公开(公告)号：KR1020080009581A

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：KR1020060069352

申请日：2006-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김명선 ,  김영호 ,  이창호 ,  강경림 ,  이정훈 ,  김영훈 ,  박경실 ,  양주형

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a semiconductor device is provided to suppress generation of particles since an etch mask is formed by etching a coating layer using a spin coating. A method for forming a semiconductor device includes the steps of: forming a coating film(120) on a substrate(110); forming a first photoresist film(130) and a second photoresist film(140) on the coating film; forming a coating film pattern, a first photoresist pattern, and a second photoresist pattern by patterning the coating film, the first photoresist film, and the second photoresist film; and etching the exposed substrate. The second photoresist film includes Si. The first step includes the step of forming a spin-on hard mask layer.

Abstract translation: 提供了形成半导体器件的方法，以抑制由于通过使用旋转涂层蚀刻涂层而形成蚀刻掩模来产生微粒。 一种形成半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底（110）上形成涂膜（120）; 在涂膜上形成第一光致抗蚀剂膜（130）和第二光致抗蚀剂膜（140）; 通过图案化所述涂膜，所述第一光致抗蚀剂膜和所述第二光致抗蚀剂膜来形成涂膜图案，第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案; 并蚀刻暴露的衬底。 第二光致抗蚀剂膜包括Si。 第一步包括形成旋涂硬掩模层的步骤。

公开(公告)号：KR1020080038986A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020060106585

申请日：2006-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경실 ,  이창호 ,  이홍 ,  김도영 ,  최남욱 ,  이정훈 ,  김영훈 ,  류진아 ,  김명선 ,  양주형 ,  이명숙

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  B08B3/12 ,  G03F7/70925 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6704

Abstract: A method for forming a photoresist pattern is provided to coat a subsequentially formed layer without causing defects by performing a cleaning process for converting the surface of a hard mask layer including an SOG(spin on glass) material into a hydrophilic material. A preliminary hard mask layer including carbon as an SOG material can be formed on a substrate. A hard mask layer including a SOG material is formed on the resultant structure(S100). A cleaning process for surface treatment is performed to make the surface of the hard mask layer have a hydrophilic property(S110). An ARC(anti-reflective coating) is formed on the hard mask layer(S120). A photoresist layer is formed on the ARC(S130). The photoresist layer is patterned to form a photoresist pattern(S140).

Abstract translation: 提供形成光致抗蚀剂图案的方法，以通过执行用于将包括SOG（玻璃上旋转）材料的硬掩模层的表面转化为亲水材料的清洁处理而涂覆后续形成的层而不引起缺陷。 可以在基板上形成包括作为SOG材料的碳的初步硬掩模层。 在所得结构上形成包括SOG材料的硬掩模层（S100）。 进行表面处理的清洗工序，使硬掩模层的表面具有亲水性（S110）。 在硬掩模层上形成ARC（抗反射涂层）（S120）。 在ARC上形成光致抗蚀剂层（S130）。 图案化光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案（S140）。

公开(公告)号：KR1020170076112A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020150185961

申请日：2015-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  부산대학교 산학협력단

Inventor： 양승윤 ,  이승현 ,  박경실 ,  강율 ,  김이슬 ,  최윤석

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L51/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3081 ,  H01L51/0048

Abstract: 하드마스크조성물, 탄소나노튜브막구조체, 패턴형성방법및 반도체장치제조방법을제공한다. 반도체장치제조방법은반도체기판상에, 하드마스크조성물을이용하여하드마스크층을형성하고, 상기하드마스크층을패터닝하여하드마스크패턴을형성하고, 상기하드마스크패턴을통해, 상기반도체기판을식각하여반도체패턴을형성하는것을포함하고, 상기하드마스크조성물은제1 길이를가지는복수개의제1 탄소나노튜브, 상기제1 길이의 3배이상인제2 길이를가지는복수개의제2 탄소나노튜브및 상기복수개의제1 및제2 탄소나노튜브가분산되는분산용매를포함하고, 상기복수개의제1 탄소나노튜브의총 질량은상기복수개의제2 탄소나노튜브총 질량의 1 내지 2.5배이다.

Abstract translation: 硬掩模组合物，碳纳米管膜结构，图案形成方法和半导体器件制造方法。 使用半导体衬底的半导体器件的制造方法，硬掩模组合物，以形成硬掩模层，该硬掩模层的图案化，以形成硬掩模图案，并通过所述硬掩模图案，蚀刻半导体衬底， 并且其中，所述硬掩模组合物包含多个第一碳纳米管，所述多个在西班牙所述第一长度的第二长度具有三倍或多个碳纳米管中的第二和所述多个具有第一长度，以形成半导体图案 第一mitje 2包括将被分散在分散溶剂和碳纳米管，第一所述多个碳纳米管的总重量是所述多个第二碳纳米管的总质量为1〜2.5倍。

公开(公告)号：KR1020070037876A

公开(公告)日：2007-04-09

申请号：KR1020050093025

申请日：2005-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최남욱 ,  김재현 ,  김영호 ,  이홍 ,  김도영 ,  박경실

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70808

Abstract: 본 발명은 노광 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 노광 장치는 기판이 안착되는 테이블, 상기 기판에 투영빔을 투영시키는 투영렌즈, 및 상기 기판과 상기 투영렌즈 사이의 공간에 액체를 한정하는 한정부재를 포함한다. 상기 한정부재는 상기 액체가 위치하는 공간을 한정한다. 상기 한정부재의 일측에 장착되고, 상기 공간을 벗어난 액체의 잔류물을 제거할 수 있는 제거수단이 구비된다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼 상에 액체 잔류물이 발생하지 않아 이로 인하여 발생할 수 있는 결함 등을 방지할 수 있다.
침지 노광 장치, 한정부재, 투영렌즈

公开(公告)号：KR1020060131344A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050051698

申请日：2005-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도영 ,  이홍 ,  윤효진 ,  류진아 ,  최남욱 ,  박경실 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/095 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

Abstract: A lithography method using a bi-layer resist is provided to increase a lithography process margin by increasing selectivity to an upper resist layer and reducing a thickness of the upper resist layer. An etching target layer(102) is formed on a substrate(100). A lower resist layer(104) is formed on the etching target layer. An upper resist layer is formed on the lower resist layer. An upper resist layer pattern(106a) is formed by exposing and developing the upper resist layer. A material layer similar to a silicon oxide(108) is formed on the upper resist layer by performing a hard bake process under oxygen atmosphere. A lower resist layer pattern is formed by developing the lower resist layer. The etching target layer is etched by using the lower resist layer pattern as a mask.

Abstract translation: 提供了使用双层抗蚀剂的光刻方法，以通过增加对上抗蚀剂层的选择性和减小上抗蚀剂层的厚度来增加光刻工艺裕度。 在基板（100）上形成蚀刻目标层（102）。 在蚀刻目标层上形成下层抗蚀剂层（104）。 在下抗蚀剂层上形成上抗蚀剂层。 通过曝光和显影上抗蚀剂层形成上抗蚀层图案（106a）。 通过在氧气氛下进行硬烘烤处理，在上抗蚀剂层上形成与氧化硅（108）相似的材料层。 通过显影下抗蚀剂层形成较低的抗蚀剂层图案。 通过使用下抗蚀剂层图案作为掩模来蚀刻蚀刻目标层。

公开(公告)号：KR1020060019300A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040067911

申请日：2004-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도영 ,  김재호 ,  김영호 ,  이홍 ,  박경실

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70608 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명은 감광막의 두께 측정 장치 및 이를 이용한 감광막 두께 측정 방법에 관한 것으로, 감광막이 도포된 웨이퍼를 로딩하는 척; 상기 척 상에 로딩되는 웨이퍼의 어느 한 쪽 측면에 배치된 광원; 및 상기 광원과는 상기 척 상에 로딩되는 웨이퍼를 사이에 두고 서로 마주 보도록 상기 척 상에 로딩되는 웨이퍼의 다른 한 쪽 측면에 배치된, 그리고 상기 광원과 동일한 높이에 있는 디텍터를 포함하는 감광막 두께 측정 장치를 이용하여 감광막의 두께를 웨이퍼 측면에서 측정하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 감광막의 토폴로지(Topology)를 정확하게 그리고 능률적으로 구현해 낼 수 있게 되고, 2차원적인 토롤로지는 물론 3차원적으로도 재현할 수 있는 효과가 있다. 또한, 감광막의 두게 모티터링 시간 및 웨이퍼 로스(loss)를 줄일 수 있는 효과도 아울러 가지고 있다.

公开(公告)号：KR1020050049266A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030083184

申请日：2003-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안선열 ,  김영호 ,  강경림 ,  이정훈 ,  박경실

IPC: H01L21/027

Abstract: 포토레지스트 패턴의 프로파일 변형을 이용한 반도체 소자 제조 방법을 제공한다. 이 방법은, 반도체 기판을 덮는 물질막 상에 제1 포토레지스트층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 포토레지스트층 상에 상기 제1 포토레지스트층 보다 플로우 온도가 낮은 상기 제2 포토레지스트층을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트층 및 상기 제2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여, 상기 제1 포토레지스트층 및 상기 제2 포토레지스트층으로부터 각각 제1 포토레지스트 패턴 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 플로우시켜 상기 제2 포토레지스트 패턴의 측면을 덮는다. 플로우된 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 물질막을 패터닝한다.

公开(公告)号：KR1020160029900A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR1020140118593

申请日：2014-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도영 ,  박경실

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/32 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144

Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 상기제조방법은하부구조체상에하부부분및 상기하부부분상의상부부분을포함하는하드마스크막을형성하되, 상기하드마스크막은감광성하드마스크물질로이루어지는것, 및상기하드마스크막에노광및 현상공정을수행하여상기하드마스크막의상기상부부분을제거함으로써평탄한상부면을갖는하드마스크구조체를형성하는것을포함한다. 상기제조방법에따르면노광및 현상공정을이용하여하드마스크막을평탄화함으로써공정을단순화시키고생산성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法。 该制造方法包括以下步骤：在下部结构上形成包含下部的硬掩模膜和下部的上部，其中硬掩模膜由感光硬掩模材料制成; 对硬掩模膜进行曝光和显影处理，并除去硬掩模膜的上部以形成具有平坦的上表面的硬掩模结构。 根据制造方法，通过使用曝光和显影处理使硬掩模膜变平，从而简化了工艺并提高了生产率。

公开(公告)号：KR1020080025818A

公开(公告)日：2008-03-24

申请号：KR1020060090448

申请日：2006-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정훈 ,  이창호 ,  김영훈 ,  박경실 ,  김명선 ,  양주형 ,  이명숙

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  G03F7/70433 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a hard mask is provided to obtain a photoresist pattern with finer line width while reducing standing wave formation in photoresist by forming the photoresist pattern on a spin-on carbon layer that has low reflectivity to ArF laser. A method for forming a hard mask comprises the steps of: forming a first layer(21) above a substrate(1), wherein the first layer is a spin-on carbon that is an amorphous carbon layer; forming a photoresist pattern(32) above the first layer; forming a second layer(41) having a reflectivity higher than that of the first layer, wherein the second layer is a spin-on glass layer that is a silicon oxide layer; removing the second layer until the photoresist pattern is exposed; removing the photoresist pattern to form a second pattern; and etching the first layer using the second pattern as an etching mask, to form a first pattern.

Abstract translation: 提供一种形成硬掩模的方法，以通过在对ArF激光器具有低反射率的旋涂碳层上形成光致抗蚀剂图案来减少光致抗蚀剂中的驻波形成，从而获得具有更细线宽的光刻胶图案。 形成硬掩模的方法包括以下步骤：在衬底（1）上形成第一层（21），其中第一层是作为无定形碳层的旋涂碳; 在所述第一层上形成光致抗蚀剂图案（32）; 形成具有高于第一层的反射率的第二层（41），其中第二层是作为氧化硅层的旋涂玻璃层; 去除第二层，直到光刻胶图案曝光; 去除光致抗蚀剂图案以形成第二图案; 并且使用第二图案蚀刻第一层作为蚀刻掩模，以形成第一图案。

公开(公告)号：KR1020080006262A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：KR1020060065173

申请日：2006-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영훈 ,  김명선 ,  박경실 ,  이정훈 ,  이창호

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  B01D53/02 ,  H01L21/6715

Abstract: An assembly for filtering a chemical solution is provided to enhance a filtering effect without dispensing a metal component in the chemical solution during a solution coating process, thereby improving reliability of the chemical solution coating process. An assembly for filtering a chemical solution includes a filter unit(5), a filter housing(10), collection units(20,21). The filter unit filters out impurities included in the chemical solution by filtering the chemical solution. The filter housing has an inlet(2) and an outlet(4). The chemical solution comes in the assembly through the inlet and comes out the assembly through the outlet. The collection units form a magnetic pole and collect a metallic particle included in the chemical solution by being installed on an outer surface of the filter housing.

Abstract translation: 提供用于过滤化学溶液的组件以增强过滤效果，而不会在溶液涂覆过程中在化学溶液中分配金属组分，从而提高化学溶液涂覆过程的可靠性。 用于过滤化学溶液的组件包括过滤器单元（5），过滤器壳体（10），收集单元（20,21）。 过滤器过滤掉化学溶液中包含的杂质。 过滤器壳体具有入口（2）和出口（4）。 化学溶液通过入口进入组件，并通过出口排出组件。 收集单元形成磁极并通过安装在过滤器壳体的外表面上收集包含在化学溶液中的金属颗粒。