-
公开(公告)号：KR1020070110688A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020060043477
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: A semiconductor light emitting device having a multi pattern structure is provided to improve extraction efficiency of the light generated from a light emitting layer in a light emitting device by forming a light emitting layer with a light emitting layer on a substrate having a multi pattern structure in which a second pattern is formed on the surface of a first pattern. A semiconductor light emitting device includes a substrate(31), a semiconductor layer(34) formed on the substrate, an active layer(35) and an electrode layer(37,38). A first pattern having an uneven structure is formed between the substrate and the semiconductor layer. A second pattern having an uneven structure is formed on the uneven structure of the first pattern. The second pattern can be formed between the uneven structures of the first pattern. The uneven structure can include at least one of an angled unevenness and a curved unevenness.
Abstract translation: 提供具有多图案结构的半导体发光器件，以通过在具有多图案结构的衬底上形成具有发光层的发光层来提高由发光器件中的发光层产生的光的提取效率 在第一图案的表面上形成第二图案。 半导体发光器件包括衬底（31），形成在衬底上的半导体层（34），有源层（35）和电极层（37,38）。 在衬底和半导体层之间形成具有不均匀结构的第一图案。 在第一图案的不平坦结构上形成具有不均匀结构的第二图案。 可以在第一图案的不均匀结构之间形成第二图案。 不均匀结构可以包括成角度的凹凸和弯曲的凹凸中的至少一个。
-
公开(公告)号：KR100780233B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060043477
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 본 발명은 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 활성층 및 전극층을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 요철 구조로 형성된 제 1패턴; 및 상기 제 1패턴의 요철 구조 상에 형성된 요철 구조의 제 2패턴;을 포함하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자를 제공하여 광 추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020080080252A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020070025518
申请日：2007-03-15
Applicant: 주식회사 케이티 , 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: A method and a system for providing a selective anonymous certificate service are provided to satisfy both of privacy protection and authentication by applying anonymous authentication, and trace an owner of an anonymous certificate or determine whether the owners of two anonymous certificates are identical if necessary. A user computer(102) provides user information to receive a certificate, stores and receives the certificate issued from an issuer server(101). In addition, the user computer provides the stored certificate to an SP(Service Provider) server(103). The issuer server issues and provides the certificate to the user computer based on the user information. The SP server authenticates a user based on the user information and the certificate received from the user computer, and provides a service to the user on the Internet depending on an authentication result. A system manager server(104) generates/opens a system parameter for generating private and public keys used for issuing the certificate, verifying validity of the certificate, and authenticating the user by the user computer, the SP server, and the issuer server.
Abstract translation: 提供一种用于提供选择性匿名证书服务的方法和系统，以通过应用匿名认证来满足隐私保护和认证两者，并追踪匿名证书的所有者，或者确定两个匿名证书的所有者是否必要时是相同的。 用户计算机（102）提供接收证书的用户信息，存储和接收从发行者服务器（101）发出的证书。 此外，用户计算机将存储的证书提供给SP（服务提供商）服务器（103）。 颁发者服务器根据用户信息向用户计算机发出证书并提供证书。 SP服务器根据从用户计算机接收到的用户信息和证书来认证用户，并根据认证结果向因特网上的用户提供服务。 系统管理服务器（104）生成/打开用于生成用于发行证书的私钥和公钥的系统参数，验证证书的有效性，以及由用户计算机，SP服务器和发行者服务器认证用户。
-
公开(公告)号：KR100857991B1
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：KR1020070025518
申请日：2007-03-15
Applicant: 주식회사 케이티 , 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 선택적 익명 인증서 서비스 제공방법 및 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 익명성을 가지면서도 서비스의 필요에 따라 추적성 및 연결성이 선택적으로 적용 가능한 인증서를 발급받고 사용할 수 있게 해 주는, 선택적 익명 인증서 서비스 제공방법 및 시스템에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 익명 인증 기술을 도입함으로써 개인 정보 보호와 인증이라는 두 가지 요구 조건을 모두 만족 시킬 수 있으며, 서비스의 필요에 따라 선택적으로, 소유자의 추적 또는 두 익명 인증서의 소유자가 같은지 여부를 판단하는 것도 가능하게 해 준다.
또한 본 발명에 의하면, 익명 인증서에 다수의 신용정보에 대한 인증항목들을 포함하고, 이들 중, 서비스에 따라 필요한 항목만을 증명하고 나머지는 감출 수 있는 부분은닉이 가능한 인증 스킴을 제공함으로써, 서비스마다 인증서를 발급받을 필요없이, 하나의 인증서에 의해 다양한 서비스에의 접근이 가능하게 해 준다.
익명 인증서, 추적성, 연결성, 선택적, 부분은닉-
公开(公告)号：KR100891810B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020070112701
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: A white light emitting diode is provided to improve the efficiency of the white luminescence by preventing the resorption of the light generated from the molding unit of the other region of the fluorescent substance. A white light emitting diode(100) comprises a package body(110), two or more LED chips(121,122), and the first and second molding units(141,142), and a mold lens part(150). The package body is made of the printed circuit board. The LED chip is mounted on the space of the package body and radiates the excitation light. The first and second molding units mold each LED chip by including the fluorescent substance in each LED chip region. A reflecting layer(111) is formed along the floor side of the space of the package body. The reflecting layer reflects the excitation light and the wavelength converter light. A reflective film(145) of the highly reflective metal material is built up at the boundary of the first and second molding units.
Abstract translation: 提供白色发光二极管以通过防止从荧光物质的另一区域的成型单元产生的光的吸收来提高白色发光的效率。 白色发光二极管（100）包括封装主体（110），两个或更多个LED芯片（121,122）以及第一和第二模制单元（141,142）和模具透镜部件（150）。 封装体由印刷电路板制成。 LED芯片安装在封装体的空间上并辐射激发光。 第一和第二成型单元通过在每个LED芯片区域中包含荧光物质来模制每个LED芯片。 沿着包装体的空间的地板侧形成反射层（111）。 反射层反射激发光和波长转换器光。 高反射性金属材料的反射膜（145）在第一和第二成型单元的边界处形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100887067B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020060014241
申请日：2006-02-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체층 내부에 나노 패턴을 지닌 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 발광소자에 있어서, 내부에 다수의 나노 패턴을 포함하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 활성층;을 포함하는 나노 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자를 제공하여, 광 추출 효율을 향상시키면서 발광 소자의 내부 결함을 감소시키는 효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR100867518B1
公开(公告)日：2008-11-07
申请号：KR1020060085897
申请日：2006-09-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/0079
Abstract: 고효율 및 고출력의 특성을 갖는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 습식 식각성이 우수한 특성을 갖는 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 형성되는 것으로, 결정성장을 위한 반응가스 분위기에서 상기 희생층을 보호하고 그 위에 형성되는 반도체층의 에피성장을 용이하게 하는 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층 상에 금속질화물로 이루어진 다수의 마스킹 도트들(masking dots)을 형성하는 단계, 상기 마스킹 도트들을 마스크로 이용하여 상기 보호층 상에 측면 에피택시(lateral epitaxy) 성장으로 질화물계 반도체층을 형성하는 단계, 상기 질화물계 반도체층 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 소자를 형성하는 단계 및 상기 희생층을 습식식각하여 상기 기판을 상기 반도체 소자로부터 분리하는 단계를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020070088176A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020060018445
申请日：2006-02-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: A nitride based semiconductor light emitting device and its manufacturing method are provided to improve a light extraction efficiency by forming an N-convexoconcave type contact surface on an N-clad layer. An N-clad layer(20), an active layer(30) and a P-clad layer(40) are sequentially formed on a substrate(10). A plurality of masking dots are formed on the P-clad layer. A P-contact layer(60) with a convexoconcave type structure is formed on the P-clad layer except the masking dots. An N-convexoconcave type contact surface is formed on the N-clad layer by performing a dry etching process on the resultant structure from an upper portion of the P-contact layer to a predetermined portion of the N-clad layer. An N-electrode(100) is formed on the N-convexoconcave type contact surface. A P-electrode(120) is formed on the P-contact layer. The masking dots are made of SixNy.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，用于通过在N覆层上形成N凸凹型接触表面来提高光提取效率。 在衬底（10）上依次形成N包层（20），有源层（30）和P覆层（40）。 在P包覆层上形成多个掩模点。 除了掩模点之外，在P包层上形成具有凹凸型结构的P接触层（60）。 通过对所形成的结构从P接触层的上部到N包覆层的规定部分进行干蚀刻处理，在N包覆层上形成N凸凹型接触面。 在N凸凹型接触面上形成有N电极（100）。 P电极（120）形成在P接触层上。 屏蔽点由SixNy制成。
-
公开(公告)号：KR1020070081934A
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020060014241
申请日：2006-02-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce screw dislocation in the manufacturing process by inserting a nano pattern into a semiconductor layer. A semiconductor light emitting device includes a semiconductor layer having plural nano patterns(23), and an active layer(25) formed on the semiconductor layer. The semiconductor layer has a first semiconductor layer(22) on which the nano patterns are formed, a second semiconductor layer(24) formed on a region of the first semiconductor layer on which the nano patterns are formed, and a third semiconductor layer formed on the active layer.
Abstract translation: 提供半导体发光器件及其制造方法，通过将纳米图案插入到半导体层中来减少制造工艺中的螺钉位错。 半导体发光器件包括具有多个纳米图案（23）的半导体层和形成在半导体层上的有源层（25）。 半导体层具有形成有纳米图案的第一半导体层（22），形成在形成有纳米图案的第一半导体层的区域上的第二半导体层（24），形成有第三半导体层的第三半导体层 活动层。
-
公开(公告)号：KR100744941B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020030100619
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 반도체 발광 소자의 전극 구조, 이를 채용한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광소자는 부전도성 기판, 부전도성 기판 상에 형성된 제 1 하부 클래드층, 제 1 하부 클래드층 상에 소정 형상을 갖으며 형성된 도전층, 도전층의 소정 영역 상에 형성된 제 2 하부 클래드층, 제 2 하부 클래드층 상에 형성된 활성영역, 활성영역 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 상부 전극 및 도전층과 전기적으로 연결되며 도전층의 나머지 영역 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 따라서, 종래 반도체 발광소자에 있어서 문제가 되었던 전류 모임 현상을 해결한 수직 구조의 반도체 발광 소자를 구현함으로써 동작전압을 감소시킬 수 있는효과가 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.025 seconds)
