公开(公告)号：KR1020100079948A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080138549

申请日：2008-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  오석환 ,  김경선 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/0276

Abstract: PURPOSE: A fine pattern forming method using the block copolymer forms the self-assembly structure of the block copolymer on the exposing surface of the organic guide layer and upper side of the photoresist pattern. The micro-pattern formed into the iteratively structure of the fine pitch is manufactured easily. CONSTITUTION: An organic guide layer(120) is formed on the substrate(100). The photoresist pattern is formed on the organic guide layer. The material layer including the block copolymer above the exposed portion of the organic guide layer and photoresist pattern is formed. The micro-pattern layer in which a plurality of first blocks(140A) and plurality of second blocks(140B) is respectively by turns arranged repetition is formed. The organic guide layer is included of the organic anti-reflection coating or the HMDS film.

Abstract translation: 目的：使用嵌段共聚物的精细图案形成方法在有机引导层的曝光表面和光致抗蚀剂图案的上侧形成嵌段共聚物的自组装结构。 形成为细间距的迭代结构的微图案容易制造。 构成：在基板（100）上形成有机引导层（120）。 光致抗蚀剂图案形成在有机引导层上。 形成包含在有机引导层的暴露部分上方的嵌段共聚物和光致抗蚀剂图案的材料层。 形成多个第一块（140A）和多个第二块（140B）分别重复布置的微图案层。 有机引导层包括有机防反射涂层或HMDS膜。

公开(公告)号：KR101535227B1

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020080138549

申请日：2008-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  오석환 ,  김경선 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 블록공중합체를이용한미세패턴형성방법에관하여개시한다. 본발명에따른미세패턴형성방법에서는기판상에유기가이드층을형성한다. 유기가이드층을노출시키는복수의개구가형성된포토레지스트패턴을형성한다. 유기가이드층의노출부분과포토레지스트패턴위에블록공중합체를포함하는물질층을형성한다. 물질층의상분리를통해물질층의성분들을재배열시켜, 유기가이드층의노출부분과포토레지스트패턴위에서로다른성분의반복단위를가지는복수의제1 블록및 복수의제2 블록이각각교대로반복배치되어있는미세패턴층을형성한다.

公开(公告)号：KR1020170080926A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150190831

申请日：2015-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철호 ,  박승학 ,  김시현 ,  김철홍 ,  이헌국 ,  정용주

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7827

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체메모리소자는기판상에적층된워드라인들및 수평적으로서로이격된제 1 및제 2 스트링선택라인들을포함하는적층구조체들, 상기적층구조체들을관통하는수직기둥들, 제 1 방향으로연장하며, 상기제 1 방향에교차하는제 2 방향을따라반복적으로배열되는제 1 및제 2 비트라인들을포함하되, 상기수직기둥들각각은, 평면적관점에서, 상기제 2 방향으로인접하는적어도두 개의상기제 1 비트라인들과상기적어도두 개의제 1 비트라인들사이에배치되는적어도하나의상기제 1 비트라인과중첩되고, 상기제 2 방향으로따라배열된상기수직기둥들각각의중심으로부터상기제 1 비트라인들중 어느하나사이의최소거리는상기수직기둥의상기중심으로부터상기제 1 비트라인들중 다른하나사이의최소거리와다를수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例半导体存储器件包括一个层压结构，包括字线和平行于彼此分离沉积在衬底上的第一mitje第二串选择线，通过延伸的垂直柱，所述层叠结构， 在第一方向上延伸，并包括：第一mitje第二位线被重复地沿着第二方向交叉的第一方向排列，每个垂直列的，在视二维点，彼此相邻的在第二方向上 并且布置在所述至少两条第一位线和沿所述第二方向布置的所述至少两条第一位线之间的至少一条第一位线， 第一位线中的任一个与中心之间的最小距离可以不同于垂直列的中心与第一位线中的另一个之间的最小距离。

公开(公告)号：KR1020160043263A

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020140137367

申请日：2014-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철호 ,  박승학 ,  김미연 ,  김철홍 ,  김형도 ,  이재한

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/027 ,  H01L21/56

Abstract: 수직형메모리장치의제조방법에있어서, 기판상에층간절연막들및 희생막들을교대로반복적으로적층하여몰드구조물을형성한다. 제1 식각공정을통해몰드구조물의측부를부분적으로식각하여예비계단형몰드구조물을형성한다. 제2 식각공정을통해예비계단형몰드구조물에포함된계단들을부분적으로식각하여계단형몰드구조물을형성한다. 계단형몰드구조물을관통하는채널들을형성한다. 계단형몰드구조물에포함된희생막들을게이트라인들로치환한다.

Abstract translation: 在可靠性提高的立式存储装置的制造方法中，通过在基板上交替层叠电介质和牺牲层层叠而形成模具结构体。 通过第一蚀刻工艺部分地蚀刻模具结构的侧部来形成初步的阶梯型模具结构。 通过第二蚀刻工艺通过蚀刻包括在初步阶梯型模具结构中的部分步骤形成阶梯型模具结构。 形成贯穿阶梯式模具结构的通道。 包括在阶梯型模具结构中的牺牲层被栅极线代替。

公开(公告)号：KR102029645B1

公开(公告)日：2019-11-18

申请号：KR1020130004046

申请日：2013-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재한 ,  조후성 ,  김철홍 ,  박승학

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/42 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

公开(公告)号：KR101602942B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：KR1020090095268

申请日：2009-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  김경선 ,  최성운 ,  오석환 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는, 서로다른표면성질을나타내는제 1 영역과제 2 영역을가지는자기조립유도층상에블록공중합체층을형성하고상분리를시켜, 원기둥형태의제 1 패턴과눕혀진반원기둥형태의제 2 패턴을형성할수 있다. 상기제 1 영역과제 2 영역의선폭은포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭일수 있으며, 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴은각각제 1 영역과제 2 영역에서, 각각제 1 영역과제 2 영역의선폭보다작은선폭을가지도록형성될수 있다. 상기제 1 패턴과상기제 2 패턴을식각마스크로이용하여원하는패턴을형성할수 있다. 이로써, 포토리소그라피공정에서구현할수 있는최소의선폭보다작은선폭을가지는미세한패턴을형성할수 있다. 또한라인형태와섬 형태의패턴을동시에형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020140091962A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020130004046

申请日：2013-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재한 ,  조후성 ,  김철홍 ,  박승학

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/42 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L22/12 ,  G03F1/70 ,  G03F1/84 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/0273 ,  G03F1/42 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: Provided are a method of fabricating a customized mask and a method of fabricating a semiconductor device using a customized mask. The method of fabricating a customized mask comprises the steps of: forming a first pattern in a mold structure; forming a second pattern in the mold structure having the first pattern using an initial mask; measuring an overlap defect of the first pattern and the second pattern; and fabricating a customized mask by compensating for the position of the pattern of the initial mask according to the measurement result. The position of at least a portion of the pattern of the initial mask is moved in correspondence to a movement direction and a size of at least a portion of the first pattern in order to compensate for the position of the pattern of the initial mask.

Abstract translation: 提供一种制造定制掩模的方法和使用定制掩模制造半导体器件的方法。 制造定制掩模的方法包括以下步骤：在模具结构中形成第一图案; 在具有第一图案的模具结构中使用初始掩模形成第二图案; 测量所述第一图案和所述第二图案的重叠缺陷; 并通过根据测量结果补偿初始掩模的图案的位置来制造定制掩模。 初始掩模的图案的至少一部分的位置对应于第一图案的至少一部分的移动方向和尺寸移动，以便补偿初始掩模的图案的位置。

公开(公告)号：KR1020110037718A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：KR1020090095268

申请日：2009-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤동기 ,  이시용 ,  김경선 ,  최성운 ,  오석환 ,  김상욱 ,  박승학

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/70433

Abstract: PURPOSE: A method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type are provided to form a pattern having a line narrower a minimum width in a photolithographic process by using a copolymers forming a cylinder type domain array. CONSTITUTION: In a method of simultaneously forming a pattern of a line type and an island type, a self-assembly guiding layer(6) including a first region and a second region is formed on a semiconductor substrate(1). A block copolymer layer is coated on the self-assembly guiding layer. A first pattern, a second pattern, and a third pattern are formed by dividing the block copolymer layer. At least one of a first to a third pattern is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种同时形成线型和岛型的图案的方法，以通过使用形成圆柱型畴阵列的共聚物在光刻工艺中形成具有窄最小宽度的线的图案。 构成：在同时形成线型和岛型图案的方法中，在半导体衬底（1）上形成包括第一区域和第二区域的自组装引导层（6）。 嵌段共聚物层涂覆在自组装引导层上。 通过分割嵌段共聚物层形成第一图案，第二图案和第三图案。 去除了第一至第三图案中的至少一个。