公开(公告)号：KR1020140112230A

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020130026683

申请日：2013-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정훈 ,  류진아 ,  이창호 ,  김동원 ,  김재호 ,  박정대 ,  유내리 ,  전필권

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N23/20025 ,  G01N2223/611

Abstract: According to a method for detecting the inhomogeneity of a film, at least two sections of a film are irradiated with light at a first incident angle. First lights reflected from the two sections are detected. The at least two sections of the film are irradiated with light at a second incident angle. Second lights reflected from the two sections are detected. The inhomogeneity of the film is obtained by comparing the first and second reflection lights. Thus, the present invention can compare the reflectances of the lights totally reflected from foreign materials in the film among the lights reflected from the film with each other by irradiating the lights to the at least two sections of the film at the two or more incident angles; thereby accurately detecting the inhomogeneity of the film. Also, the present invention can prevent pattern defects since it can detect the film having defect factors, such as the foreign materials, beforehand.

Abstract translation: 根据用于检测膜的不均匀性的方法，以至少两个膜以第一入射角照射膜。 检测到从两个部分反射的第一个光。 膜的至少两个部分以第二入射角照射光。 检测到从两个部分反射的第二个光。 通过比较第一和第二反射光获得胶片的不均匀性。 因此，本发明可以比较通过在两个或更多个入射角度将光照射到膜的至少两个部分而将从膜反射的光中的膜中的异物全反射的光的反射率相比较 ; 从而准确地检测膜的不均匀性。 此外，本发明可以预防图案缺陷，因为它可以预先检测诸如异物的缺陷因素的膜。

公开(公告)号：KR1020160094220A

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：KR1020150015579

申请日：2015-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 김명구 ,  유내리 ,  이원기 ,  김현우 ,  이송세 ,  김민수 ,  백재열 ,  송현지

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0035 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/0337 ,  G03F7/2063 ,  G03F7/70033

Abstract: 본발명은하드마스크물질막의형성방법에관한것으로서, 보다구체적으로는, 상대적으로더 조밀한토폴로지(topology) 패턴을갖는제 1 영역및 상대적으로덜 조밀한토폴로지패턴을갖거나토폴로지패턴이형성되어있지않은제 2 영역을포함하는기판을제공하는단계; 상기제 1 영역의토폴로지패턴들사이를채우면서상기제 1 영역및 상기제 2 영역의전면을덮도록제 1 하드마스크물질막을형성하는단계; 상기제 1 영역의상기토폴로지패턴들사이의부분과나머지부분들간의용매용해도가달라지도록상기제 1 하드마스크물질막을열처리하는단계; 상기제 1 영역의상기토폴로지패턴들사이에서상기제 1 하드마스크물질막의적어도일부가잔존하도록상기제 1 영역및 상기제 2 영역의전면에형성된제 1 하드마스크물질막을제거하는단계; 및상기제 1 영역및 상기제 2 영역의전면을덮도록제 2 하드마스크물질막을형성하는단계를포함하는하드마스크물질막의형성방법에관한것이다. 본발명의하드마스크물질막형성방법을이용하면평탄도가현저히개선된하드마스크막을추가오염의우려없이신속하게얻을수 있고높은정밀도를갖는소자를제조할수 있게된다.

Abstract translation: 本发明涉及形成硬掩模材料层的方法。 更具体地，该方法包括：提供包括具有相对更密集的拓扑图案的第一区域的基板和具有相对较不密集的拓扑图案或不具有任何拓扑图案的第二区域的步骤; 形成第一硬掩模材料层以覆盖第一和第二区域的前侧的步骤，同时填充第一区域的拓扑图案之间的间隙; 热处理第一硬掩模材料膜以区分第一区域和其它部分的拓扑图案之间的部分之间的溶剂溶解度的步骤; 去除形成在第一和第二区域的前侧上的第一硬掩模材料层的步骤，以使第一硬掩模材料层的至少一部分保留在第一区域的拓扑图案之间; 以及形成第二硬盘材料层以覆盖第一和第二区域的前侧的步骤。 因此，本发明能够快速地获得具有显着提高的平坦度的硬掩模层，而没有额外的污染，并且以高精度制造器件。

公开(公告)号：KR1020160088763A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020150008261

申请日：2015-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정훈 ,  유내리 ,  김부득 ,  이송세 ,  최정식

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 본발명은스핀코팅용하드마스크조성물에관한것으로서, 보다구체적으로는그래핀(graphene) 공중합체; 및용매를포함하는스핀코팅용하드마스크조성물을제공한다. 본발명의하드마스크조성물은에칭내성이우수하여얇은두께의마스크로도증대된종횡비의식각이가능하다. 얇은두께의하드마스크로충분하기때문에충분한투명성을확보할수 있어키 얼라인먼트에유리하고, 재료비가적게들어경제적이다.

Abstract translation: 本发明涉及用于旋涂的硬掩模组合物，更具体地说，涉及一种用于旋涂的硬掩模组合物，其包含：石墨烯共聚物; 和溶剂。 本发明的硬掩模组合物具有优异的耐蚀刻性，从而即使用薄掩模也能以增加的纵横比进行蚀刻。 由于即使是薄的硬掩模也是足够的，本发明的硬掩模组合物可以确保足够的透明度，因此在键对准中是有利的，并且具有低的材料成本，因此是经济的。