公开(公告)号：KR101933549B1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：KR1020110066942

申请日：2011-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재용 ,  신화수 ,  고준영 ,  정기현

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은 기판의 손상을 최소화할 수 있는 반도체 칩 제거장치 및 그의 제거방법을 개시한다. 그의 장치는, 반도체 칩이 범프들에 의해 실장된 기판을 지지하는 스테이지와, 상기 반도체 칩보다 넓은 조사면적의 레이저 빔을 상기 기판에 조사하는 레이저와, 상기 레이저 빔을 상기 반도체 칩에 국부적으로 투과시키고, 상기 레이저 빔에 의해 가열된 상기 반도체 칩을 상기 기판으로부터 분리하는 피커를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140106279A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：KR1020130020632

申请日：2013-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재용 ,  고준영 ,  김상준

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L24/95 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor package is provided. The method for manufacturing a semiconductor package comprises: providing a wafer including an upper region with a TSV and a lower region without the TSV; mounting a semiconductor chip on the upper region of the wafer; forming a protective film covering the semiconductor chip with a predetermined thickness; exposing the TSV by removing the lower region of the wafer while a supporter is not attached to the wafer; and exposing the upper surface of the semiconductor chip by removing a portion of the protective film.

Abstract translation: 提供一种半导体封装的制造方法。 制造半导体封装的方法包括：提供包括具有TSV的上部区域和没有TSV的下部区域的晶片; 将半导体芯片安装在晶片的上部区域上; 以预定厚度形成覆盖半导体芯片的保护膜; 通过在支撑体未附接到晶片的同时移除晶片的下部区域来暴露TSV; 并且通过去除保护膜的一部分来暴露半导体芯片的上表面。

公开(公告)号：KR101348748B1

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：KR1020070085727

申请日：2007-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고준영 ,  천대상 ,  김희석 ,  신화수 ,  박재용

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/045

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/15311

Abstract: 별도로 제작된 재배선 기판을 사용하여 반도체 패키지의 두께를 얇게 하고 제조비용을 절약할 수 있는 반도체 패키지 제조방법에 관해 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 재배선 기판 위에 반도체 칩을 부착하는 단계와, 반도체 칩이 부착된 재배선 기판을 인쇄회로기판에 부착하는 단계와, 재배선 기판의 지지기판을 제거하는 단계와, 반도체 칩의 본드패드와 상기 인쇄회로기판의 본드 핑거를 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와, 비아홀에 도전물질을 충진하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 재배선 기판을 이용한 반도체 패키지 제조방법을 제공한다. 상기 재배선 기판 위에는 다른 반도체 칩이 부착된 재배선 기판이 추가로 탑재될 수 있다.
적층형 반도체 패키지, 재배선 기판, 도전성 잉크, 마스크층.

公开(公告)号：KR1020130005504A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020110066942

申请日：2011-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재용 ,  신화수 ,  고준영 ,  정기현

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L24/799 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/018 ,  B23K26/38 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H05K13/0486 ,  Y10T29/49821 ,  Y10T29/53274

Abstract: PURPOSE: A device for removing a semiconductor chip by using a laser beam and a removing method thereof are provided to minimize thermal damage to a substrate in a flip chip during the removal of the semiconductor chip. CONSTITUTION: A stage(10) support an substrate including a semiconductor chip through bumps. A laser emits a laser beam to a substrate wider than the semiconductor chip. A picker(34) locally transmits the laser beam to the semiconductor chip and separates the semiconductor chip from the substrate heated by the laser beam. [Reference numerals] (30) Vacuum unit; (32) Operating unit; (35) Air blowing unit; (37) Flux providing unit; (70) Lase; (92) Loader; (94) Unloader; (96) Semiconductor chip recognition unit

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用激光束去除半导体芯片的装置及其去除方法，以在去除半导体芯片期间最小化倒装芯片中的基板的热损伤。 构成：阶段（10）通过凸块支撑包括半导体芯片的衬底。 激光器将激光束发射到比半导体芯片更宽的基板。 拾取器（34）将激光束局部发射到半导体芯片，并将半导体芯片与由激光束加热的衬底分离。 （附图标记）（30）真空单元; （32）操作单元; （35）送风单元; （37）助焊剂提供单元; （70）拉链; （92）装载机; （94）卸载机; （96）半导体芯片识别单元

公开(公告)号：KR100169817B1

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019950068150

申请日：1995-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고준영 ,  박재용 ,  김민일

IPC: H01L23/50

Abstract: 본 발명은 반도체 패키지의 리드 절곡장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 리드를 절곡하기 위해 패키지의 하부를 받쳐주는 다이 네스트와 상부에서 가압하는 녹 아웃이 상하부 편심 캠에 의하여 탄력적으로 작용하여 리드의 절곡시 리드의 형상을 안정하게 절곡하기 위한 반도체 패키지의 리드 절곡장치에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 패키지의 리드를 절곡하는 장치에 있어서, 상기 반도체 패키지를 하부에서 받쳐주는 다이 네스트; 상기 다이 네스트의 외측에서 상기 반도체 패키지의 리드의 하부를 받쳐주며, 복수개의 하부 편심 캠축과 연결된 하부 편심 캠; 상기 다이 네스트 상부에 위치하며, 사이 반도체 패키지의 상부를 고정하기 위한 녹 아웃; 및 상기 녹 아웃의 외측에 설치되어 있으며, 상기 하부 편심 캠과 대응된 위치에 설치되어 상기 반도체 패키지의 리드의 상부를 고정하며, 복수개의 상부 편심 캠축과 연결된 상부 편심 캠;을 포함하며, 상기 반도체 패키지의 리드가 상기 상부 편심 캠과 하부 편심 캠에 맞물린 상태에서 상기 상·하부의 편심 캠축의 회전에 의해 절곡되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 리드 절곡 장치를 제공한다.
따라서, 상기 전술한 바에 의하면, 반도체 패키지의 리드를 절곡할 때 캠의 작동에 따른 직선운동이 회전운동으로 되어 캠선도와 같은 원호 운동을 하게 됨으로써 리드의 절곡시 리드 이동경로와 일치시킬 수 있고, 리드 표면과 캠과의 마찰을 줄이므로써 도포물질을 손상시키지 않으며, 리드의 형상을 안정적으로 절곡할 수 있는 이점(利點)이 있다.

公开(公告)号：KR102038488B1

公开(公告)日：2019-10-30

申请号：KR1020130020632

申请日：2013-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재용 ,  고준영 ,  김상준

IPC: H01L23/48

公开(公告)号：KR1020170055603A

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020150158175

申请日：2015-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영민 ,  박재용 ,  송근호 ,  조병주

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B28D5/0082 ,  B28D5/022 ,  B32B37/1009 ,  B32B38/0004 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 본발명은테이프필름라미네이션장치및 그를포함하는반도체소자의제조설비를개시한다. 그의장치는, 하우징과, 하우징내에배치되고, 기판을수납하는기판홀더와, 하우징상에배치되고, 기판홀더상에테이프필름을고정하는필름홀더와, 필름홀더아래의하우징에연결되고, 하우징내의공기를배기하여테이프필름을기판에접합시키는배기부를포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种带膜层压设备和用于制造包括其的半导体器件的设备。 该装置包括外壳，用于容纳基板的基板支架，设置在外壳上的薄膜支架，薄膜支架在基板支架上保持带膜，以及在薄膜支架下方连接到外壳的外壳， 以及排气部分，用于排空空气以将带膜粘合到基板上。

公开(公告)号：KR1020130123958A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020120047506

申请日：2012-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원재인 ,  정기현 ,  박재용

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A semiconductor device according to the present invention comprise a lower semiconductor package which includes at least one lower semiconductor chip; at least one upper semiconductor package which includes at least an upper semiconductor chip and is mounted on the lower semiconductor package; and connection solder balls which are arranged in a molding film interposed between the lower and upper semiconductor packages and electrically connected to the lower and upper semiconductor packages, wherein at least a portion of the connection solder balls is exposed above the molding film, and there is no gap between the connection solder balls and the molding film.

Abstract translation: 根据本发明的半导体器件包括下半导体封装，其包括至少一个下半导体芯片; 至少一个上半导体封装，其至少包括上半导体芯片并且安装在所述下半导体封装上; 以及连接焊球，其布置在插入在下半导体封装件和上半导体封装之间并与下半导体封装件和上半导体封装件电连接的模制膜中，其中至少一部分连接焊球暴露在模制膜上方，并且存在 连接焊球与成型膜之间没有间隙。

公开(公告)号：KR1020110062482A

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020090119223

申请日：2009-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유황복 ,  정기현 ,  박재용 ,  송호건

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: PURPOSE: A method for forming a bonding structure is provided to increase contact areas between contact balls and bonding pads by compressing the neck parts of wires to the edge parts of pre-contacting balls in the wires to form contact balls. CONSTITUTION: A bonding structure(122) electrically connects a semiconductor chip(100) and a wiring board(104). A bonding pad(102) electrically connects a memory device and a logic device. The bonding pad is formed at the edge part or the center part of the semiconductor chip. An electrode pad(106) is formed on the wiring board. The bonding structure electrically connects the bonding pad and the electrode pad. The bonding structure includes contact ball(120) and a wire(114).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成接合结构的方法，以通过将电线的颈部部分压缩到电线中预接触球的边缘部分来形成接触球，以增加接触球和接合焊盘之间的接触面积。 结构：接合结构（122）电连接半导体芯片（100）和布线板（104）。 接合焊盘（102）电连接存储器件和逻辑器件。 接合焊盘形成在半导体芯片的边缘部分或中心部分。 电极焊盘（106）形成在布线板上。 接合结构将接合焊盘和电极焊盘电连接。 接合结构包括接触球（120）和线（114）。

公开(公告)号：KR1020110050208A

公开(公告)日：2011-05-13

申请号：KR1020090107088

申请日：2009-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재용 ,  김희석 ,  고준영 ,  천대상

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/26 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A stack type semiconductor device having different backside structure chips and electronic apparatus including the same are provided to suppress data change due to an external effect of the transistor region in the semiconductor chip by preventing charge loss due to the diffusion of a metal contaminant. CONSTITUTION: In a stack type semiconductor device having different backside structure chips and electronic apparatus including the same, a first semiconductor chip(110A) is loaded on a basic frame(140). The bottom of the first semiconductor chip has a first surface roughness. A second semiconductor chip(110B) is loaded in the first on semiconductor chip. The bottom of the semiconductor chip has a second surface roughness which is higher than the first roughness by 1.2nm. A third and fourth semiconductor chips are mounted in the second semiconductor chip.

Abstract translation: 目的：提供具有不同的背面结构芯片的堆叠型半导体器件和包括其的电子设备，以通过防止由于金属污染物的扩散引起的电荷损失来抑制由于半导体芯片中的晶体管区域的外部影响引起的数据变化。 构成：在具有不同的背面结构芯片的堆叠型半导体器件和包括其的电子设备中，第一半导体芯片（110A）装载在基本框架（140）上。 第一半导体芯片的底部具有第一表面粗糙度。 第二半导体芯片（110B）装载在第一半导体芯片上。 半导体芯片的底部具有比第一粗糙度高1.2nm的第二表面粗糙度。 第三和第四半导体芯片安装在第二半导体芯片中。