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公开(公告)号：KR1020060088380A
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：KR1020050009254
申请日：2005-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D3/042 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , C11D1/008 , C11D3/02
Abstract: According to an example embodiment of the present invention, the microelectronic cleaning agent may include a fluoride component, an acid component, a chelating agent, a surfactant and water. Example embodiments of the present invention provide a microelectronic cleaning agent which can selectively remove, for example, a high-k dielectric layer. The microelectronic cleaning agent includes from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a fluoride component, from about 0.001 weight % to about 30 weight % of an acid component, from about 0.001 weight % to about 20 weight % of a chelating agent, from about 0.001 weight % to about 10 weight % of a surfactant, and water (H 2 O). The water may comprise the remainder of the cleaning agent. According to another embodiment of the present invention, a method of fabricating a semiconductor device using the microelectronic cleaning agent is also provided.
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公开(公告)号：KR101829399B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020100019538
申请日：2010-03-04
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 본발명은감광성수지제거제조성물및 이를이용하는반도체제조방법을제공한다. 이감광성수지제거제조성물은아민화합물과탈이온수를포함하되탈이온수의함량이 45~99 중량%이다. 이감광성수지제거제조성물은제거촉진제를더 포함한다. 이감광성수지제거제조성물은경화되거나변성된감광성수지및 그부산물을효과적으로짧은시간안에제거할수 있다. 또한이 감광성수지제거제조성물은금속에대한부식을최소화할수 있다.이감광성수지제거제조성물은물의함량이 45~99 중량%로높아서, 후속의세정공정에서이소프로필알콜없이증류수만을이용하는것이가능하다. 이로써전체공정을단순화시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种光敏树脂去除剂组合物及使用其的半导体制造方法。 光敏剂树脂去除剂组合物含有胺化合物和去离子水，其中去离子水含量为45至99重量％。 光敏剂树脂去除剂组合物还包含去除促进剂。 光敏剂去除树脂组合物可以在短时间内有效地去除固化或改性的光敏树脂及其副产物。 的感光性树脂除去剂组合物也可以被最小化金属的腐蚀。Yigam光成分去除树脂组合物也能够在清洗过程中的水含量为仅使用蒸馏水，而不异丙醇是高的，随后以45至99％（重量）。 这简化了整个过程。
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公开(公告)号：KR1020150111529A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140034798
申请日：2014-03-25
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/06 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L27/222
Abstract: 반도체장치에적용되는세정조성물이제공된다. 상기세정조성물은반도체실리콘기판상에건식식각공정을통하여물질막으로부터형성되는물질패턴에서, 물질패턴에적용되는습식식각공정의에천트(etchant)로써, 총 100 중량% 내에 10 내지 20 중량% 의하이드록실아민(hydroxylamine), 5 내지 20 중량% 의하이드라진하이드레이트(hydrazine hydrate), 10 내지 30 중량% 의유기용매와, 물을포함한다.
Abstract translation: 提供了应用于半导体器件的清洁组合物。 清洁组合物作为在半导体硅衬底上通过干法蚀刻工艺在物质图案上形成的物质图案中的湿蚀刻工艺中的蚀刻剂包含相对于总计100重量％的10-20重量％的 羟胺，5-20重量％的水合肼，10-30重量％的有机溶剂和水。
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公开(公告)号：KR100675284B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050009254
申请日：2005-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D3/042 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D11/0047
Abstract: 고유전막(high-k dielectrics)을 선택적으로 제거할 수 있는 마이크로일렉트로닉 세정제를 제공한다. 상기 마이크로일렉트로닉 세정제는 0.001 중량% 보다 크고 10 중량% 보다 작은 함량을 갖는 불화물(fluoride), 0.001 중량% 보다 크고 30 중량% 보다 작은 함량을 갖는 산(acid), 0.001 중량% 보다 크고 20 중량% 보다 작은 함량을 갖는 킬레이트 시약(chelating agent), 0.001 중량% 보다 크고 10 중량% 보다 작은 함량을 갖는 계면활성제(surfactant), 및 물(H
2 O)로 이루어진다. 이에 더하여, 상기 마이크로일렉트로닉 세정제를 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법 또한 제공된다.-
公开(公告)号：KR1020130042273A
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110106461
申请日：2011-10-18
Inventor： 홍영택 , 임정훈 , 이진욱 , 정찬진 , 한훈 , 박재완 , 박성환 , 이양화 , 윤병문 , 엄대홍 , 배상원 , 정지훈 , 김경현 , 김경환 , 문창섭 , 차세호 , 고용선
IPC: C09K13/04 , C09K13/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02658 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/16 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: PURPOSE: An etching composition is provided to have high selectivity to a nitrogen membrane, to minimize the generation of a particle in an etching process, and to minimize precipitation of a reaction side product. CONSTITUTION: An etching composition contains phosphor, ammonium ion, silicon atom, an atomic group which contains an amino group directly coupled to the silicon atom, and a silicon compound with two or more oxygen atoms coupled to the silicon atom. The atomic group is an amino alkoxy group or amino alkyl group. The silicon compound is represented by chemical formula 1: R^1-Si-(-O-H)3. In chemical formula 1, R^1 contains an amino alkoxy group or amino alkyl group. [Reference numerals] (AA) Etching selection ratio; (BB) Comparative example 1; (CC) Comparative example 2; (DD) Comparative example 3; (EE) Example 1; (FF) Example 2; (GG) Example 3; (HH) Example 4; (II) Example 5;
Abstract translation: 目的：提供蚀刻组合物以对氮膜具有高选择性，以最小化蚀刻工艺中的颗粒的产生，并使反应副产物的沉淀最小化。 构成：蚀刻组合物含有荧光体，铵离子，硅原子，含有与硅原子直接连接的氨基的原子团，以及具有与硅原子连接的两个以上氧原子的硅化合物。 原子团是氨基烷氧基或氨基烷基。 硅化合物由化学式1表示：R 1-Si - （ - O-H）3。 在化学式1中，R 1含有氨基烷氧基或氨基烷基。 （附图标记）（AA）蚀刻选择比; （BB）比较例1; （CC）比较例2; （DD）比较例3; （EE）实施例1; （FF）实施例2; （GG）实施例3; （HH）实施例4; （II）实施例5
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101782329B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020110106461
申请日：2011-10-18
Inventor： 홍영택 , 임정훈 , 이진욱 , 정찬진 , 한훈 , 박재완 , 박성환 , 이양화 , 윤병문 , 엄대홍 , 배상원 , 정지훈 , 김경현 , 김경환 , 문창섭 , 차세호 , 고용선
IPC: C09K13/04 , C09K13/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02658 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/16 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: 식각용조성물이제공된다. 본발명에따른식각용조성물은인산, 암모늄이온및 실리콘원자, 상기실리콘원자에직접적으로결합하는아미노기를포함하는원자단및 상기실리콘원자에결합된적어도 2개이상의산소원자들을포함하는실리콘화합물을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150083605A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140003344
申请日：2014-01-10
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/32133 , C09K13/04 , C23F1/26 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L27/11582 , H01L29/4236 , H01L29/4966 , H01L29/66666 , H01L29/7827
Abstract: 도전패턴의형성방법에있어서, 기판상에금속질화물을포함하는제1 도전막및 금속을포함하는제2 도전막을형성한다. 인산, 질산, 보조산화제및 여분의물을포함하며, 금속질화물및 금속에대해동일한식각속도를갖는식각액조성물을사용하여제1 도전막및 제2 도전막을습식식각한다. 식각액조성물에의해균일한식각면을갖는도전패턴을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成导电图案的方法和一种制造使用其的半导体器件的方法。 形成导电图案的方法包括以下步骤：在衬底上形成包括金属氮化物的第一导电膜和包含金属的第二导电膜; 并且通过使用具有磷酸，硝酸和辅助氧化剂的蚀刻液复合物对第一和第二导电膜进行湿蚀刻，并且对于金属氮化物和金属具有相同的蚀刻速度。 该方法可以通过蚀刻液体复合材料形成具有相同蚀刻表面的导电图案。
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公开(公告)号：KR1020110100500A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020100019538
申请日：2010-03-04
CPC classification number: G03F7/42 , G03F7/422 , C11D11/0047
Abstract: 본 발명은 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법을 제공한다. 이 감광성 수지 제거제 조성물은 아민 화합물과 탈이온수를 포함하되 탈이온수의 함량이 45~99 중량%이다. 이 감광성 수지 제거제 조성물은 제거 촉진제를 더 포함한다. 이 감광성 수지 제거제 조성물은 경화되거나 변성된 감광성 수지 및 그 부산물을 효과적으로 짧은 시간 안에 제거할 수 있다. 또한 이 감광성 수지 제거제 조성물은 금속에 대한 부식을 최소화할 수 있다.이 감광성 수지 제거제 조성물은 물의 함량이 45~99 중량%로 높아서, 후속의 세정 공정에서 이소프로필 알콜 없이 증류수만을 이용하는 것이 가능하다. 이로써 전체 공정을 단순화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100706822B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050097372
申请日：2005-10-17
Abstract: 절연막을 효과적으로 제거할 수 있는 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법 및 기판의 재생 방법에 있어서, 절연 물질 제거용 조성물은 불소 화합물 5 중량% 내지 40 중량%, 제1 산화제 0.01 중량% 내지 20 중량%, 제2 산화제 10 중량% 내지 50 중량% 및 여분의 순수를 포함한다. 절연 물질 제거용 조성물을 저유전율막 및/또는 보호막이 형성된 기판에 적용하여, 기판의 손상 없이 저유전율막 및/또는 보호막을 제거할 수 있고, 경제적으로 기판을 재생할 수 있다.
Abstract translation: 在保温以除去绝缘膜有效物质去除组合物，除去使用相同的方法和衬底的再现方法中，除去组合物的绝缘材料的绝缘膜的是5％至40％（重量）的氟化合物的，第一氧化剂从0.01％至 20重量％，第二氧化剂10重量％至50重量％，以及额外的纯水。 通过施加绝缘材料以除去所述组合物为低介电常数膜和/或基板中形成的保护膜，也能够除去该低介电常数膜和/或保护层，而不损坏基片，有可能在经济上玩的基板。
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公开(公告)号：KR100660863B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050030429
申请日：2005-04-12
IPC: H01L21/304
Abstract: A cleaning solution and a method for forming a metal pattern of a semiconductor device are provided to remove completely a hard polymer by using a mixed solution containing acetic acid, inorganic acid, fluoride compound, and deionized water. A metallic film made of Ru is formed on a substrate(10). A TiN layer is formed on the metallic film. A TiN pattern and a metallic pattern(20a) are formed on the resultant structure by performing selectively a dry etching process on the TiN layer and the metallic film. The by-products due to the etching process are removed from a peripheral region of the metallic pattern without the damage of the TiN pattern by performing a cleaning process on the resultant structure using a mixed solution containing acetic acid, inorganic acid, fluoride compound, a corrosion inhibitor, deionized water.
Abstract translation: 提供了一种用于形成半导体器件的金属图案的清洁溶液和方法，以通过使用含有乙酸，无机酸，氟化合物和去离子水的混合溶液完全除去硬质聚合物。 在基板（10）上形成由Ru构成的金属膜。 在金属膜上形成TiN层。 TiN图案和金属图案（20a）通过在TiN层和金属膜上选择性地执行干法蚀刻工艺而形成在所得结构上。 通过使用含有乙酸，无机酸，氟化合物，无机酸，氟化合物，二氧化碳和氧化剂的混合溶液对所得结构进行清洁处理，由蚀刻处理产生的副产物从金属图案的周边区域被去除而没有TiN图案的损坏 缓蚀剂，去离子水。
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