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公开(公告)号：KR100606187B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020040054828
申请日：2004-07-14
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/106 , C23G1/125
Abstract: 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하면서 반도체 기판 상에 잔류하는 불순물의 제거 효과가 우수한 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및 반도체 장치 제조 방법에서, 상기 반도체 기판 세정용 조성물은 산성수용액에 제1 킬레이트제 및 제2 킬레이트제를 첨가하여 제조한다. 반도체 기판 상부에 금속 패턴 형성 후, 반도체 기판 표면 세정에 상기 반도체 기판 세정용 조성물을 사용하면 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하고 기판 상에 잔류하는 불순물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라 반도체 장치의 불량을 방지함과 동시에 반도체 기판의 세정 시간을 단축할 수 있다.
Abstract translation: 金属层以及使用半导体器件制造方法，在含水酸性溶液为在第一螯合物清洗半导体基板上的组合物该清洗最小化损坏，以除去残留的氧化物膜的半导体衬底上的杂质的清洁优异的半导体衬底的效果，在方式的组合物 还有第二种螯合剂。 用于清洗形成金属图案的半导体衬底之后的半导体基板的组合物，在半导体基板表面洗涤以最小化对金属层和氧化膜的损伤，并且可以促进去除残留在基板上的杂质。 结果，可以防止半导体器件的缺陷，并且可以缩短半导体衬底的清洁时间。
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公开(公告)号：KR100706822B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050097372
申请日：2005-10-17
Abstract: 절연막을 효과적으로 제거할 수 있는 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법 및 기판의 재생 방법에 있어서, 절연 물질 제거용 조성물은 불소 화합물 5 중량% 내지 40 중량%, 제1 산화제 0.01 중량% 내지 20 중량%, 제2 산화제 10 중량% 내지 50 중량% 및 여분의 순수를 포함한다. 절연 물질 제거용 조성물을 저유전율막 및/또는 보호막이 형성된 기판에 적용하여, 기판의 손상 없이 저유전율막 및/또는 보호막을 제거할 수 있고, 경제적으로 기판을 재생할 수 있다.
Abstract translation: 在保温以除去绝缘膜有效物质去除组合物，除去使用相同的方法和衬底的再现方法中，除去组合物的绝缘材料的绝缘膜的是5％至40％（重量）的氟化合物的，第一氧化剂从0.01％至 20重量％，第二氧化剂10重量％至50重量％，以及额外的纯水。 通过施加绝缘材料以除去所述组合物为低介电常数膜和/或基板中形成的保护膜，也能够除去该低介电常数膜和/或保护层，而不损坏基片，有可能在经济上玩的基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100660863B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050030429
申请日：2005-04-12
IPC: H01L21/304
Abstract: A cleaning solution and a method for forming a metal pattern of a semiconductor device are provided to remove completely a hard polymer by using a mixed solution containing acetic acid, inorganic acid, fluoride compound, and deionized water. A metallic film made of Ru is formed on a substrate(10). A TiN layer is formed on the metallic film. A TiN pattern and a metallic pattern(20a) are formed on the resultant structure by performing selectively a dry etching process on the TiN layer and the metallic film. The by-products due to the etching process are removed from a peripheral region of the metallic pattern without the damage of the TiN pattern by performing a cleaning process on the resultant structure using a mixed solution containing acetic acid, inorganic acid, fluoride compound, a corrosion inhibitor, deionized water.
Abstract translation: 提供了一种用于形成半导体器件的金属图案的清洁溶液和方法，以通过使用含有乙酸，无机酸，氟化合物和去离子水的混合溶液完全除去硬质聚合物。 在基板（10）上形成由Ru构成的金属膜。 在金属膜上形成TiN层。 TiN图案和金属图案（20a）通过在TiN层和金属膜上选择性地执行干法蚀刻工艺而形成在所得结构上。 通过使用含有乙酸，无机酸，氟化合物，无机酸，氟化合物，二氧化碳和氧化剂的混合溶液对所得结构进行清洁处理，由蚀刻处理产生的副产物从金属图案的周边区域被去除而没有TiN图案的损坏 缓蚀剂，去离子水。
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020060005845A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：KR1020040054828
申请日：2004-07-14
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/106 , C23G1/125
Abstract: A metal-containing pattern structure is formed on a semiconductor substrate, and a cleaning composition is applied to the semiconductor substrate. The cleaning composition includes, based on a total weight of the cleaning composition, about 78 wt % to about 99.98 wt % of an acidic aqueous solution, about 0.01 wt % to about 11 wt % of a first chelating agent, and about 0.01 wt % to about 11 wt % of a second chelating agent. The metal-containing pattern structure includes an exposed first surface portion and a second surface portion covered with a polymer. Application of the cleaning solution forms a first corrosion-inhibition layer on the first surface portion of the metal-containing pattern structure, and removes the polymer from the second surface portion of the metal-containing pattern structure.
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公开(公告)号：KR100675284B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050009254
申请日：2005-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D3/042 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D11/0047
Abstract: 고유전막(high-k dielectrics)을 선택적으로 제거할 수 있는 마이크로일렉트로닉 세정제를 제공한다. 상기 마이크로일렉트로닉 세정제는 0.001 중량% 보다 크고 10 중량% 보다 작은 함량을 갖는 불화물(fluoride), 0.001 중량% 보다 크고 30 중량% 보다 작은 함량을 갖는 산(acid), 0.001 중량% 보다 크고 20 중량% 보다 작은 함량을 갖는 킬레이트 시약(chelating agent), 0.001 중량% 보다 크고 10 중량% 보다 작은 함량을 갖는 계면활성제(surfactant), 및 물(H
2 O)로 이루어진다. 이에 더하여, 상기 마이크로일렉트로닉 세정제를 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법 또한 제공된다.-
公开(公告)号：KR1020060088380A
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：KR1020050009254
申请日：2005-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D3/042 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , C11D1/008 , C11D3/02
Abstract: According to an example embodiment of the present invention, the microelectronic cleaning agent may include a fluoride component, an acid component, a chelating agent, a surfactant and water. Example embodiments of the present invention provide a microelectronic cleaning agent which can selectively remove, for example, a high-k dielectric layer. The microelectronic cleaning agent includes from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a fluoride component, from about 0.001 weight % to about 30 weight % of an acid component, from about 0.001 weight % to about 20 weight % of a chelating agent, from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a surfactant, and water (H 2 O). The water may comprise the remainder of the cleaning agent. According to another embodiment of the present invention, a method of fabricating a semiconductor device using the microelectronic cleaning agent is also provided.
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020050110470A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1020040035495
申请日：2004-05-19
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0084 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하면서 반도체 기판 상에 잔류하는 불순물의 제거 효과가 우수한 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및 반도체 장치 제조 방법에서, 상기 세정액 조성물은 산성수용액에 부식방지제를 첨가하여 제조한다. 반도체 기판의 건식식각 공정 후, 반도체 기판 표면 세정에 상기 세정액 조성물을 사용하면 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하고 기판상에 잔류하는 불순물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라 반도체 장치의 불량을 방지함과 동시에 반도체 기판의 세정 시간을 단축할 수 있다.
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