 방법을 사용하면서도 다결정 규소막의 결정립을 균일하게 형성할 수 있다.
다결정 규소막, 결정화, 엑시머 레이저, 열처리, 박막 트랜지스터, 캐패시터, 유기 발광 표시 장치 제조 방법-
公开(公告)号:KR101065407B1
公开(公告)日:2011-09-16
申请号:KR1020090078946
申请日:2009-08-25
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성된 제1 게이트 전극 및 제2 반도체층과, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 반도체층 위에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 반도체층 상에 각각 형성된 제1 반도체층 및 제2 게이트 전극과, 상기 제1 반도체층과 적어도 일부가 맞닿아 포개진 복수의 에칭 스토퍼층들과, 상기 복수의 에칭 스토퍼층들을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍들을 가지고 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 상에 형성되어 상기 복수의 에칭 스토퍼층들을 통해 상기 제1 반도체층과 각각 직간접적으로 연결된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극, 그리고 상기 층간 절연막 상에 형성되어 상기 제2 반도체층과 연결된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다.
산화물 반도체층, 다결정 규소 반도체층, 에칭 스토퍼층, 게이트 전극, 박막 트랜지스터, 유기 발광 표시 장치Abstract translation: 一种有机发光二极管(OLED)显示装置,包括:基板主体;形成在所述基板主体上的第一栅极电极和第二半导体层; 第一半导体层和第二栅电极,隔着栅极绝缘膜形成在第一栅电极和第二半导体层上, 多个接触阻挡层,形成在第一半导体层和第二栅电极上并具有暴露多个蚀刻阻挡层的多个接触孔, 第一半导体层,所述第一半导体层形成在层间绝缘膜上并且通过多个蚀刻停止层直接连接到第一半导体层, 源电极和第一漏电极以及形成在层间绝缘层上并连接到第二半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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