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公开(公告)号：KR102233812B1
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020140097532A
申请日：2014-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G05B19/418 , H01L21/00
CPC classification number: G06Q10/06314 , G06Q50/04 , Y02P90/30
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 복수의 설비들로부터의 설비 정보를 처리하는 방법은: 상기 복수의 설비들로부터 수집된 상기 설비 정보를 실제 정보 및 연관 정보를 갖도록 표준화하는 단계; 네트워크를 통하여, 단위 시간당 예상되는 상기 설비 정보의 생산량에 기초하여 상기 표준화된 설비 정보를 수집하는 단계; 상기 수집된 설비 정보를 객체화하여 분석 정보를 생성하는 단계; 그리고 상기 분석 정보를 정보 분류표에 따라 단위 스케줄로 재구성하는 역 스케줄링을 실행하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 제품의 생산성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100292410B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019990022541
申请日：1999-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32431 , C23C16/4583 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/32136 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , Y10T117/10
Abstract: 본발명의반도체제조용반응챔버는플라즈마를이용하여반도체웨이퍼의물질막을식각하기위한것이다. 상기반도체제조용반응챔버는, 상기반도체웨이퍼를흡착하는정전기적척과, 상기정전기적척의상부에서반도체웨이퍼의측면을둘러싸는원형고리형태로설치되어반도체웨이퍼의이탈을방지하며, 상기반도체웨이퍼의측면과대향하는제1 측면이상기반도체웨이퍼의측면과밀착되도록설치되는에지링을구비한다.
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公开(公告)号：KR1020010019237A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1019990035548
申请日：1999-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A dry etching apparatus is provided to improve process uniformity by generating stable plasma in a reaction chamber, and to increase yield by preventing impurities from being generated by an etching process and a polymer deposition process. CONSTITUTION: An inner circumferential surface of an edge ring(350) having a bent portion has a height not lower than that of an upper surface of a wafer settling unit to make the edge ring closely adhered to a wafer(WF), so that impurities caused by an etching process and a polymer deposition process are prevented from being generated on a back surface of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供一种干蚀刻装置，通过在反应室中产生稳定的等离子体来提高工艺均匀性，并且通过防止通过蚀刻工艺和聚合物沉积工艺产生杂质来提高产量。 构成：具有弯曲部分的边缘环（350）的内周面具有不低于晶片沉降单元的上表面的高度的高度，以使边缘环紧密地附着在晶片（WF）上，使得杂质 防止在晶片的背面产生蚀刻工艺和聚合物沉积工艺。
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公开(公告)号：KR1020010001008A
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR1019990019959
申请日：1999-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/52
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/5096 , H01L21/68757
Abstract: PURPOSE: Provided is an electrode for preventing arc generation between susceptor and backside of wafer in CVD process, by means of using susceptor made of ceramic material or alumina nitride as one of ceramic material. CONSTITUTION: The susceptor is manufactured by insulating susceptor made of ceramic or alumina nitride materials from high frequency plasma produced in CVD process and inserting Mo or other conductor therein. An earth wire that is leaded from the conductor is grounded to a chamber (10), thereby insulating off gas plasma generated from CVD process.
Abstract translation: 目的：通过使用由陶瓷材料或氧化铝作为陶瓷材料制成的基座，提供了一种用于防止CVD工艺中的基座和背面之间产生电弧的电极。 构成：基座由CVD工艺生产的高频等离子体等离子体陶瓷或氮化铝材料的隔离基座制成，并在其中插入Mo或其他导体。 从导体引出的接地线接地到室（10），从而绝缘由CVD工艺产生的气体等离子体。
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公开(公告)号：KR1019990069091A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980003117
申请日：1998-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 서셉터에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼를 가열하는 원통형상의 히터; 상기 히터의 내부에 위치하며 웨이퍼를 진공흡착할 수 있도록 일측에 진공홀이 형성된 진공척; 상기 진공척을 상기 히터에 위치하도록 상기 진공척이 통과하여 지지될 수 있도록 링(Ring)형상으로 형성되며, 상기 진공척의 진공홀을 따라 진공을 형성하기 위한 진공노즐이 통과할 수 있도록 일측이 개방된 진공척클립; 및 상기 개방된 부분을 통하는 진공노즐을 상기 진공척클립의 일측에 고정시키는 고정부재를 구비하여 이루어진다.
따라서, 공정진행시 서셉터 진공노즐의 진동을 억제하므로써 상기 진공노즐의 진공이 누출되는 것을 차단하여 웨이퍼의 떨어트림 및 파티클 발생을 방지하는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100460338B1
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1019980003117
申请日：1998-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A susceptor for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a wafer from being dropped during a fabricating process and avoid generation of particles by attaching a fixing apparatus of a vacuum nozzle of a susceptor to a susceptor clip. CONSTITUTION: A heater(10) of a cylindrical type heats a wafer(12). A vacuum chuck is located in the heater. Vacuum holes are formed at a side of the vacuum chuck to be capable of vacuum-absorbing the wafer. A vacuum chuck clip is formed of a ring type so that the vacuum chuck passes through the vacuum chuck clip to be supported and the vacuum chuck is positioned in the heater. A side of the vacuum chuck clip is opened to make a vacuum nozzle for forming vacuum pass through the vacuum holes of the vacuum chuck. The vacuum nozzle passing through the opened portion is fixed to a side of the vacuum chuck clip by a fixing member(14).
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公开(公告)号：KR2020010000161U
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR2019990009822
申请日：1999-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본고안은반도체로드락챔버의외부도어와연결된제 1 축이회전하는것을방지하는반도체로드락챔버의외부도어에관한것이다. 본고안에따른반도체로드락챔버의외부도어는, 로드락챔버의웨이퍼출입구를폐쇄시킬수 있으며, 소정부에가로방향홈이형성된도어와, 상기홈에삽입고정된제 1 축과, 상기제 1 축이삽입연결되는제 1 관통홀이전단부에형성되어있고, 고정축으로작용하는제 2 축이삽입연결되는제 2 관통홀이중간부에형성되어있고, 제 3 관통홀이후단부에형성된실린더플레이트와, 상기제 3 관통홀을이용하여연결되어피스톤동작을수행하여상기도어가제 2 축을중심으로회전할수 있도록하는피스톤을구비하여이루어지는것을특징으로하는반도체로드락챔버의외부도어에있어서, 상기제 1 축은상기홈 내부에서회전되는것이방지되도록소정부가각이진봉형상으로이루어지거나고정나사에의해서고정되어있는것을특징으로한다. 따라서, 제 1 축의회전에의해서로르락챔버에서리크가발생하는것을방지할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020000032296A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980048717
申请日：1998-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: An apparatus for etching a semiconductor is provided to minimize a particle generation when rings for an equipment inspection are divided and assembled, prevent a polymer from being deposited in a screw hole, and reduce a time required for the inspection. CONSTITUTION: An apparatus for etching a semiconductor includes baffles(18a, 18b), a cathode(17), first and second rings, but the screw hole of the second ring is removed for combine the first and second rings with one body. The baffles control a flow of an etching gas. The cathode is used as an electrode to improve the etching characteristic of gases passed the baffles. The first ring surrounds around the cathode and prevents the gases from being leaked to the outer. The second ring is in the inside of the first ring and prevents the gases from being leaked, together with the first ring.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体的设备，以便在分组和组装用于设备检查的环时最小化颗粒产生，防止聚合物沉积在螺丝孔中，并减少检查所需的时间。 构成：用于蚀刻半导体的装置包括挡板（18a，18b），阴极（17），第一和第二环，但是去除了第二环的螺孔，以将第一和第二环与一体结合。 挡板控制蚀刻气体的流动。 阴极用作电极以改善通过挡板的气体的蚀刻特性。 第一环围绕阴极围绕，并防止气体泄漏到外部。 第二个环位于第一个环的内部，并防止气体与第一个环一起泄漏。
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公开(公告)号：KR1020000032295A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980048716
申请日：1998-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: An apparatus for etching a semiconductor is provided to prevent a particle from being generated when a confinement ring and an attachment ring are divided and assembled and polymer between the rings from being deposited, thereby, extending an inspection period. CONSTITUTION: An apparatus for etching a semiconductor includes baffles(18a,18b), a cathode(17), a first ring and a second ring, but the first and second ring are unified as an one body. The baffles control flow of an etching gas. The cathode is used as an electrode to improve etching characteristic of gases passed the baffles. The first ring surrounds around the cathode to prevent the gases from being leaked. The second ring is in the inside of the first ring and prevents the gases from being leaked together with the first ring.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体的装置，以防止在限制环和附接环被分割和组装时产生颗粒，并且环之间的聚合物被沉积，从而延长了检查周期。 构成：用于蚀刻半导体的装置包括挡板（18a，18b），阴极（17），第一环和第二环，但是第一和第二环被统一为一体。 挡板控制蚀刻气体的流动。 阴极用作电极以改善通过挡板的气体的蚀刻特性。 第一环围绕阴极围绕，以防止气体泄漏。 第二个环位于第一个环的内部，并防止气体与第一个环一起泄漏。
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公开(公告)号：KR1019990080844A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980014379
申请日：1998-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 식각장치의 배플에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버 내에 위치하는 척의 원주면에 면접될 수 있도록 설치되며, 상기 공정챔버의 하부에 구비되는 진공챔버와 경계지울 수 있는 소정의 경계면으로 형성되는 플레이트 등으로 이루어지는 반도체소자 제조용 식각장치의 배플에 있어서, 상기 공정챔버 내에 잔류하는 미반응가스 등을 상기 진공챔버로 배기시킬 수 있도록 상기 플레이트에는 그 상부표면으로부터 소정의 깊이까지로는 내측면의 이격거리가 하향축소되는 테이퍼형상으로 형성시키고, 상기 소정의 깊이에서부터 하부표면까지로는 내측면의 이격거리가 일정한 수직형상으로 형성시킬 수 있는 슬릿을 구비시켜 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 미반응가스 등에 의하여 발생하는 폴리머로 인한 공정챔버의 진공의 변화를 최소화시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되고 또한 파티클의 발생을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
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