公开(公告)号：KR101585996B1

公开(公告)日：2016-01-18

申请号：KR1020090034066

申请日：2009-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지만 ,  김영호 ,  윤효진 ,  안선열 ,  이송세 ,  박경우

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

Abstract: 포토레지스트조성물, 이를이용한미세패턴의형성방법및 반도체장치의제조방법에있어서, 기판상에, (a) (a-1) 지방족탄화수소주쇄및 산소를헤테로원자로가지고 3개이상의수산기로치환된헤테로싸이클릭고리를포함하는측쇄로이루어지는친수성제1 반복단위, 및 (a-2) 지방족탄화수소주쇄및 불소화된지방족탄화수소기를포함하는측쇄로이루어지는소수성제2 반복단위를포함하는고분자성포토레지스트첨가제, (b) 산분해성보호기를측쇄에포함하는고분자, (c) 광산발생제및 (d) 용매를포함하는포토레지스트조성물을도포하여포토레지스트막을형성한다. 포토레지스트막을노광한후에, 포토레지스트막을현상액을사용하여현상하여포토레지스트패턴을형성할수 있다. 패턴의해상도를높일수 있고, 포토레지스트잔류물로인한패턴결함을줄일수 있다.

公开(公告)号：KR1020100115474A

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：KR1020090034066

申请日：2009-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지만 ,  김영호 ,  윤효진 ,  안선열 ,  이송세 ,  박경우

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/20 ,  G03F7/202

Abstract: PURPOSE: A method for forming micro pattern and photoresist composition are provided to enhance resolution of the pattern and to reduce pattern defect. CONSTITUTION: A method for forming a micro pattern comprises: a step of applying a photoresist composition on the substrate(20) to form photoresist film(22); a step of exposing the photoresist film to the light; and a step of developing the photoresist film using aqueous alkali developing liquid to form a photoresist pattern. The photoresist composition contains: a hydrophobic first repeat unit having a side chain with 3 or more hydroxyl group-substituted heterocyclic ring; a polymeric polymer resist additive having hydrophobic second repeat unit; a polymer having an acid-labile protection group at the side chain; photoacid generator; and solvent.

Abstract translation: 目的：提供形成微图案和光致抗蚀剂组合物的方法以增强图案的分辨率并减少图案缺陷。 构成：形成微图案的方法包括：将光致抗蚀剂组合物施加在基底（20）上以形成光致抗蚀剂膜（22）的步骤; 将光致抗蚀剂膜曝光的步骤; 以及使用水性碱性显影液显影光致抗蚀剂膜以形成光致抗蚀剂图案的步骤。 光致抗蚀剂组合物含有：具有3个以上羟基取代杂环的侧链的疏水性第一重复单元; 具有疏水性第二重复单元的聚合物聚合物抗蚀剂添加剂; 在侧链具有酸不稳定保护基的聚合物; 光酸发生器; 和溶剂。

公开(公告)号：KR1020050049266A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030083184

申请日：2003-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안선열 ,  김영호 ,  강경림 ,  이정훈 ,  박경실

IPC: H01L21/027

Abstract: 포토레지스트 패턴의 프로파일 변형을 이용한 반도체 소자 제조 방법을 제공한다. 이 방법은, 반도체 기판을 덮는 물질막 상에 제1 포토레지스트층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 포토레지스트층 상에 상기 제1 포토레지스트층 보다 플로우 온도가 낮은 상기 제2 포토레지스트층을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트층 및 상기 제2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여, 상기 제1 포토레지스트층 및 상기 제2 포토레지스트층으로부터 각각 제1 포토레지스트 패턴 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 플로우시켜 상기 제2 포토레지스트 패턴의 측면을 덮는다. 플로우된 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 물질막을 패터닝한다.

公开(公告)号：KR1020070046293A

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：KR1020050102815

申请日：2005-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영훈 ,  윤상웅 ,  이창호 ,  안선열 ,  김명선 ,  강경림

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14627

Abstract: 씨모스 이미지 센서는 표면 아래에 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판을 포함한다. 그리고, 상기 반도체 기판 상에 형성되는 층간 절연막과, 상기 층간 절연막의 상부 표면에 형성되면서 상기 포토 다이오드와 대응되는 영역에 위치하는 이너 렌즈와, 상기 이너 렌즈 상에 형성되면서 상기 이너 렌즈와 대응되는 영역에 위치하는 컬러 필터 및 상기 컬러 필터 상부에 형성되면서 상기 컬러 필터와 대응되는 영역에 위치하는 마이크로 렌즈 등을 포함한다. 특히, 상기 씨모스 이미지 센서는 상기 층간 절연막과 상기 이너 렌즈 사이 및/또는 상기 컬러 필터와 마이크로 렌즈 사이에 개재되는 평탄화막을 포함하는데, 상기 평탄화막은 집광 효율의 향상을 위하여 흡광 성분을 포함하는 물질로 이루어진다.

公开(公告)号：KR100659391B1

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020050076529

申请日：2005-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안선열 ,  강경림 ,  김태성 ,  김영호 ,  이정훈

IPC: C08L33/12

Abstract: Provided are a polymer resin composition for a buffer film which can be developed without exposure and can be cured at a temperature lower than the baking temperature of photoresist, a copolymer used in the composition, a method for forming a pattern by using the composition, and a method for preparing the capacitor of a semiconductor device by using the composition. The polymer resin composition comprises 75-93 wt% of a copolymer which comprises a benzyl methacrylate monomer, a methacrylic acid monomer and a hydroxyethyl methacrylate monomer; 1-7 wt% of a crosslinking agent; 0.01-0.5 wt% of a thermal acid generator; 0.01-1 wt% of a surfactant; and the balance of a solvent. The copolymer comprises 61-75 wt% of a benzyl methacrylate monomer; 8-15 wt% of a methacrylic acid monomer; and 17-24 wt% of a hydroxyethyl methacrylate monomer, and has a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 6,700-7,500 and a number average molecular weight of 2,600-3,200. Preferably the copolymer is represented by the formula, wherein L, M and N are a positive integer.

Abstract translation: 本发明提供一种缓冲膜用聚合物树脂组合物，其可以在没有曝光的情况下进行显影，并且可以在低于光刻胶的烘烤温度的温度下固化，该组合物中使用的共聚物，使用该组合物形成图案的方法，以及 通过使用该组合物来制备半导体器件的电容器的方法。 所述聚合物树脂组合物包含75-93重量％的包含甲基丙烯酸苄酯单体，甲基丙烯酸单体和甲基丙烯酸羟乙酯单体的共聚物; 1-7重量％的交联剂; 0.01-0.5重量％的热酸产生剂; 0.01-1重量％的表面活性剂; 和余量的溶剂。 该共聚物包含61-75重量％的甲基丙烯酸苄酯单体; 8-15重量％的甲基丙烯酸单体; 和17-24重量％的甲基丙烯酸羟乙酯单体，并且具有6,700-7,500的聚苯乙烯折合重均分子量和2,600-3,200的数均分子量。 优选该共聚物由下式表示，其中L，M和N是正整数。

公开(公告)号：KR1020090017120A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：KR1020070081623

申请日：2007-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강경림 ,  김영호 ,  김재현 ,  안선열 ,  최남욱

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/70425 ,  H01L21/0274

Abstract: A method of forming a blocking pattern using a photosensitive composition and method of manufacturing a semiconductor device are provided to easily form the blocking pattern which selectively covers the edge die region by using a negative type photosensitive composition including siloxane polymer. The siloxane-based polymer, the cross-linking agent , and the photoacid generator and thermal acid generator are formed in the substrate(50) having the first area and the second part. The first preliminary blocking pattern and the second preliminary blocking pattern are formed in the substrate. The first blocking pattern(60) and the second blocking pattern(62) are formed by heat-treating the substrate. The thermal process is performed in the temperature of 300 °C through about 100. The first blocking pattern covering the pattern structure(52) is formed in the edge die region. The second blocking pattern filling up the opening(51) is formed in the die formation region.

Abstract translation: 提供使用光敏组合物形成阻挡图案的方法和制造半导体器件的方法，以通过使用包含硅氧烷聚合物的负型光敏组合物来容易地形成选择性地覆盖边缘管芯区域的阻挡图案。 在具有第一区域和第二部分的基板（50）中形成硅氧烷基聚合物，交联剂和光酸产生剂和热酸发生剂。 第一初步阻挡图案和第二预阻挡图案形成在基板中。 通过对基板进行热处理形成第一阻挡图案（60）和第二阻挡图案（62）。 热处理在300℃至100℃的温度下进行。覆盖图案结构（52）的第一阻挡图案形成在边缘模具区域中。 填充开口（51）的第二阻挡图案形成在模具形成区域中。

公开(公告)号：KR1020060054923A

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020040093791

申请日：2004-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안선열 ,  강경림 ,  김재호 ,  김영호 ,  류진아 ,  최위선

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B05C11/1002 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 반도체 기판 상에 양질의 감광막을 형성할 수 있는 감광막 형성 장치에 있어서, 감광액 보관 용기의 내측 저면에는 감광액이 소정 영역으로 모여들도록 경사부가 형성된다. 인출 부재는 감광액이 모여든 일 코너부에 밀착되어 감광액을 인출한다. 이 경우, 인출 부재의 단부가 감광액에 충분히 잠겨 거의 모든 감광액을 버블 현상 없이 신속하게 인출할 수 있다. 인출된 감광액은 감광액 분사 유닛을 통하여 반도체 기판 상면으로 분사되고, 반도체 기판 상면에는 소정의 감광막이 형성된다. 감광액 보관 용기의 저면을 감광액이 모여들 수 있는 형상으로 형성하여, 감광액을 신속 및 용이하게 모두 인출할 수 있다. 또한 버블 현상을 방지할 수 있어, 반도체 기판 상에 양질의 감광막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040035091A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020020063822

申请日：2002-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이시용 ,  김영호 ,  김부득 ,  안선열 ,  강경림

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for forming a photoresist pattern is provided to easily increase the height of the photoresist pattern by sequentially forming the first and second photoresist pattern. CONSTITUTION: The first photoresist layer is coated on a semiconductor substrate(10) having an anti-reflective layer(12). The first photoresist pattern(14a) having a relatively narrow width is formed by selectively etching the first photoresist layer. The second photoresist layer is formed on the resultant structure. The second photoresist pattern(16a) is formed to entirely cover the first photoresist pattern by patterning the second photoresist layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，以通过顺序地形成第一和第二光致抗蚀剂图案来容易地增加光致抗蚀剂图案的高度。 构成：将第一光致抗蚀剂层涂覆在具有抗反射层（12）的半导体衬底（10）上。 通过选择性蚀刻第一光致抗蚀剂层来形成具有较窄宽度的第一光致抗蚀剂图案（14a）。 在所得结构上形成第二光致抗蚀剂层。 第二光致抗蚀剂图案（16a）被形成为通过图案化第二光致抗蚀剂层来完全覆盖第一光致抗蚀剂图案。