-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101677748B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020140148444
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J7/24 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H05B31/26
Abstract: 본발명의기술적사상에의한펄스플라즈마장치는공정챔버에서반사되는반사전력을최소화하여펄스플라즈마를이용한반도체웨이퍼의식각공정의효율성을향상시키기위해, 0이아닌복수의레벨을가진펄스플라즈마전력을인가하고, 상기복수의레벨의플라즈마전력에따른임피던스정합커패시턴스를상기복수의레벨플라즈마의듀티사이클의비율에따라조합하여임피던스를정합할수 있는것을특징으로한다.
Abstract translation: 脉冲等离子体装置包括处理室，源RF发生器，被配置为向处理室的上电极提供具有第一和第二占空比的第一和第二电平的RF脉冲功率，被配置为指示反射RF功率的反射功率指示器，第一 匹配网络和控制器。 当分别提供第一级RF脉冲功率或第二级RF脉冲功率时，第一匹配网络被配置为将处理室的阻抗与源RF发生器的阻抗分别匹配为第一或第二匹配电容值。 控制器被配置为基于第一和第二匹配电容值和第一和第二占空比的比率来计算第三匹配电容值，将第三匹配电容值提供给第一匹配网络，并且控制源RF发生器和 第一匹配网络。
-
公开(公告)号：KR1020150084262A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004095
申请日：2014-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32394 , G05B23/0283 , G05B2219/45031 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/86
Abstract: 본발명은반도체제조설비의관리방법및 그의관리시스템을개시한다. 그의관리방법은설비컴퓨터의반도체제조설비의관리방법에있어서, 챔버및 상기챔버내의부품들의예방정비를지시하는단계와, 상기챔버및 상기부품들의상기예방정비결과를확인하는단계와, 상기예방정비결과가정상적일경우, 상기챔버내의플라즈마반응을이용한생산공정을수행하는단계를포함한다. 여기서, 상기예방정비결과의확인단계는, 상기챔버및 상기부품들로부터검출되는전기적반사계수값들을이용하여상기플라즈마반응없이상기예방정비의결과를확인하는프리스크린방법을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于管理半导体制造设备的方法及其管理系统。 用于管理设备计算机的半导体制造设备的方法包括以下步骤：指示腔室中的腔室和部件的预防性维护; 确认了该室和组件的预防性维护的结果; 并且当预防性维护的结果正常时，使用室内的等离子体响应进行生产处理。 预防性维护结果的确认步骤可以包括通过使用从部件和腔室检测的电反射系数值来确认没有等离子体响应的预防性维护的结果的自由屏幕方法。
-
-
公开(公告)号：KR1020170093303A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020160014323
申请日：2016-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/3213
Abstract: 본발명은플라즈마식각방법및 이를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 플라즈마식각방법은내부에서로대향된제1 전극및 제2 전극이배치된챔버를준비하고; 상기챔버내의상기제1 전극상에식각대상막을갖는기판을로딩하고; 그리고상기제1 전극에서로다른주파수를갖는복수의 RF 전력들을인가하여상기식각대상막을식각하는것을포함하고, 상기복수의 RF 전력들은: 상기챔버내에플라즈마를형성하기위해이용되는제1 RF 전력; 상기챔버내에서, 상기플라즈마의밀도를균일하게하기위해이용되는제2 RF 전력; 상기플라즈마내의이온들을상기기판상으로입사시키기위해이용되는제3 RF 전력; 그리고상기기판상으로입사되는상기이온들의이온에너지분포를고르게하기위해이용되는제4 RF 전력을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种等离子体蚀刻方法和使用该方法制造半导体器件的方法。 等离子体蚀刻方法包括：准备配置有相互相对的第一电极和第二电极的腔室; 在腔室中的第一电极上加载具有待蚀刻膜的基板; 以及通过向所述第一电极施加具有不同频率的多个RF功率来蚀刻所述蚀刻目标膜，所述多个RF功率包括：用于在所述腔室中形成等离子体的第一RF功率; 用于匀化腔室内等离子体密度的第二RF功率; 用于将离子撞击到等离子体中的衬底上的第三RF功率; 第四个RF功率用于均衡入射到衬底上的离子的离子能量分布。
-
公开(公告)号：KR1020160050396A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148444
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J7/24 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H05B31/26 , H01J37/32082 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: 본발명의기술적사상에의한펄스플라즈마장치는공정챔버에서반사되는반사전력을최소화하여펄스플라즈마를이용한반도체웨이퍼의식각공정의효율성을향상시키기위해, 0이아닌복수의레벨을가진펄스플라즈마전력을인가하고, 상기복수의레벨의플라즈마전력에따른임피던스정합커패시턴스를상기복수의레벨플라즈마의듀티사이클의비율에따라조합하여임피던스를정합할수 있는것을특징으로한다.
Abstract translation: 为了通过使从处理室反射的反射功率最小化来提高使用脉冲等离子体蚀刻半导体晶片的工艺的效率，根据本发明的脉冲等离子体装置应用具有多个非零电平和匹配的脉冲等离子体功率 通过根据具有多个电平的等离子体的占空比的比例，组合基于具有多个电平的等离子体功率的阻抗匹配电容的阻抗。 脉冲等离子体装置包括：处理室，其包括上电极和下电极; 源RF发生器，其将具有第一占空比的第一级RF脉冲功率和具有第二占空比的第二级RF脉冲功率施加到所述上电极; 反射功率测量器，其测量从处理室再次反射到源RF发生器的反射RF功率; 第一匹配网络，其将处理室的等离子体阻抗与源RF功率的阻抗相匹配; 以及控制单元，其控制源RF发生器和第一匹配网络，以便使由反射功率测量器测量的反射RF功率最小化。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.017 seconds)
