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公开(公告)号：KR1020100016969A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020080076643
申请日：2008-08-05
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: G02B26/0858 , B81B2201/042 , G02B26/001 , G02B26/02 , G09G3/3493
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing optical modulator array is provided to change cross section area of piezoelectric driving body and correct gap height of the upper and lower optical reflection layers. CONSTITUTION: A structure layer is formed in ribbon shape and is separately positioned to have space with a substrate(110) at the center. The structure layer is attached on the substrate and forms array. A piezoelectric driving body is laminated on the structure layer corresponding to plural structure layers. The piezoelectric driving body comprises a piezoelectric layer. The upper optical reflection layer is laminated at the center of the structure layer. The upper optical reflection layer reflects incident light. A lower optical reflection layer is laminate on the substrate and reflects incident light.
Abstract translation: 目的：提供一种制造光调制器阵列的方法，以改变压电驱动体的横截面面积，并校正上，下光反射层的间隙高度。 结构：结构层形成为带状，并且分开地定位成具有在中心的基底（110）的空间。 结构层附着在基片上并形成阵列。 在与多个结构层对应的结构层上层压压电驱动体。 压电驱动体包括压电层。 上部光反射层层压在结构层的中心。 上部光反射层反射入射光。 下部光反射层层叠在基板上并反射入射光。
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公开(公告)号：KR100795012B1
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：KR1020050106130
申请日：2005-11-07
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 경제홍
IPC: H01L31/14
Abstract: 본 발명은 기판; 기판 상에 위치하는 절연층; 중앙 부분이 절연층과의 사이에서 구동 공간을 확보할 수 있도록 소정의 간격으로 이격되어 위치하며 구동 공간을 통하여 상하로 움직일 수 있는 구조물층; 구조물층 상에 위치하는 하부 전극; 하부 전극 상에 위치하고, 소정의 전압에 상응하여 수축 및 팽창을 하여 구조물층의 중앙 부분이 상하로 움직일 수 있도록 구동력을 발생시키는 압전층; 및 압전층 상에 위치하고, 하부 전극 간에 압전층에 형성되는 소정의 전압을 인가하는 상부 전극을 포함하되, 하부 전극 또는 상부 전극은 층별로 상이한 결정 분포를 갖는 복수의 층으로 구성되는 멤스 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 결정 분포가 상이한 복수의 층을 적층하는 방식의 전극 성막 공정을 통해 후속하는 고온의 소자 제조 공정에도 스트레스(stress) 등에 의한 특성 열화가 작은 전극 막을 형성할 수 있고, 이를 통해 멤스 구조물 전체의 특성 열화를 방지하고, 그 신뢰성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
멤스 구조물, 압전 구동체, 하부 전극, 결정 분포.-
公开(公告)号：KR102198535B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020180149571
申请日：2018-11-28
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본발명의일 실시형태에따른체적음향공진기는기판과, 상기기판상에배치되며육방정계의결정구조를갖는시드층과, 상기시드층상에배치되는하부전극과, 적어도일부가상기하부전극상에배치되는압전체층및 상기압전체층상에배치되는상부전극을포함하며, 상기하부전극과상기상부전극중 적어도하나는스칸듐(Sc)을함유하는알루미늄합금층을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170029232A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150126292
申请日：2015-09-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L41/09 , H01L41/02 , H01L41/187 , H01L41/047
CPC classification number: H03H9/19 , H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02157 , H03H2003/022
Abstract: 본개시의일 실시형태에의하면여진부및 상기여진부보다얇은두께의주변부를포함하는진동기판및 상기여진부의두께방향일면및 타면에배치되는여진전극을포함하며, 수정결정의 X축방향으로측정한상기진동기판의전체길이를 L1, 수정결정의 X축방향으로측정한상기여진부의길이를 L2, 상기여진부의두께를 T1, 상기여진부와상기주변부의단차높이를 T2, H = 100×(T2/T1), X는 X = T2/(L1-L2)로정의할때, H = 400.59×X + 1.75 ± 1.5를만족하는압전진동편을제공한다.
Abstract translation: 压电振荡器及其制造方法包括振荡基板，其包括振荡部和周围部，其中周围部比振荡部更薄，振荡电极设置在振荡部的上表面和下表面 摆动部分。 振荡基板根据H = 400.59×X + 1.75±1.5配置，其中H = 100×（T2 / T1）和S = T2 /（L1-L2），其中L1表示振荡基板的整个长度，L2 表示振荡部的长度，T1表示振动部的厚度，T2表示振动部与周围部之间的台阶高度。
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公开(公告)号：KR1020150093565A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020140065315
申请日：2014-05-29
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03H9/19
Abstract: 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 수정진동자는 X축 방향의 장변을 갖고, Y'축 방향에 대한 적어도 일측면에 제1 결정면 및 제2 결정면이 형성된 AT-커트 수정자편과, 상기 AT-커트 수정자편에 형성된 전극층을 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个所需实施例的石英振动器包括：一个AT切割的石英片，其具有X轴方向的长边，第一晶体表面和第二晶体表面在至少一侧相对于Y' 以及形成在AT切割石英片上的电极层。 本发明增加了能量捕获效应。
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公开(公告)号：KR1020150062557A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：KR1020130147342
申请日：2013-11-29
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H05K3/022 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K2201/0137 , H05K2201/032 , H05K2201/0338 , Y10T428/12569
Abstract: 본발명은아몰펄스합금막의형성방법및 그형성방법에의한프린트배선판에관한것이다. 동박의방청처리방법의하나로동박위에아몰펄스합금막을형성함으로써내식성과통전성을동시에발휘하고개선하며, 스퍼터링증착방법에의해아몰펄스합금막을형성함으로써비교적저온에서고융점의물질을박막화하고기판과부착력이강한막을얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由此形成非晶合金膜和印刷线路板的方法。 通过在铜箔上形成非晶合金膜作为防锈处理，同时提高了耐腐蚀性和电导率。 通过使用溅射沉积方法，非晶合金膜由相对较低温度下具有高熔点的材料形成，并且可以形成非晶态合金膜和基板之间的强粘接。
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公开(公告)号：KR1020040087676A
公开(公告)日：2004-10-15
申请号：KR1020030021705
申请日：2003-04-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03H9/56
CPC classification number: H03H9/562 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: PURPOSE: A FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) device and a fabricating method thereof are provided to improve an electrode layer characteristic by forming an Au seed layer or a Ti seed layer and forming a Mo lower electrode layer thereon. CONSTITUTION: A FBAR device includes a substrate structure, a seed layer, and an acoustic resonance part. The seed layer(39) is formed on an upper face of the substrate structure(30). The seed layer is formed with one of Au and Ti. The acoustic resonance part includes a lower electrode layer(42) formed on the seed layer, a piezoelectric layer(44) formed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer(46) formed on the piezoelectric layer. The piezoelectric layer is formed with aluminum nitride.
Abstract translation: 目的：提供一种FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）装置及其制造方法，通过形成Au籽晶层或Ti种子层并在其上形成Mo下电极层来改善电极层的特性。 构成：FBAR器件包括衬底结构，种子层和声共振部分。 种子层（39）形成在基板结构（30）的上表面上。 种子层由Au和Ti之一形成。 声共振部分包括形成在种子层上的下电极层（42），形成在下电极层上的压电层（44）和形成在压电层上的上电极层（46）。 压电层由氮化铝形成。
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