公开(公告)号：KR101065407B1

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020090078946

申请日：2009-08-25

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 최종현 ,  이준우 ,  김광해 ,  김경보

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성된 제1 게이트 전극 및 제2 반도체층과, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 반도체층 위에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 반도체층 상에 각각 형성된 제1 반도체층 및 제2 게이트 전극과, 상기 제1 반도체층과 적어도 일부가 맞닿아 포개진 복수의 에칭 스토퍼층들과, 상기 복수의 에칭 스토퍼층들을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍들을 가지고 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 상에 형성되어 상기 복수의 에칭 스토퍼층들을 통해 상기 제1 반도체층과 각각 직간접적으로 연결된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극, 그리고 상기 층간 절연막 상에 형성되어 상기 제2 반도체층과 연결된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다.
산화물 반도체층, 다결정 규소 반도체층, 에칭 스토퍼층, 게이트 전극, 박막 트랜지스터, 유기 발광 표시 장치

Abstract translation: 一种有机发光二极管（OLED）显示装置，包括：基板主体;形成在所述基板主体上的第一栅极电极和第二半导体层; 第一半导体层和第二栅电极，隔着栅极绝缘膜形成在第一栅电极和第二半导体层上， 多个接触阻挡层，形成在第一半导体层和第二栅电极上并具有暴露多个蚀刻阻挡层的多个接触孔， 第一半导体层，所述第一半导体层形成在层间绝缘膜上并且通过多个蚀刻停止层直接连接到第一半导体层， 源电极和第一漏电极以及形成在层间绝缘层上并连接到第二半导体层的第二源电极和第二漏电极。

公开(公告)号：KR101009646B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020070077396

申请日：2007-08-01

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김철수 ,  이기용 ,  김경보

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 액티브층과 게이트 전극을 절연시키는 제1 게이트 절연막 및 제2 게이트 절연막을 포함하고, 제1 게이트 절연막의 두께(T
1 ) 및 제2 게이트 절연막의 두께(T
2 )는 하기 조건을 만족한다.
200Å ≤ T
1 ≤ 400Å, 및
200Å ≤ T
2 ≤ 400Å
박막 트랜지스터, 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 결정화

公开(公告)号：KR100987381B1

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：KR1020080069303

申请日：2008-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김영대 ,  김경보 ,  김무진 ,  김철수 ,  김혜동 ,  임기주 ,  박용성 ,  김건식 ,  오준식 ,  장형욱 ,  김상욱

IPC: H05B33/04 ,  H01L31/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/323

Abstract: 본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 터치 패널 기능을 가진 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 포토 센서의 수광 효율이 향상된 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판상에 배치되는 디스플레이부; 상기 디스플레이부 상부에 배치되는 봉지 기판; 상기 기판의 적어도 어느 일 측에 형성되는 반사층; 및 상기 반사층과 상기 봉지 기판 사이에 개재되고, 상기 봉지 기판을 통해 입사되는 빛을 검출하는 포토 센서를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR100953657B1

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020070115553

申请日：2007-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김경보 ,  박용우 ,  정창영 ,  도성원 ,  이대우 ,  여종모

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로 ±10% 범위의 그레인 크기 편차를 가지는 다결정 실리콘으로 형성된 반도체층을 구비한다.
따라서, 반도체층의 SLS 결정화 시 발생할 수 있는 그레인 크기의 불균일로 인한 화상특성 불량의 문제점을 개선할 수 있다.
그레인,불균일,SLS

公开(公告)号：KR101015847B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020080005729

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김경보 ,  이기용 ,  윤한희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 채널 영역 및 소스/드레인 영역을 포함하며, 상기 채널 영역에 불순물이 도핑된 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 상기 반도체층 상에 위치하는 열산화막; 상기 열산화막 상에 위치하는 실리콘 질화막; 상기 실리콘 질화막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 상기 채널 영역에 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 반도체층에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 열산화막을 형성하는 열처리에 의해 상기 불순물의 이온들이 활성화되는 것을 특징으로 한다.
박막트랜지스터, 열산화막

公开(公告)号：KR1020090079619A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：KR1020080005729

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김경보 ,  이기용 ,  윤한희

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/324

Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic light emitting diode display device including the same are provided to obtain a transistor having excellent electrical characteristics by simplifying a manufacturing process thereof. A thin film transistor includes a substrate(200), a semiconductor layer(203), a thermal oxide layer(210), a silicon nitride layer(211), a gate electrode(212), an interlayer dielectric(213), and source/drain electrodes(214a, 215b). The semiconductor layer is positioned on the substrate. The semiconductor layer includes a channel region(206) and source/drain regions(204,205). The channel region is doped with an impurity. The thermal oxide layer is positioned on the semiconductor layer. The silicon nitride layer is positioned on the thermal oxide layer. The gate electrode is positioned on the silicon nitride layer. The gate electrode is positioned at a position corresponding to a constant region of the semiconductor layer. The interlayer dielectric is positioned on a front surface of the substrate. The source/drain electrodes are electrically connected with the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包含该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过简化其制造工艺来获得具有优异电特性的晶体管。 薄膜晶体管包括衬底（200），半导体层（203），热氧化物层（210），氮化硅层（211），栅电极（212），层间电介质（213）和源极 /漏电极（214a，215b）。 半导体层位于基板上。 半导体层包括沟道区（206）和源/漏区（204,205）。 沟道区掺杂有杂质。 热氧化层位于半导体层上。 氮化硅层位于热氧化物层上。 栅电极位于氮化硅层上。 栅电极位于对应于半导体层的恒定区的位置。 层间电介质位于基板的前表面上。 源极/漏极电极与半导体层电连接。

公开(公告)号：KR100964234B1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080125962

申请日：2008-12-11

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 임기주 ,  박용성 ,  박용우 ,  김무진 ,  윤한희 ,  김광해 ,  도성원 ,  김경보 ,  김건식 ,  오준식

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/22 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3269 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L21/0271 ,  H01L27/3246

Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device is provided to prevent the light emitted from an organic light emitting device from being directly incident to a photosensor by forming a light blocking part in the photosensor. CONSTITUTION: A display part comprises a substrate(100), a thin film transistor(220), an organic light emitting device(230), and a photosensor(240). The organic light emitting device comprises a pixel electrode, an opposite electrode, and an intermediate layer. A pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor. The opposite electrode is formed in the whole surface of the substrate. The intermediate layer is arranged between the pixel electrode and the opposite electrode. A light blocking part is formed in one side of a photosensor.

Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置，用于通过在光传感器中形成遮光部来防止从有机发光元件发射的光直接入射到光传感器。 构成：显示部件包括基板（100），薄膜晶体管（220），有机发光器件（230）和光电传感器（240）。 有机发光器件包括像素电极，相对电极和中间层。 像素电极电连接到薄膜晶体管。 相对电极形成在基板的整个表面上。 中间层配置在像素电极和对置电极之间。 遮光部分形成在光电传感器的一侧。

公开(公告)号：KR1020100008707A

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：KR1020080069303

申请日：2008-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김영대 ,  김경보 ,  김무진 ,  김철수 ,  김혜동 ,  임기주 ,  박용성 ,  김건식 ,  오준식 ,  장형욱 ,  김상욱

IPC: H05B33/04 ,  H01L31/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/323 ,  H01L51/5246 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/13069

Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device is provided to reduce production cost and streamline manufacturing processes by omitting a separate patterning process for forming a reflective layer. CONSTITUTION: A display part is positioned on a substrate(100). An encapsulation substrate(300) is positioned on the upper part of the display part. A reflective layer(241) is formed to one side of the substrate. A photosensor(247) is interposed between the reflective layer and the encapsulation substrate and detects the light incident through the encapsulation substrate. The light which is emitted from the display part and is reflected from the upper part of the encapsulation substrate is incident to the photosensor. The light incident to the photosensor is detected.

Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置，以通过省略用于形成反射层的单独的图案化工艺来降低生产成本并简化制造工艺。 构成：显示部件位于基板（100）上。 封装基板（300）位于显示部件的上部。 反射层（241）形成在基板的一侧。 光传感器（247）插入在反射层和封装基板之间，并检测通过封装基板入射的光。 从显示部发射并从封装基板的上部反射的光入射到光传感器。 检测到光电传感器入射的光。

公开(公告)号：KR1020090049331A

公开(公告)日：2009-05-18

申请号：KR1020070115553

申请日：2007-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김경보 ,  박용우 ,  정창영 ,  도성원 ,  이대우 ,  여종모

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/04

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로 ±10% 범위의 그레인 크기 편차를 가지는 반도체층을 구비한다.
따라서, 반도체층의 SLS 결정화 시 발생할 수 있는 그레인 크기의 불균일로 인한 화상특성 불량의 문제점을 개선할 수 있다.
그레인,불균일,SLS

公开(公告)号：KR1020090013347A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：KR1020070077396

申请日：2007-08-01

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김무진 ,  김철수 ,  이기용 ,  김경보

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L21/324 ,  H01L29/42384

Abstract: A thin film transistor and a display device having the same are provided to minimize a defect of a poly silicon crystal by coupling hydrogen with electrons making a dangling bond inside the poly silicon layer under a gate insulating layer. A buffer layer(120) is formed on a substrate(110) and an amorphous silicon film(131) is formed on the buffer layer. A dehydrogenation process for an amorphous silicon film is performed in the temperature of 400 to 550 degrees centigrade. The buffer layer prevents the impurity on the surface of the substrate from being diffused to the amorphous silicon film when crystallizing the amorphous silicon film. The buffer layer is made of a silicon nitride layer or the layer where the silicon nitride and the silicon oxide are laminated.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的显示装置，以通过将氢与在多晶硅层内形成悬挂键的电子在栅极绝缘层之下进行耦合来最小化多晶硅晶体的缺陷。 在基板（110）上形成缓冲层（120），在缓冲层上形成非晶硅膜（131）。 在400至550摄氏度的温度下进行非晶硅膜的脱氢工艺。 当结晶非晶硅膜时，缓冲层防止衬底表面上的杂质扩散到非晶硅膜。 缓冲层由氮化硅层或层叠有氮化硅和氧化硅的层构成。