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公开(公告)号：KR1020170005317A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：KR1020150095120
申请日：2015-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/46 , F21K9/23 , F21K9/27 , F21V23/005 , F21Y2103/10 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 서로대향하는제1 및제2 면을갖는기판; 상기기판의상기제1 면상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물, 및상기기판의상기제2 면상에배치되며, 저굴절률층및 브래그층을포함하는반사부를포함한다. 상기브래그층은서로다른굴절률을가지며교대로적층된복수의층들을포함하고, 상기저굴절률층은상기브래그층보다낮은굴절률을갖는다.
Abstract translation: 半导体发光器件可以包括具有第一表面和第二表面的衬底，第二表面与第一表面相对; 发光结构，其设置在所述基板的所述第一表面上，并且包括第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层; 以及设置在所述基板的所述第二表面上并且包括低折射率层和布拉格层的反射器，其中所述布拉格层包括具有不同折射率的多个交替堆叠的层，并且其中所述低折射率层的折射率 低于布拉格层的折射率。
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公开(公告)号：KR1020160141925A
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020150077462
申请日：2015-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/46
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 서로대향하는제1 및제2 면을갖는기판, 기판의제1 면상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물, 및기판의제2 면상에순차적으로배치되는제1 브래그층, 분리층및 제2 브래그층을포함하는반사부를포함한다. 제1 및제2 브래그층들각각은서로다른굴절률을가지며교대로적층된복수의층들을포함하고, 분리층은각각의복수의층들보다두꺼운두께를갖는다.
Abstract translation: 一种具有由包括分离层的反射器提供的改进的光提取效率的半导体发光器件。 分离层可以插入在包括一对或多对具有不同折射率的折射层的第一和第二布拉格层之间，第一对堆叠在分离层的一侧上，第二对堆叠在分离相对侧上 层。
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公开(公告)号：KR1020160034534A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020140125289
申请日：2014-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체층, 활성층, 및제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물상에배치되며, 서로다른광학적두께(optical thickness)를갖는복수의유전체층이적어도 1회교차하여배치되고, 상기유전체층중 최대광학적두께를갖는유전체층의광학적두께와상기복수의유전체층중 최소광학적두께를갖는유전체층의광학적두께의합이 0.75 이상 0.80 이하인선택적투과-반사층(selective transmitting-reflecting layer);을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供一种用于改善光的光通量的半导体发光器件。 半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层; 和布置在发光结构上的选择性透射反射层具有交替布置的具有不同光学厚度的介电层，并且具有介电层和光学器件中具有最小光学厚度的介电层的光学厚度之和 在介电层中具有最大光学厚度的介电层的厚度在0.75和0.80之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150066121A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130151269
申请日：2013-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/38 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257
Abstract: 본발명은반도체발광소자및 이를구비한반도체발광장치에관한것으로서, 기판; 상기기판상에배치되고, 제1 n형반도체층, 제1 활성층및 제1 p형반도체층을구비하는제1 구조물; 상기기판상에서상기제1 구조물과이격되어배치되고, 제2 n형반도체층, 제2 활성층및 제2 p형반도체층을구비하는제2 구조물; 상기제1 n형반도체층및 상기제1 p형반도체층에각각접속되는제1 n전극및 제1 p전극; 및상기제2 n형반도체층및 상기제2 p형반도체층에각각접속되는제2 n전극및 제2 p전극을포함하고, 상기제1 n전극과상기제2 p전극은일체로형성되며, 상기제2 n전극은상기제2 활성층으로부터소정거리만큼이격되어상기제2 활성층을둘러싸도록배치되어, 역방향의 ESD에대한내성전압이향상되면서도, 휘도가향상될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件和包括该半导体发光器件的半导体发光器件。 半导体发光器件包括衬底; 布置在所述基板上的第一结构，并且包括第一n型半导体层，第一有源层和第一p型半导体层; 布置在所述基板上以与所述第一结构分离的第二结构，并且包括第二n型半导体层，第二有源层和第二p型半导体层; 连接到第一n型半导体层和第一p型半导体层的第一n电极和第一p电极; 以及分别连接到第二n型半导体层和第二p型半导体层的第二n电极和第二p电极，其中第一n电极和第二p电极一体形成，并且第二n电极与 并且被布置成围绕第二有源层，从而提高可逆方向的ESD的电阻电压并提高亮度。
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公开(公告)号：KR1020130129102A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020130050080
申请日：2013-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting device comprising a light emitting structure in which a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer are sequentially arranged; first and second electrodes in which the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer are electrically connected. The second electrode comprises a pad reflection unit which is formed on one area among top surfaces of the second conductivity type semiconductor layer are; an opening unit which surrounds the pad reflection unit within a range beyond out of the pad reflection unit; a transparent electrode layer which is formed on the second conductivity type semiconductor layer; a finger reflection unit which is extended and formed on the pad reflection unit and partly formed on the transparent electrode layer; a pad electron unit which covers the pad reflection unit and touches the transparent electrode layer; an electron unit which covers the finger reflection unit and touches the transparent electrode layer. The semiconductor light emitting device of the present invention improves its light extraction efficiency .
Abstract translation: 本发明涉及一种包括发光结构的半导体发光器件，其中第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层依次布置; 第一和第二电极，其中第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层电连接。 第二电极包括形成在第二导电类型半导体层的顶表面之间的一个区域上的焊盘反射单元; 打开单元，其在超出所述衬垫反射单元的范围内围绕所述衬垫反射单元; 形成在第二导电型半导体层上的透明电极层; 手指反射单元，其延伸并形成在所述垫反射单元上并部分地形成在所述透明电极层上; 覆盖所述焊盘反射单元并接触所述透明电极层的焊盘电子单元; 覆盖手指反射单元并接触透明电极层的电子单元。 本发明的半导体发光器件提高其光提取效率。
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公开(公告)号：KR1020130065211A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：KR1020110131966
申请日：2011-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency by preventing nonluminous recombination on an outer edge area of a chip having low crystallization. CONSTITUTION: An active layer(103) is formed on a first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(104) is formed on the active layer. An insulating part(106) is formed along the outer edge of the upper side of the second conductive semiconductor layer. An ohmic electrode layer(105) is formed on the second conductive semiconductor layer. A first and a second electrode are respectively formed on the first conductive semiconductor layer and one area of the ohmic electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过在具有低结晶度的芯片的外边缘区域上防止非发光复合来提高发光效率。 构成：在第一导电半导体层上形成有源层（103）。 在有源层上形成第二导电半导体层（104）。 沿着第二导电半导体层的上侧的外边缘形成绝缘部分（106）。 在第二导电半导体层上形成欧姆电极层（105）。 第一和第二电极分别形成在第一导电半导体层和欧姆电极层的一个区域上。
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公开(公告)号：KR1020150035656A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130115674
申请日：2013-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, 기판; 기판상에배치되고, 제1 n형반도체층, 제1 활성층및 제1 p형반도체층을구비하는제1 구조물; 기판상에서제1 구조물과이격되어배치되고, 제2 n형반도체층, 제2 활성층및 제2 p형반도체층을구비하는제2 구조물; 제1 n형반도체층및 제1 p형반도체층에각각접속되는제1 n 전극및 제1 p 전극; 및제2 n형반도체층및 제2 p형반도체층에각각접속되는제2 n 전극및 제2 p 전극을포함하고, 제2 n 전극또는제2 p 전극은제2 활성층으로부터소정거리만큼이격되어제2 활성층을둘러싸도록배치된다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括：衬底; 布置在基板上的第一结构，包括第一n型半导体层，第一有源层和第一p型半导体层; 第二结构，与基板上的第一结构分离，并且包括第二n型半导体层，第二有源层和第二p型半导体层; 分别连接到第一n型半导体层和第一p型半导体层的第一n电极和第一p电极; 以及分别连接到第二n型半导体层和第二p型半导体层的第二n电极和第二p电极。 第二n电极或第二p电极以预定距离与第二有源层分离并且围绕第二有源层。
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