Abstract:
A laser irradiation apparatus provides a laser beam along a scan direction to a semiconductor layer including a plurality of pixel areas. The laser irradiation apparatus includes at least one laser mask including a plurality of slit groups respectively facing portions of the plurality of pixel areas and a laser generator generating the laser beam that pass through the plurality of slit groups of the at least one laser mask.
Abstract:
PURPOSE: An organic electro luminescence display device and a manufacturing method thereof are provided to offer a device having suitable property for a thin film transistor by respectively constituting a driving thin-film transistor using metallic catalyst and a switching thin film transistor using a solid phase crystallization method. CONSTITUTION: Gate electrodes(140,141) are arranged to be respectively corresponded to a first semiconductor layer(120) and a second semiconductor layer(121). A source/drain electrode is respectively connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. An insulating layer(170) is arranged through the front side of a substrate(100). A first electrode(180) is connected to the source/drain electrode of the first semiconductor layer. A buffer layer(110) corresponding to the source/drain region of the first semiconductor layer comprises metallic catalyst.
Abstract:
PURPOSE: A laser crystallization device and a method thereof are provided to enable the crystallization of a thin film on a substrate since a laser beam is scanned on the substrate in a specific direction. CONSTITUTION: A laser beam irradiation unit(110) scans laser beam on a substrate in a specific direction. A stage(120) arranges the substrate. A fixing unit(130) is formed on the stage to correspond to one edge of the substrate. A driving unit(150) lifts one side of the stage so the area in which the fixing unit is placed is moved down. The substrate is moved by the gravity and is mounted in the fixing unit.
Abstract:
유기전계발광표시장치는, 제 1 박막트랜지스터 영역 및 제 2 박막트랜지스터 영역을 구비하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층에 각각 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 각각 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 상기 제 1 반도체층의 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극; 및 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 반도체층의 소스/드레인 영역에 대응하는 버퍼층은 금속촉매를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 기판에 크랙(crack)이 생기는 현상을 방지할 수 있는 결정화 장치, 결정화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 이를 위하여 본 발명은 기판이 수용되는 챔버; 및 상기 챔버 내에 서로 마주보도록 배치되는 제1 플래시 램프 및 제2 플래시 램프;를 구비하고, 상기 기판의 상기 제1 플래시 램프와 마주보는 제1 면 및 상기 기판의 상기 제2 플래시 램프와 마주보는 제2 면 상에 각각 비정질 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 하는 결정화 장치를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method of the same are provided to improve the property of a device by forming a semiconductor layer with a silicon layer which is optimum to the each properties of driving and switching thin film transistor. CONSTITUTION: In an organic light emitting display device and a fabricating method of the same, a substrate(100) comprises a pixel and a circuit part. A first semiconductor layer(120) and a second semiconductor layer(125) are located in a pixel. A gate insulating layer(130) is formed over the substrate. Gate electrodes(140,141) are corresponded to the semiconductor layer and the second semiconductor layer respectively. Source / drain electrodes(160a,160b,161a,161b) are respectively connected to the semiconductor layer and the second semiconductor layer.
Abstract:
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 유기전계발광 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 소스 전극, 및 활성층 상에 소스 전극의 적어도 세 면을 둘러싸도록 형성된 드레인 전극을 포함한다. 저온 폴리 실리콘, 드레인 전극, 포화영역, 출력전류, 신뢰성
Abstract:
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성되며 제1 두께부와 상기 제1 두께부보다 얇은 제2 두께부를 포함하는 절연층 패턴과, 상기 절연층 패턴의 상기 제1 두께부 위에 뿌려진 금속 촉매, 그리고 상기 절연층 패턴 위에 형성되며 상기 제1 두께부 및 상기 제1 두께부 주변의 상기 제2 두께부에 대응하는 제1 결정 영역과 나머지 상기 제2 두께부에 대응하는 제2 결정 영역으로 구분된 다결정 반도체층을 포함한다. 그리고 상기 다결정 반도체층의 상기 제1 결정 영역은 상기 금속 촉매를 통해 결정화되고, 상기 다결정 반도체층의 상기 제2 결정 영역은 고상 결정화된다.
Abstract:
PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency and reduce a manufacturing process by forming a switching transistor and a driving transistor with high driving performance through one polycrystalline silicon layer forming process. CONSTITUTION: A pixel displays a preset image. A data driver applies a data signal to the pixel through a data line(D1). A scan driver applies a scan signal to the pixel through a scan line. A switching transistor includes a first gate electrode(112), a first semiconductor layer(122), and a first source/drain electrode(151,153). A driving transistor includes a second semiconductor(127), a second gate electrode(167), and a second source/drain electrode(156,158).
Abstract:
An organic light emitting diode (OLED) display device and a method of fabricating the same are disclosed. The OLED display device includes a plurality of scan lines, a plurality of data lines, and a plurality of pixels disposed in a region in which the scan lines cross the data lines, where each pixel of the plurality of pixels includes: a switching transistor including a first gate electrode, a first semiconductor layer disposed over the first gate electrode, a first gate insulating layer interposed between the first gate electrode and the first semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode, a driving transistor including a second semiconductor layer, a second gate electrode disposed over the second semiconductor layer, a second gate insulating layer interposed between the second gate electrode and the second semiconductor layer, a second source electrode and a second drain electrode, and an organic light emitting diode electrically connected with the second source and second drain electrodes of the driving transistor, where the first and second semiconductor layers are formed of the same material, and from the same processing.