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公开(公告)号：KR1020110083337A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100003515
申请日：2010-01-14
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02595 , H01L21/8234 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L2227/323 , H01L21/2022 , H01L21/2033 , H05B33/10
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof are provided to precisely control the growth of a first crystallization area by an inclination thickness part of an insulating layer pattern, thereby effectively crystallizing a part of a crystallization semiconductor layer used in one thin film transistor. CONSTITUTION: An insulating layer pattern(120) is formed on a substrate body(111). The insulating layer pattern includes a first thickness part(121) and a second thickness part(122) thinner than the first thickness part. A polycrystalline semiconductor layer(130) is formed on the insulating layer pattern. The polycrystalline semiconductor layer is classified into a first crystallization area(131) and the second crystallization area(132). The second crystallization area is crystallized into a solid phase.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管显示装置及其制造方法，以通过绝缘层图案的倾斜厚度部分精确地控制第一结晶区域的生长，从而有效地结晶一个结晶半导体层的一部分 薄膜晶体管。 构成：在基板主体（111）上形成绝缘层图案（120）。 绝缘层图案包括比第一厚度部分薄的第一厚度部分（121）和第二厚度部分（122）。 在绝缘层图案上形成多晶半导体层（130）。 多晶半导体层分为第一结晶区域（131）和第二结晶区域（132）。 第二结晶区域结晶成固相。
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公开(公告)号：KR101094302B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020100052428
申请日：2010-06-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1218 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262
Abstract: 유기전계발광표시장치는, 제 1 박막트랜지스터 영역 및 제 2 박막트랜지스터 영역을 구비하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층에 각각 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 각각 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 상기 제 1 반도체층의 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극; 및 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 반도체층의 소스/드레인 영역에 대응하는 버퍼층은 금속촉매를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101030031B1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020100001724
申请日：2010-01-08
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L21/2022 , H01L21/2033 , H05B33/10
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method of the same are provided to improve the property of a device by forming a semiconductor layer with a silicon layer which is optimum to the each properties of driving and switching thin film transistor. CONSTITUTION: In an organic light emitting display device and a fabricating method of the same, a substrate(100) comprises a pixel and a circuit part. A first semiconductor layer(120) and a second semiconductor layer(125) are located in a pixel. A gate insulating layer(130) is formed over the substrate. Gate electrodes(140,141) are corresponded to the semiconductor layer and the second semiconductor layer respectively. Source / drain electrodes(160a,160b,161a,161b) are respectively connected to the semiconductor layer and the second semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过形成对于驱动和切换薄膜晶体管的每个特性最佳的硅层的半导体层来改善器件的性能。 构成：在有机发光显示装置及其制造方法中，基板（100）包括像素和电路部分。 第一半导体层（120）和第二半导体层（125）位于像素中。 栅极绝缘层（130）形成在衬底上。 栅电极（140,141）分别对应于半导体层和第二半导体层。 源极/漏极（160a，160b，161a，161b）分别连接到半导体层和第二半导体层。
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公开(公告)号：KR101094280B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020090108062
申请日：2009-11-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: An organic light emitting diode (OLED) display device and a method of fabricating the same are disclosed. The OLED display device includes a plurality of scan lines, a plurality of data lines, and a plurality of pixels disposed in a region in which the scan lines cross the data lines, where each pixel of the plurality of pixels includes: a switching transistor including a first gate electrode, a first semiconductor layer disposed over the first gate electrode, a first gate insulating layer interposed between the first gate electrode and the first semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode, a driving transistor including a second semiconductor layer, a second gate electrode disposed over the second semiconductor layer, a second gate insulating layer interposed between the second gate electrode and the second semiconductor layer, a second source electrode and a second drain electrode, and an organic light emitting diode electrically connected with the second source and second drain electrodes of the driving transistor, where the first and second semiconductor layers are formed of the same material, and from the same processing.
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公开(公告)号：KR1020110045625A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020090102278
申请日：2009-10-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L21/32055 , H01L29/45
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and an organic light emitting display device with the same are provided to form a protective layer on an active layer to prevent an electrical property change due to damage or contamination of the active layer, thereby obtaining a stable threshold voltage property. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate. A gate insulating layer with the gate electrode is formed on the substrate. An active layer is formed on the gate insulating layer. A source electrode(20a) is formed on the active layer. A drain electrode(20b) surrounds at least three sides of the source electrode on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其有机发光显示装置，以在有源层上形成保护层，以防止由于有源层的损坏或污染引起的电特性变化，从而获得稳定的阈值电压特性 。 构成：在基板上形成栅电极（12）。 在基板上形成具有栅电极的栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成有源层。 源极电极（20a）形成在有源层上。 漏电极（20b）围绕有源层上的源电极的至少三个侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101101034B1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020090102278
申请日：2009-10-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L29/41733
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 유기전계발광 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 소스 전극, 및 활성층 상에 소스 전극의 적어도 세 면을 둘러싸도록 형성된 드레인 전극을 포함한다.
저온 폴리 실리콘, 드레인 전극, 포화영역, 출력전류, 신뢰성-
公开(公告)号：KR101084242B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100003515
申请日：2010-01-14
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02595 , H01L21/8234 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성되며 제1 두께부와 상기 제1 두께부보다 얇은 제2 두께부를 포함하는 절연층 패턴과, 상기 절연층 패턴의 상기 제1 두께부 위에 뿌려진 금속 촉매, 그리고 상기 절연층 패턴 위에 형성되며 상기 제1 두께부 및 상기 제1 두께부 주변의 상기 제2 두께부에 대응하는 제1 결정 영역과 나머지 상기 제2 두께부에 대응하는 제2 결정 영역으로 구분된 다결정 반도체층을 포함한다. 그리고 상기 다결정 반도체층의 상기 제1 결정 영역은 상기 금속 촉매를 통해 결정화되고, 상기 다결정 반도체층의 상기 제2 결정 영역은 고상 결정화된다.
Abstract translation: 在有机发光显示装置及其制造方法，根据本发明的一个实施方式的OLED显示器包括：基板主体和形成在所述基板主体部薄的第二厚度小于所述部分中的第一厚度部和所述第一厚度 金属催化剂，所述金属催化剂设置在所述绝缘层图案的所述第一厚度部分上并且形成在所述绝缘层图案上并且对应于围绕所述第一厚度部分的所述第一厚度部分和所述第二厚度部分; 并且将多晶半导体层划分为与剩余的第二厚度部分对应的第一晶体区域和第二晶体区域。 并且，多晶半导体层的第一结晶区域通过金属催化剂结晶化，多晶半导体层的第二结晶区域固相结晶化。
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公开(公告)号：KR1020110053041A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020090109837
申请日：2009-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L21/02304 , H01L21/32051
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, an organic electroluminescent display device including the same and manufacturing methods thereof are provided to improve the property of a semiconductor layer by controlling metal silicide due to metal catalyst. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes one or more channel regions and a source/drain region on a buffer layer. A gate insulation layer is located on the substrate. A gate electrode(150) is located on the gate insulation layer. An interlayer insulation layer(160) is located on the substrate. Source and drain electrodes(170a,170b) are located on the interlayer insulation layer and are electrically connected to the semiconductor layer. A polycrystalline silicon layer of the channel region of the semiconductor layer includes only the low angle grain boundary. A high angle grain boundary is located on the region except the channel region of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，包括该薄膜晶体管的有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过控制由于金属催化剂引起的金属硅化物来改善半导体层的性能。 构成：半导体层包括缓冲层上的一个或多个沟道区和源极/漏极区。 栅极绝缘层位于衬底上。 栅电极（150）位于栅极绝缘层上。 层间绝缘层（160）位于基板上。 源电极和漏电极（170a，170b）位于层间绝缘层上并与半导体层电连接。 半导体层的沟道区域的多晶硅层仅包含低角度晶界。 高角度晶界位于半导体层的沟道区域以外的区域。
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公开(公告)号：KR1020110051470A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090108062
申请日：2009-11-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L2227/323 , H01L27/1259
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency and reduce a manufacturing process by forming a switching transistor and a driving transistor with high driving performance through one polycrystalline silicon layer forming process. CONSTITUTION: A pixel displays a preset image. A data driver applies a data signal to the pixel through a data line(D1). A scan driver applies a scan signal to the pixel through a scan line. A switching transistor includes a first gate electrode(112), a first semiconductor layer(122), and a first source/drain electrode(151,153). A driving transistor includes a second semiconductor(127), a second gate electrode(167), and a second source/drain electrode(156,158).
Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过一个多晶硅层形成工艺形成具有高驱动性能的开关晶体管和驱动晶体管来提高发光效率并减少制造工艺。 构成：像素显示预设图像。 数据驱动器通过数据线（D1）将数据信号施加到像素。 扫描驱动器通过扫描线将扫描信号施加到像素。 开关晶体管包括第一栅电极（112），第一半导体层（122）和第一源/漏电极（151,153）。 驱动晶体管包括第二半导体（127），第二栅极电极（167）和第二源/漏电极（156,158）。
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公开(公告)号：KR101125565B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020090109837
申请日：2009-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 소스/드레인 영역 및 하나 또는 다수개의 채널영역을 구비하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 채널영역의 다결정 실리콘층은 저각결정립경계(low angle grain boundary)만을 포함하며, 고각결정립경계(high angle grain boundry)는 상기 반도체층의 채널영역 이외의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
그리고, 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상의 일부에 보호층 패턴을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층이 형성된 기판을 열처리하여 상기 보호층패턴의 에지에 금속 실리사이드를 라인형태로 형성한 후, 상기 금속실리사이드를 시드로 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하고, 상기 보호층 패턴을 제거하고, 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 위치하 는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘층, 금속촉매
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