公开(公告)号：KR102214023B1

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：KR1020140172421

申请日：2014-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽 ,  강희수 ,  정희돈 ,  박세완

IPC: H01L29/786

Abstract: 누설전류를경감시켜동작성능을향상시킨반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는제1 다채널액티브패턴, 상기제1 다채널액티브패턴의주변에배치되고, 제1 영역과제2 영역을포함하는필드절연막으로, 상기제1 영역의상면은상기제1 다채널액티브패턴의상면및 상기제2 영역의상면보다위로돌출되는필드절연막, 상기필드절연막상에, 상기제1 다채널액티브패턴과교차하는제1 게이트전극, 및상기제1 게이트전극과상기필드절연막의제1 영역사이에배치되고, 제1 패싯(facet)을포함하는제1 소오스/드레인으로, 상기제1 패싯은상기제1 다채널액티브패턴의상면보다낮은상기필드절연막의제1 영역으로부터시작되는제1 소오스/드레인을포함한다.

公开(公告)号：KR100273756B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019950020779

申请日：1995-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박세완

IPC: G06F3/06

Abstract: PURPOSE: A method for diagnosing a CD-ROM drive and displaying a result thereof is provided to diagnose a state of each unit of a CD-ROM by minimizing the configuration of a drive of the CD-ROM. CONSTITUTION: A microcomputer increases a TEST_NUM from "0X00" to the last test number successively. A relevant item is tested. In case that an error is not generated, a next item is tested. In case that an error is generated, the test number is stored in a RAM. A RAM address is increased(200-210). The microcomputer increases the RAM address. The microcomputer fetches the test numbers stored in the RAM successively. A busy LED(Light Emitting Diode) is turned on and off in order to correspond to the test numbers fetched. Before a power supply is cut off, the LED is repeatedly turned on and off. All states of errors are successively displayed at regular intervals(214-222).

Abstract translation: 目的：提供用于诊断CD-ROM驱动器并显示其结果的方法，以通过使CD-ROM的驱动器的配置最小化来诊断CD-ROM的每个单元的状态。 构成：微型计算机将TEST_NUM从“0X00”连续上升到最后一个测试号。 相关项目进行测试。 如果未生成错误，则测试下一个项目。 在产生错误的情况下，测试号码存储在RAM中。 RAM地址增加（200-210）。 微型计算机增加RAM地址。 微型计算机连续获取存储在RAM中的测试编号。 打开和关闭繁忙的LED（发光二极管），以对应于提取的测试编号。 在电源被切断之前，LED反复打开和关闭。 所有错误状态都以规则的间隔连续显示（214-222）。

公开(公告)号：KR1019980003986A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960025169

申请日：1996-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박세완

IPC: G06F3/06

公开(公告)号：KR1019950004213A

公开(公告)日：1995-02-17

申请号：KR1019930014701

申请日：1993-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승일 ,  박세완

IPC: G11B19/02

Abstract: 본 발명은 광자기 디스크 드라이브(MODD)의 드라이브단을 평가하기 위하여 사용되는 이에스디아이(Enhanced Small Device Interface; 이하 ESDI라 함) 검사기에 관한 것으로, 특히 컴퓨터를 이용하여 드라이브단의 성능을 평가하기 위한 ESDI 검사기에 관한 것으로 컴퓨터의 확장포트에 설치되며 컴퓨터로부터의 동작명령에 따라 인에이블될 장치의 어드레스를 결정하기 위하여 동작명령을 디코딩하는 어드레스 디코딩부; 데이타를 기록하기 위한 메모리; 컴퓨터 또는 MODD로부터 유입되는 데이타를 상기 메모리에 기록하거나, 메모리에 기록된 데이타의 판독을 제어하는 메모리관리기; 메모리관리기를 이용하여 메모리에 기록된 데이타를 MODD로부터의 제어신호에 따라 해당 데이타를 MODD로의 전송과 MODD로부터 판독된 데이타를 메모리로 데이타를 전송하는 데이타통신을 제저하기 위한 포맷제어기(Format Controller)를 포함한다.

公开(公告)号：KR100389910B1

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：KR1019960029854

申请日：1996-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박세완

IPC: G11B7/09

Abstract: PURPOSE: A method for testing a compact disk drive is provided to easily grasp error generated parts without using extra hardware. CONSTITUTION: An interrupt vector address is changed(41). An ATAPI(AT Attachment Packet Interface) basic command is set up(42). Basic selection specification is set up(43). A menu is confirmed(44). It is judged whether the ATAPI basic command is inputted(45). If so, it is judged whether the ATAPI basic command is a parameter change command(46). If so, parameters are changed(47). If not, it is judged whether the ATAPI basic command is an ATA(AT attachment) command(48). If so, the ATA command is transmitted to the corresponding port ID to read and display a state of the corresponding port. If not, it is judged whether the ATAPI basic command is an ATAPI command(49). If so, the interrupt and the state of the corresponding port ID are processed.

公开(公告)号：KR1019980083643A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970019020

申请日：1997-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박세완

IPC: G11B19/00

Abstract: 본 발명은 디스크 드라이버의 구동 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 디스크의 데이터 전송률을 최적화 하는 개선된 디스크 회전 속도 제어 방법에 관한 것이다. 디스크 회전 속도 제어 방법은 데이터 전송률을 최적화하기 위한 디스크의 회전 속도 제어 방법에 있어서, 픽업으로부터 읽혀진 재생 신호로부터 복호된 데이터에 에러가 포함되어져 있는 지를 판단하는 에러 판단 과정, 상기 에러 판단 과정의 판단 결과에 따라 모터의 회전 속도를 제어하는 속도 제어 과정을 포함한다. 본 발명에 따르면 디스크 드라이버의 에러 발생 유·무에 따라 스핀들 모터의 속도를 제어하여 데이터 전송률을 개선할 수 있는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019970007597A

公开(公告)日：1997-02-21

申请号：KR1019950020779

申请日：1995-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박세완

IPC: G06F3/06

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
콤팩트 디스크 롬(CD-ROM)에서 각 부의 상태를 진단하고 그 진단 결과를 표시하는 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
CD-ROM 드라이브에 구비된 비지용 LED를 이용함으로써 CD-ROM 드라이브의 구성을 최소로 변경하며 자체 테스트가 가능하고 에러 루틴의 파악이 용이하며 생산 공정에 적용 가능한 진단 및 그 결과 표시방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
테스트번호를 증가시켜 가면서 테스트번호에 해당하는 항목들을 순차적으로 테스트하여 에러가 발생하는 항목의 테스트번호를 램에 저장해 놓고, 테스트 종료 이후에는 램에 저장된 에러 항목들의 테스트번호에 순차적으로 대응되게 비지용 LED를 점멸시킨다.
4. 발명의 중요한 용도
콤팩트 디스크 롬의 진단에 이용한다.

公开(公告)号：KR1020170000539A

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：KR1020150089534

申请日：2015-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽 ,  김현조 ,  박성율 ,  박세완 ,  윤종밀 ,  이정효 ,  이화성 ,  정희돈 ,  하지용

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 누설전류를경감시켜동작성능및 신뢰성을향상시킨반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는서로마주보는제1 단변및 제2 단변을포함하는핀형패턴, 상기제1 단변에접하도록형성되는제1 트렌치, 상기제2 단변에접하도록형성되는제2 트렌치, 상기제1 트렌치내에형성되고, 상기제1 단변으로부터순차적으로위치하는제1 부분과제2 부분을포함하는제1 필드절연막으로, 상기제1 부분의높이는상기제2 부분의높이와다른제1 필드절연막, 상기제2 트렌치내에형성되는제2 필드절연막, 및상기제1 필드절연막의제1 부분상에배치되는제1 더미게이트를포함한다.

Abstract translation: 半导体器件包括鳍状图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边，与第一短边接触的第一沟槽，与第二短边接触的第二沟槽，第一场绝缘 所述第一场绝缘膜包括从所述第一短边顺序布置的第一部分和第二部分，并且所述第一部分的高度不同于所述第二部分的高度;第二场绝缘膜， 第二沟槽和第一场绝缘膜的第一部分上的第一伪栅极。

公开(公告)号：KR1020160092248A

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：KR1020150012630

申请日：2015-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유정균 ,  박세완 ,  도승우 ,  박인원 ,  성석현

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831

Abstract: 핀과같은형상의전계효과트랜지스터(FINFET)의채널형상을조절을통한폭 효과(width effect)를증가시킴으로써, 반도체장치의성능을개선할수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치제조방법은기판상에, 상부와하부를포함하는제1 핀형패턴을형성하고, 상기제1 핀형패턴의상부의일부를제거하여, 제2 핀형패턴을형성하고, 상기제2 핀형패턴상에, 상기제2 핀형패턴과교차하는더미게이트전극을형성하고, 상기더미게이트전극을형성한후, 상기제2 핀형패턴의상부의일부를제거하여, 제3 핀형패턴을형성하는것을포함하고, 상기제2 핀형패턴의상부의폭은상기제1 핀형패턴의상부의폭보다작고, 상기제3 핀형패턴의상부의폭보다크다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种制造能够通过控制鳍状场效应晶体管（FinFET）的沟道形状来改善宽度效应来提高半导体器件性能的半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍状图案的步骤; 通过去除第一翅片形状图案的上部来形成第二翅片形状图案的步骤; 在所述第二翅片形状图案上形成与所述第二翅片形状图案交叉的虚拟栅电极的步骤; 以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部来形成第三鳍​​形图案的步骤。 第二鳍状图案的上部宽度低于或等于第一鳍状图案的上部宽度，并且大于或等于第三鳍状图案的上部宽度。

公开(公告)号：KR1020160087231A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：KR1020150006135

申请日：2015-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성석현 ,  유정균 ,  박세완

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/785 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825

Abstract: 개발부담을최소화할수 있는반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는장변과제1 단변을포함하는핀; 상기핀의제1 단변과바로접하여형성된, 제1 깊이의제1 트렌치; 상기제1 트렌치에바로접하여형성된, 상기제1 깊이보다더 깊은제2 깊이의제2 트렌치; 상기제1 트렌치의바닥에서돌출되고, 상기제1 단변과나란하게연장된제1 돌출구조(protrusion structure); 및상기제1 돌출구조상에, 상기제1 단변과나란하게연장된게이트를포함한다.

Abstract translation: 提供一种用于最小化开发负担的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：鳍，其包括长边和第一短边; 第一深度的第一沟槽，其直接接触鳍片的第一短边; 第二沟槽，其深度比直接接触第一沟槽的第一深度深; 第一突起结构，其从所述第一沟槽的底部突出并且平行于所述第一短边延伸; 以及在第一突起结构上平行于第一短边延伸的门。