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公开(公告)号：KR100780233B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060043477
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 본 발명은 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 기판 및 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 활성층 및 전극층을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 기판 및 상기 반도체층 사이에 요철 구조로 형성된 제 1패턴; 및 상기 제 1패턴의 요철 구조 상에 형성된 요철 구조의 제 2패턴;을 포함하는 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자를 제공하여 광 추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070110688A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020060043477
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: A semiconductor light emitting device having a multi pattern structure is provided to improve extraction efficiency of the light generated from a light emitting layer in a light emitting device by forming a light emitting layer with a light emitting layer on a substrate having a multi pattern structure in which a second pattern is formed on the surface of a first pattern. A semiconductor light emitting device includes a substrate(31), a semiconductor layer(34) formed on the substrate, an active layer(35) and an electrode layer(37,38). A first pattern having an uneven structure is formed between the substrate and the semiconductor layer. A second pattern having an uneven structure is formed on the uneven structure of the first pattern. The second pattern can be formed between the uneven structures of the first pattern. The uneven structure can include at least one of an angled unevenness and a curved unevenness.
Abstract translation: 提供具有多图案结构的半导体发光器件，以通过在具有多图案结构的衬底上形成具有发光层的发光层来提高由发光器件中的发光层产生的光的提取效率 在第一图案的表面上形成第二图案。 半导体发光器件包括衬底（31），形成在衬底上的半导体层（34），有源层（35）和电极层（37,38）。 在衬底和半导体层之间形成具有不均匀结构的第一图案。 在第一图案的不平坦结构上形成具有不均匀结构的第二图案。 可以在第一图案的不均匀结构之间形成第二图案。 不均匀结构可以包括成角度的凹凸和弯曲的凹凸中的至少一个。
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公开(公告)号：KR100721169B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060131938
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도-
公开(公告)号：KR100714627B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050103752
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10
-2 Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，用于氮化物单晶生长用基板，形成在基板上的n型氮化物半导体层，形成在所述有源层形成在n型氮化物半导体层，p型上所述有源层 氮化物半导体层和形成在p型氮化物半导体层上的欧姆接触层，其中与分布在p型氮化物半导体层上的欧姆接触层的接触电阻为10
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公开(公告)号：KR1020070034980A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020060131938
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도Abstract translation: 本发明具有可以增加涉及一种基于氮化镓的半导体发光器件及其制造方法，为了提高蓝宝石衬底的热耗散能力的效果，能够通过热，以防止元件劣化的特性，该装置的发光效率 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070001350A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056762
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/14
Abstract: A flip chip type light emitting apparatus is provided to improve current concentration and diffusion by configuring current paths having the same resistance from a metal electrode of a sub-mount to n-side electrodes of a nitride semiconductor light emitting diode. A nitride semiconductor light emission diode(10) includes an n-type nitride semiconductor layer(12), n-side electrodes(15a,15b), an active layer(13), a p-type nitride semiconductor layer(14) and plural p side electrodes including a first p-side electrode and a second p-side electrode(16b). A sub-mount(20) includes a supporting substrate(21), a reflecting layer(22), a first passivation layer(23), first and second metal electrode layers(24a,24b), a second passivation layer(25), a transmission resistance layer(26) and a bonding pad(27). The n-side electrode and the second metal electrode layer are bonded by a conductive pump(30). The p-side electrode is bonded to the bonding pad by the conductive bump. The first p-side electrode is bonded to the bonding pad formed on an upper surface of the transmission resistance layer located in an upper portion of the exposed first metal electrode layer.
Abstract translation: 提供一种倒装芯片型发光装置，通过配置具有相同电阻的电流路径来改善电流集中和扩散，该电流路径从子载体的金属电极到氮化物半导体发光二极管的n侧电极。 氮化物半导体发光二极管（10）包括n型氮化物半导体层（12），n侧电极（15a，15b），有源层（13），p型氮化物半导体层（14）和多个 p侧电极，包括第一p侧电极和第二p侧电极（16b）。 子安装件（20）包括支撑基板（21），反射层（22），第一钝化层（23），第一和第二金属电极层（24a，24b），第二钝化层（25） 传输电阻层（26）和焊盘（27）。 n侧电极和第二金属电极层通过导电泵（30）接合。 p侧电极通过导电凸块与接合焊盘接合。 第一p侧电极被接合到形成在位于暴露的第一金属电极层的上部的传输电阻层的上表面上的接合焊盘。
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公开(公告)号：KR1020060109378A
公开(公告)日：2006-10-20
申请号：KR1020050031613
申请日：2005-04-15
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/20
Abstract: A method for manufacturing a vertical structural nitride semiconductor light emitting device is provided to improve a light extracting efficiency and to reduce the heat generated from the light emitting device itself by using an improved metal film structure with a polygon type cross section. A light emitting structure composed of an N type nitride semiconductor layer(112), an active layer(113) and a P type nitride semiconductor layer(114) is formed on a sapphire substrate(111). A plurality of metal films(131) spaced apart from each other are formed on the light emitting structure. The light emitting structure is divided into small parts by eliminating selectively the light emitting structure using the plurality of metal films as an etch mask. The metal films have a polygon type cross section.
Abstract translation: 提供一种用于制造垂直结构氮化物半导体发光器件的方法，以通过使用具有多边形截面的改进的金属膜结构来提高光提取效率并减少由发光器件本身产生的热量。 在蓝宝石衬底（111）上形成由N型氮化物半导体层（112），有源层（113）和P型氮化物半导体层（114）构成的发光结构。 在发光结构上形成有彼此间隔开的多个金属膜（131）。 通过选择性地消除使用多个金属膜作为蚀刻掩模的发光结构，将发光结构分为小部分。 金属膜具有多边形截面。
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公开(公告)号：KR100616693B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020050072963
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 고출력 질화물 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 갖는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광소자의 상면 중 서로 다른 영역에 각각 형성된 제1 및 제2 절연층과, 상기 제1 및 제2 절연층 상에 각각 형성된 제1 및 제2 본딩패드와, 상기 제1 및 제2 본딩패드로부터 각각 연장되며 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 제1 및 제2 연장전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 전극배열은 본딩패드가 발광소자와 직접 접속하는 것을 방지하므로, 연장전극만으로 보다 균일한 전류분산을 도모할 수 있는 대칭구조를 보다 용이하게 설계할 수 있다.
질화물 발광소자(nitride light emitting device), 본딩패드(bonding pad), 전류분산(current spreading)Abstract translation: 一种氮化物半导体发光器件，包括依次形成在衬底上的第一导电型氮化物半导体层，有源层以及第二导电型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光器件包括： 分别形成在第一和第二绝缘层上的第一和第二接合焊盘;分别形成在第一和第二接合焊盘上的第一和第二接合焊盘， 1以及分别连接到第二导电类型半导体层的第一和第二延伸电极。 根据本发明的电极阵列防止键合焊盘直接连接到发光器件，使得可以更容易地设计仅通过延伸电极可以实现更均匀电流扩散的对称结构。
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公开(公告)号：KR100809236B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060082935
申请日：2006-08-30
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/44
Abstract: A polarized light emitting diode is provided to increase light emitting amounts by using a polarized light control layer having plural metal nano wires and a polarized light extinction layer. A semiconductor multiple layer(330) having a light emitting layer(334) is prepared on a supporting layer(310). A polarized light control layer(350) is prepared on the semiconductor multiple layer and has plural metal nano wires(354) which are arranged in parallel. A polarized light emitting diode emits a polarized light in a direction of which the metal nano wires are arranged. A polarized light extinction layer(340) is arranged between the semiconductor multiple layer and the polarized light control layer, and extincts polarization of the reflected light from the polarized light control layer. The polarized light control layer includes a dielectric and the metal nano wires are buried in the dielectric. A cross section of the metal nano wire has a polygonal or circular shape.
Abstract translation: 提供一种使用具有多个金属纳米线和偏振光消光层的偏振光控制层来增加发光量的偏振发光二极管。 在支撑层（310）上制备具有发光层（334）的半导体多层（330）。 在半导体多层上制备偏振光控制层（350），并且具有平行布置的多个金属纳米线（354）。 偏振发光二极管沿着配置有金属纳米线的方向发射偏振光。 偏振光消光层（340）设置在半导体多层和偏振光控制层之间，并且消除来自偏振光控制层的反射光的偏振。 偏振光控制层包括电介质，金属纳米线埋在电介质中。 金属纳米线的横截面为多边形或圆形。
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公开(公告)号：KR100748247B1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：KR1020050060519
申请日：2005-07-06
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/42 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 투명 도전체층과, 상기 투명 도전체층의 상면 중앙 부분에 형성되어 있으며, p형 콘택 영역을 정의하는 콘택홀을 가지는 절연층과, 상기 절연층 상에 형성되어 있으며, 콘택홀을 통해 상기 투명 도전체층과 전기적으로 연결되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 질화갈륨계 반도체 발광다이오드를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 질화갈륨계 반도체 발광다이오드의 제조방법을 제공한다.
발광다이오드, 콘택홀, 절연층, 전류확산, 접촉면적
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