公开(公告)号：KR1020110061678A

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020090118151

申请日：2009-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 에릭로이.포썸 ,  김석필 ,  박윤동 ,  오훈상 ,  배형진 ,  윤태응

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/103 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/04

CPC classification number: H01L27/14647 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L31/103 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/045 ,  H04N2209/047

Abstract: PURPOSE: An image sensor and image processing device with the same are provided to obtain a clear color using a pixel of the image sensor which has a 2-layered structure. CONSTITUTION: A first photoelectric converting element generates a first electrical signal in response to incident light. An optoelectronic barrier(15) is formed in the lower part of the first photoelectric converting element. The second photoelectric converting element(20) is formed in the lower part of the optoelectronic barrier. The second photoelectric converting element generates a second electrical signal in response to incident light passing the optoelectronic barrier. A reflective film(30) is formed on the lower part of the second photoelectric converting element.

Abstract translation: 目的：提供具有该图像传感器和图像处理装置的图像传感器和图像处理装置，以使用具有2层结构的图像传感器的像素来获得清晰的颜色。 构成：第一光电转换元件响应于入射光产生第一电信号。 在第一光电转换元件的下部形成光电势垒（15）。 第二光电转换元件（20）形成在光电势垒的下部。 第二光电转换元件响应于通过光电势垒的入射光而产生第二电信号。 反射膜（30）形成在第二光电转换元件的下部。

公开(公告)号：KR101709941B1

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020090118151

申请日：2009-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 에릭로이.포썸 ,  김석필 ,  박윤동 ,  오훈상 ,  배형진 ,  윤태응

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/103 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/04

CPC classification number: H01L27/14647 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L31/103 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/045 ,  H04N2209/047

Abstract: 2-레이어구조를갖는이미지센서가개시된다. 상기이미지센서는입사광에응답하여제1전기신호를생성하기위한제1광전변환소자와, 상기제1광전변환소자의하부에형성된광전자베리어와, 상기광전자베리어의하부에형성되고상기광전자베리어를통과한입사광에응답하여제2전기신호를생성하기위한제2광전변환소자를포함한다.

Abstract translation: 图像传感器包括设置在基板的下部的第二光电转换装置和在二次光电转换装置和基板的光接收表面之间延伸的第一光电转换装置。 第一和第二光电转换装置之间的电隔离由光电子势垒提供，光电子势垒可以是光学透明的电绝缘材料。 可以使用MOS晶体管将在第一和第二光电转换装置内产生的光电子转移到图像传感器内的浮动扩散区域。 这些晶体管可以分别响应于第一和第二门控信号，表示用于将在第一和第二光电转换装置中产生的光电子转移到衬底中的浮动扩散区域的装置的一个示例。 第一和第二门控信号可以在非重叠时间间隔期间被激活。

公开(公告)号：KR101543664B1

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：KR1020080123762

申请日：2008-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 에릭로이.포썸 ,  진영구 ,  황수정 ,  차대길 ,  박윤동 ,  안정착 ,  문경식

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/37452

Abstract: 픽셀어레이및 이를포함하는입체영상센서가개시된다. 본발명의실시예에따른입체영상센서는, 종래의 MOS 구조대신에정션게이트구조를갖는픽셀구조를사용하기때문에광 이용효율이증대될수 있다. 또한, 생성된광전하가웰에저장되기때문에노이즈가크게감소될수 있다.

公开(公告)号：KR1020100065434A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080123762

申请日：2008-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 에릭로이.포썸 ,  진영구 ,  황수정 ,  차대길 ,  박윤동 ,  안정착 ,  문경식

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/37452

Abstract: PURPOSE: A pixel array and a three dimensional image sensor including the same are provided to store photo-charges in a well using a pixel unit which includes a junction gate structure. CONSTITUTION: A photo-charge storing area(10) is prepared. A gating area(20) is formed on one side of the photo-charge storing area. A photo-charge generating area(30) absorbs light in order to generate photo-charges and selectively provides the photo-charges to the photo-charge storing area in response to a voltage applied to the gating area. The photo-charge storing area and the photo-charge generating area are doped into a first type.

Abstract translation: 目的：提供像素阵列和包括其的三维图像传感器，以使用包括结门结构的像素单元将光电荷存储在阱中。 规定：准备光电储存区（10）。 门光区域（20）形成在光电荷存储区域的一侧。 光电荷产生区域（30）吸收光以产生光电荷，并且响应于施加到选通区域的电压而选择性地将光电荷提供给光电荷存储区域。 光电荷存储区域和光电荷产生区域被掺杂成第一类型。