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公开(公告)号：KR1020070038272A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093409
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 칩 분리 공정이 용이한 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법은, 복수의 소자 영역과 적어도 하나의 소자 분리 영역을 갖는 성장용 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차 배치된 발광 구조물을 형성하는 단계와; 상기 발광 구조물 상에 p측 전극을 형성하는 단계와; 상기 복수의 소자 영역을 연결하도록 상기 p측 전극 상에 제1 도금층을 형성하는 단계와; 상기 소자 영역의 상기 제1 도금층 상에 제2 도금층의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 성장용 기판을 제거하고, 상기 n형 클래드층 상에 n측 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
LED, 발광 소자, 수직구조-
公开(公告)号：KR1020100042908A
公开(公告)日：2010-04-27
申请号：KR1020080102118
申请日：2008-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: B81C1/00015 , B81B7/02 , B81B2201/04 , G02B26/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an optical modulation device is provided to form a uniform interface by preventing etching of an upper insulating layer after protecting the upper insulating layer with a mask layer when the protective layer is wet-etched. CONSTITUTION: A manufacturing method of an optical modulation device includes the following steps: forming an insulating layer(120) on a substrate(110); forming a sacrificial layer(130) on the insulating layer; forming a structural layer(140) on the sacrificial layer; forming a protective layer(150) on the structural layer; forming a piezoelectric driving body on the both ends of the structural layer; laminating the upper insulating layer on the structural layer; etching the upper insulating layer with a first mask layer; forming a second mask layer; and etching the protective layer after patterning the second mask layer.
Abstract translation: 目的：提供一种光调制装置的制造方法，以在保护层被湿蚀刻时，通过防止上绝缘层与掩模层之间的上保护层的蚀刻来形成均匀的界面。 构成：光调制装置的制造方法包括以下步骤：在基板（110）上形成绝缘层（120）; 在绝缘层上形成牺牲层（130）; 在牺牲层上形成结构层（140）; 在所述结构层上形成保护层（150）; 在结构层的两端形成压电驱动体; 在结构层上层叠上绝缘层; 用第一掩模层蚀刻上绝缘层; 形成第二掩模层; 并且在图案化第二掩模层之后蚀刻保护层。
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公开(公告)号：KR100691363B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050088894
申请日：2005-09-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: A method for fabricating an LED of a vertical structure is provided to control an increase of fabricating cost and an interval of process time of a dicing process or a scribing process by easily performing a chip separation process by etching of a glass substrate without using an additional dicing process or scribing process. A light emitting structure(115) is formed in which an n-type clad layer(115a), an active layer(115b) and a p-type clad layer(115c) are sequentially disposed on a growth substrate(101) having a plurality of device regions and at least one isolation region. A trench is formed in the light emitting structure in the device region to separate the light emitting structure into individual device regions. A p-side electrode(106) is formed on the light emitting structure. A glass substrate(110) having a processed through hole is formed on the p-side electrode so that the through hole can be positioned on the p-side electrode of the device region. A metal material is plated in the through hole to form a pattern of a plating layer on the p-side electrode in the device region. The growth substrate is removed, and an n-side electrode is formed on the n-type clad layer. The glass substrate is removed.
Abstract translation: 提供了一种用于制造垂直结构的LED的方法，以通过容易地执行通过蚀刻玻璃基板而不使用额外的玻璃基板的芯片分离工艺来控制切割工艺或划线工艺的制造成本和处理时间的间隔 切割过程或划线过程。 形成发光结构（115），其中n型覆层（115a），有源层（115b）和p型覆层（115c）顺序地设置在具有多个 器件区域和至少一个隔离区域。 沟槽形成在器件区域中的发光结构中以将发光结构分成单独的器件区域。 在发光结构上形成p侧电极（106）。 具有加工过的通孔的玻璃基板（110）形成在p侧电极上，使得通孔可以位于器件区域的p侧电极上。 将金属材料镀在通孔中以在器件区域中的p侧电极上形成镀层的图案。 去除生长衬底，并在n型覆盖层上形成n侧电极。 玻璃基板被移除。
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公开(公告)号：KR100593939B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020050033178
申请日：2005-04-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 광추출효율이 개선된 고휘도 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로서, p형 질화물 반도체층 및 n형 질화물 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층을 포함하는 질화물 발광소자에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광소자의 적어도 일 면에 형성되어 그 면의 표면적을 증가시키기 위한 요철패턴과, 상기 요철 표면에 형성되어 광을 산란시키기 위한 다수의 돌기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은 건식식각공정과 습식식각공정을 적절히 결합함으로써 광추출효과가 크게 개선된 광산란면을 제공할 수 있다.
발광다이오드(light emitting diode), 광추출효율(light extraction efficiency), 건식식각(dry etching), 습식식각(wet etching)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，包括：p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层以及它们之间的有源层形成相关的高亮度的氮化物半导体发光器件和用于方法的光提取效率生产的提高，与氮化物半导体 在发光器件的至少一个表面上形成的不平坦图案以增加发光器件的表面的表面积;以及形成在不平坦表面上用于散射光的多个突起。
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公开(公告)号：KR100588378B1
公开(公告)日：2006-06-09
申请号：KR1020050021731
申请日：2005-03-16
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 구조지지층이 형성된 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 위에 패턴이 형성된 유리기판을 부착한 후 레이저 리프트 오프(LLO) 공정과 N형 전극 형성공정 및 소자분리(ISO) 공정을 진행한 다음 웨이퍼에 손상을 주지않고 상기 유리기판을 제거한 후 열처리 공정 및 칩(Chip) 형성 공정을 진행함으로써, Fab 공정시 실리콘 기판이 깨어진다거나 상기 구조지지층이 휘어지는 현상을 방지할 수 있고 또한 소자분리 공정을 용이하게 실시할 수 있기 때문에 Fab 공정의 가공성 및 수율을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.
이를 위한 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드의 제조방법은 구조지지층이 형성된 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물(A)을 제공하는 단계; 상기 구조지지층 상에 소정의 패턴이 형성된 보조기판을 접착성 물질을 사용하여 소정의 온도에서 고착하는 단계; 상기 보조기판을 부착한 상태에서 Fab 공정을 진행하는 단계; 및 상기 Fab 공정을 진행한 후 상기 보조기판을 제거한 다음 공지의 열처리 및 칩 형성공정을 진행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
청색 발광다이오드, 질화갈륨, LED, 구조지지층, Fab 공정Abstract translation: 本发明涉及一种制造垂直结构氮化镓（GaN）发光二极管的方法，其包括将图案化的玻璃基板附着在其上形成有结构支撑层的氮化镓（GaN）LED结构上， 在进行N型电极形成工艺和器件隔离（ISO）工艺之后，移除玻璃基板而不损坏晶片，然后进行热处理工艺和芯片形成工艺。 可以防止结构支撑层弯曲，并且可以容易地执行元件分离工艺，从而提高Fab工艺的可加工性和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100714589B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050093409
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 칩 분리 공정이 용이한 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법은, 복수의 소자 영역과 적어도 하나의 소자 분리 영역을 갖는 성장용 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차 배치된 발광 구조물을 형성하는 단계와; 상기 발광 구조물 상에 p측 전극을 형성하는 단계와; 상기 복수의 소자 영역을 연결하도록 상기 p측 전극 상에 제1 도금층을 형성하는 단계와; 상기 소자 영역의 상기 제1 도금층 상에 제2 도금층의 패턴을 형성하는 단계와; 상기 성장용 기판을 제거하고, 상기 n형 클래드층 상에 n측 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
LED, 발광 소자, 수직구조-
公开(公告)号：KR100691186B1
公开(公告)日：2007-03-09
申请号：KR1020050062508
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 칩 분리 공정이 용이한 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법은, 복수의 소자 영역과 적어도 하나의 소자 분리 영역을 갖는 성장용 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차 배치된 발광 구조물을 형성하는 단계와; 상기 발광 구조물 상에 p측 전극을 형성하는 단계와; 각각의 상기 소자 영역의 상기 p측 전극 상에 제1 도금층의 패턴을 선택적으로 형성하는 단계와; 상기 제1 도금층의 상면을 포함한 전면 상에 제2 도금층을 형성하는 단계와; 상기 성장용 기판을 제거하고, 상기 n형 클래드층 상에 n측 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
LED, 발광 소자, 수직구조Abstract translation: 提供了一种制造便于芯片分离的垂直构造的发光二极管的方法。 一种制造垂直腔光根据本发明的发光二极管的方法，包括：对于具有一个器件隔离区形成在生长衬底上的多个器件区的和至少一个n型包覆层，有源层和p型包覆层被依次配置的发光结构 ＆lt; 在发光结构上形成p侧电极; 在每个器件区域的p侧电极上选择性地形成第一镀层的图案; 在包括第一镀层的上表面的前表面上形成第二镀层; 去除生长衬底，并在n型包层上形成n侧电极。
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公开(公告)号：KR1020070008759A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050062508
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/78 , H01L33/0008 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: A method for fabricating an LED with a vertical structure is provided to prevent fabricating cost and a time interval from being increased by a dicing process and a scribing process by facilitating a chip separation process by wet-etching or breaking of a second plating layer. A light emitting structure(115) in which an n-type clad layer(115a), an active layer(115b) and a p-type clad layer(115c) are sequentially disposed is formed on a growth substrate having a plurality of device regions and at least one isolation region. A trench is formed in the light emitting structure in the isolation region to separate the light emitting structure into independent device regions. A p-side electrode(106) is formed on the light emitting structure. A first plating layer pattern is formed on the p-side electrode in the device region. A second plating layer is formed on the resultant structure. The growth substrate is eliminated, and an n-side electrode(119) is formed on the n-type clad layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造具有垂直结构的LED的方法，以通过促进通过湿式蚀刻或破坏第二镀层的芯片分离工艺来防止制造成本和通过切割工艺和划线工艺增加的时间间隔。 在具有多个器件区域的生长衬底上形成依次配置n型覆盖层（115a），有源层（115b）和p型覆盖层（115c）的发光结构（115） 和至少一个隔离区域。 在隔离区域中的发光结构中形成沟槽，以将发光结构分离成独立的器件区域。 在发光结构上形成p侧电极（106）。 在器件区域中的p侧电极上形成第一镀层图案。 在所得结构上形成第二镀层。 消除生长衬底，在n型覆盖层上形成n侧电极（119）。
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公开(公告)号：KR100632006B1
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050089612
申请日：2005-09-27
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A light emitting package is provided to reduce electrical resistance and to improve heat dissipation property by forming conductive via holes on a sub-mount substrate. The LED package comprises a sub-mount substrate(31), a plurality of conductive via holes and an LED. A first conductive pad is formed on an upper plane of the sub-mount substrate. A second conductive pad(32b) is formed on a lower plane of the sub-mount substrate. The via holes(33) are formed through the sub-mount substrate to connect to the first and the second conductive pads. The LED(35) is installed on the sub-mount substrate.
Abstract translation: 提供发光封装以通过在子安装基板上形成导电通孔来降低电阻并改善散热性能。 该LED封装包括一个子安装基板（31），多个导电通孔和LED。 第一导电焊盘形成在子安装基板的上平面上。 第二导电垫（32b）形成在子安装基板的下平面上。 通孔（33）穿过子安装基板形成以连接到第一和第二导电焊盘。 LED（35）安装在底座基板上。
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公开(公告)号：KR100631416B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050106855
申请日：2005-11-09
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a vertically structured GaN LED is provided to prevent crack of a semiconductor layer by using an adhesive layer made of photoresist instead of a conventional metal and by using a wet-etching process instead of a dicing or scriber process. A light emitting structure(120) including an n-type GaN semiconductor layer(121), an active layer(122) and a p-type GaN semiconductor layer(123) is formed on a transparent substrate. A plurality of p-type electrodes(150) spaced apart from each other are formed on the light emitting structure. A unit LED is formed by dicing the light emitting structure. A plated seed layer is formed on the p-type electrode. A silicon substrate(190) having a hole to expose the plated seed layer is formed on the resultant structure. An electroplating layer(210) is then formed without covering the surface of the silicon substrate. The n-type GaN semiconductor layer is exposed by removing the transparent substrate. N-type electrodes(180) are formed on the exposed n-type GaN semiconductor layer, respectively. The silicon substrate is then removed by a wet-etching process.
Abstract translation: 提供一种用于制造垂直构造的GaN LED的方法，以通过使用由光致抗蚀剂制成的粘合剂层而不是常规金属并且通过使用湿法蚀刻处理而不是切割或划线处理来防止半导体层的破裂。 包括n型GaN半导体层（121），有源层（122）和p型GaN半导体层（123）的发光结构（120）形成在透明基板上。 在发光结构上形成彼此间隔开的多个p型电极（150）。 单元LED通过切割发光结构而形成。 在p型电极上形成电镀籽晶层。 在所得到的结构上形成具有用于暴露镀敷晶种层的孔的硅衬底（190）。 然后形成电镀层（210）而不覆盖硅衬底的表面。 通过去除透明衬底来暴露n型GaN半导体层。 N型电极（180）分别形成在暴露的n型GaN半导体层上。 然后通过湿蚀刻工艺去除硅衬底。
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