레이저 조사 장치
    1.
    发明授权
    레이저 조사 장치 有权
    激光辐射装置

    公开(公告)号:KR101135537B1

    公开(公告)日:2012-04-13

    申请号:KR1020100069153

    申请日:2010-07-16

    CPC classification number: H01L21/268

    Abstract: A laser irradiation apparatus provides a laser beam along a scan direction to a semiconductor layer including a plurality of pixel areas. The laser irradiation apparatus includes at least one laser mask including a plurality of slit groups respectively facing portions of the plurality of pixel areas and a laser generator generating the laser beam that pass through the plurality of slit groups of the at least one laser mask.

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
    2.
    发明公开
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 有权
    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110132857A

    公开(公告)日:2011-12-09

    申请号:KR1020100052428

    申请日:2010-06-03

    Abstract: PURPOSE: An organic electro luminescence display device and a manufacturing method thereof are provided to offer a device having suitable property for a thin film transistor by respectively constituting a driving thin-film transistor using metallic catalyst and a switching thin film transistor using a solid phase crystallization method. CONSTITUTION: Gate electrodes(140,141) are arranged to be respectively corresponded to a first semiconductor layer(120) and a second semiconductor layer(121). A source/drain electrode is respectively connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. An insulating layer(170) is arranged through the front side of a substrate(100). A first electrode(180) is connected to the source/drain electrode of the first semiconductor layer. A buffer layer(110) corresponding to the source/drain region of the first semiconductor layer comprises metallic catalyst.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法,通过分别使用金属催化剂构成驱动薄膜晶体管和使用固相结晶的开关薄膜晶体管来提供具有适合于薄膜晶体管的特性的器件 方法。 构成:栅电极(140,141)分别对应于第一半导体层(120)和第二半导体层(121)。 源/漏电极分别连接到第一半导体层和第二半导体层。 绝缘层(170)穿过衬底(100)的前侧布置。 第一电极(180)连接到第一半导体层的源极/漏极。 对应于第一半导体层的源/漏区的缓冲层(110)包括金属催化剂。

    레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법
    3.
    发明授权
    레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법 有权
    激光结晶装置和激光结晶方法

    公开(公告)号:KR101035360B1

    公开(公告)日:2011-05-20

    申请号:KR1020100016336

    申请日:2010-02-23

    Abstract: PURPOSE: A laser crystallization device and a method thereof are provided to enable the crystallization of a thin film on a substrate since a laser beam is scanned on the substrate in a specific direction. CONSTITUTION: A laser beam irradiation unit(110) scans laser beam on a substrate in a specific direction. A stage(120) arranges the substrate. A fixing unit(130) is formed on the stage to correspond to one edge of the substrate. A driving unit(150) lifts one side of the stage so the area in which the fixing unit is placed is moved down. The substrate is moved by the gravity and is mounted in the fixing unit.

    Abstract translation: 目的:提供激光结晶装置及其方法,以使得能够在基板上沿特定方向扫描激光束,从而使基板上的薄膜结晶化。 构成:激光束照射单元(110)沿特定方向扫描基板上的激光束。 台架(120)布置基板。 固定单元(130)形成在台架上以对应于基板的一个边缘。 驱动单元(150)提升舞台的一侧,使得放置定影单元的区域向下移动。 基板由重力移动并安装在定影单元中。

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
    4.
    发明授权
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 有权
    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101094302B1

    公开(公告)日:2011-12-19

    申请号:KR1020100052428

    申请日:2010-06-03

    Abstract: 유기전계발광표시장치는, 제 1 박막트랜지스터 영역 및 제 2 박막트랜지스터 영역을 구비하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층에 각각 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 각각 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 상기 제 1 반도체층의 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극; 및 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 반도체층의 소스/드레인 영역에 대응하는 버퍼층은 금속촉매를 포함한다.

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
    6.
    发明授权
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 失效
    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101030031B1

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:KR1020100001724

    申请日:2010-01-08

    Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method of the same are provided to improve the property of a device by forming a semiconductor layer with a silicon layer which is optimum to the each properties of driving and switching thin film transistor. CONSTITUTION: In an organic light emitting display device and a fabricating method of the same, a substrate(100) comprises a pixel and a circuit part. A first semiconductor layer(120) and a second semiconductor layer(125) are located in a pixel. A gate insulating layer(130) is formed over the substrate. Gate electrodes(140,141) are corresponded to the semiconductor layer and the second semiconductor layer respectively. Source / drain electrodes(160a,160b,161a,161b) are respectively connected to the semiconductor layer and the second semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机发光显示装置及其制造方法,以通过形成对于驱动和切换薄膜晶体管的每个特性最佳的硅层的半导体层来改善器件的性能。 构成:在有机发光显示装置及其制造方法中,基板(100)包括像素和电路部分。 第一半导体层(120)和第二半导体层(125)位于像素中。 栅极绝缘层(130)形成在衬底上。 栅电极(140,141)分别对应于半导体层和第二半导体层。 源极/漏极(160a,160b,161a,161b)分别连接到半导体层和第二半导体层。

    유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
    8.
    发明授权
    유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101084242B1

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:KR1020100003515

    申请日:2010-01-14

    Abstract: 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성되며 제1 두께부와 상기 제1 두께부보다 얇은 제2 두께부를 포함하는 절연층 패턴과, 상기 절연층 패턴의 상기 제1 두께부 위에 뿌려진 금속 촉매, 그리고 상기 절연층 패턴 위에 형성되며 상기 제1 두께부 및 상기 제1 두께부 주변의 상기 제2 두께부에 대응하는 제1 결정 영역과 나머지 상기 제2 두께부에 대응하는 제2 결정 영역으로 구분된 다결정 반도체층을 포함한다. 그리고 상기 다결정 반도체층의 상기 제1 결정 영역은 상기 금속 촉매를 통해 결정화되고, 상기 다결정 반도체층의 상기 제2 결정 영역은 고상 결정화된다.

    Abstract translation: 在有机发光显示装置及其制造方法,根据本发明的一个实施方式的OLED显示器包括:基板主体和形成在所述基板主体部薄的第二厚度小于所述部分中的第一厚度部和所述第一厚度 金属催化剂,所述金属催化剂设置在所述绝缘层图案的所述第一厚度部分上并且形成在所述绝缘层图案上并且对应于围绕所述第一厚度部分的所述第一厚度部分和所述第二厚度部分; 并且将多晶半导体层划分为与剩余的第二厚度部分对应的第一晶体区域和第二晶体区域。 并且,多晶半导体层的第一结晶区域通过金属催化剂结晶化,多晶半导体层的第二结晶区域固相结晶化。

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
    9.
    发明公开
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 有权
    有机发光二极管显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110051470A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:KR1020090108062

    申请日:2009-11-10

    Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency and reduce a manufacturing process by forming a switching transistor and a driving transistor with high driving performance through one polycrystalline silicon layer forming process. CONSTITUTION: A pixel displays a preset image. A data driver applies a data signal to the pixel through a data line(D1). A scan driver applies a scan signal to the pixel through a scan line. A switching transistor includes a first gate electrode(112), a first semiconductor layer(122), and a first source/drain electrode(151,153). A driving transistor includes a second semiconductor(127), a second gate electrode(167), and a second source/drain electrode(156,158).

    Abstract translation: 目的:提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法,以通过一个多晶硅层形成工艺形成具有高驱动性能的开关晶体管和驱动晶体管来提高发光效率并减少制造工艺。 构成:像素显示预设图像。 数据驱动器通过数据线(D1)将数据信号施加到像素。 扫描驱动器通过扫描线将扫描信号施加到像素。 开关晶体管包括第一栅电极(112),第一半导体层(122)和第一源/漏电极(151,153)。 驱动晶体管包括第二半导体(127),第二栅极电极(167)和第二源/漏电极(156,158)。

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
    10.
    发明授权
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 有权
    有机发光二极管显示装置及其制作方法

    公开(公告)号:KR101094280B1

    公开(公告)日:2011-12-19

    申请号:KR1020090108062

    申请日:2009-11-10

    Abstract: An organic light emitting diode (OLED) display device and a method of fabricating the same are disclosed. The OLED display device includes a plurality of scan lines, a plurality of data lines, and a plurality of pixels disposed in a region in which the scan lines cross the data lines, where each pixel of the plurality of pixels includes: a switching transistor including a first gate electrode, a first semiconductor layer disposed over the first gate electrode, a first gate insulating layer interposed between the first gate electrode and the first semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode, a driving transistor including a second semiconductor layer, a second gate electrode disposed over the second semiconductor layer, a second gate insulating layer interposed between the second gate electrode and the second semiconductor layer, a second source electrode and a second drain electrode, and an organic light emitting diode electrically connected with the second source and second drain electrodes of the driving transistor, where the first and second semiconductor layers are formed of the same material, and from the same processing.

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