Abstract:
개시된 운동 관리 방법은 웨어러블 디바이스에 의한 운동 관리 방법으로서, 사용자에게 필요한 운동량에 대한 제 1 정보를 수신하는 단계; 사용자의 현재 운동 상태에 대한 제 2 정보를 획득하는 단계; 상기 제 1 정보와 제 2 정보를 비교하고, 비교 결과를 사용자에게 출력하는 관리 단계;를 포함한다. 이러한 웨어러블 디바이스를 착용하고 운동을 하는 사용자는 목표 운동량 달성에 적합한 운동 관리 서비스를 제공받을 수 있다.
Abstract:
반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 번-인 테스트 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는, 다수의 메모리 셀을 포함하며, 각각의 메모리 셀은 비트라인과 소스 라인 사이에 위치하는 저항성 소자 및 셀 트랜지스터를 포함하는 셀 어레이 및 정상 모드시 기준 소스 라인 전압을 상기 소스 라인에 제공하며, 테스트 모드시 제1 상태의 데이터를 기록하는 경우 상기 기준 소스 라인 전압보다 낮은 레벨을 갖는 제1 소스 라인 전압을 상기 소스 라인에 제공하고, 제2 상태의 데이터를 기록하는 경우 상기 기준 소스 라인 전압보다 높은 레벨을 갖는 제2 소스 라인 전압을 상기 소스 라인에 제공하는 소스 라인 전압 제공부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A biosensor using the aggregation of magnetic nanoparticles and a detecting method using the same are provided to quickly and sensitively detect a target material. CONSTITUTION: A biosensor comprises: a substrate(100) with a receptor(200) which specifically reacts with a target material(300); a first magnetic nanoparticle(400) with the same receptor; a magnetic field supply unit which applies a magnetic field to the first magnetic nanoparticle; and a second magnetic particle(600) which aggregates with the first magnetic nanoparticle. The target material is an enzyme substrate, a ligand, an antigen, an antibody, a nucleotide, an amino acid, a peptide, a protein, a nucleic acid, lipid, carbohydrate, an organic compound, or an inorganic compound. The first and second magnetic nanoparticles are independently a ferromagnetic or paramagnetic nanoparticle.
Abstract:
PURPOSE: A mass reinforcing method of gold nano-particles due to light irradiation, a biosensor, and biomolecule combining detection method using the same are provided to reinforce mass of the gold nano-particles by using an optical irradiation method. CONSTITUTION: A mass reinforcing method of gold nano-particles due to light irradiation comprises the following steps: irradiating a mixture including gold nano-particles(13) and reinforcing metal component(15) with light; and increasing the mass of the gold nano-particles by reducing thereof on the surface of the gold nano-particles. The light is ultraviolet ray. The metal reinforcing component is metallic ion. A bio molecular combining detection method comprises the following steps: reacting target bio molecular with bio sensors which detect physical property changes according to bondage of the target bio molecular; combining the gold nano-particle to the target bio molecular; dipping the bio sensor into a mixture which includes the metal reinforcing components and irradiating light; and detecting physical property change of the gold nano-particles.
Abstract:
PURPOSE: A biosensor cartridge for automating entire process for detecting a biogenic substance is provided to enable cheap and highly efficient detection and to enhance detection accuracy. CONSTITUTION: A biosensor cartridge(100) comprises: a plasma separator(110) for isolating plasma from blood; a plasma measuring unit(120) for measuring and storing the plasma isolated from the plasma separator; a mixer(150,152) for storing a sample to detecting a biogenic substance from plasma and mixing the plasma and sample; and a biosensor(180) which is injected to the mixture liquid of the plasma and sample and is used for detecting the biogenic substance in the plasma.
Abstract:
A high voltage semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent an abrupt increase of current in spite of charge traps at an interface between a gate insulating pattern and a buffer layer using a doped sediment region. A high voltage semiconductor device comprises a semiconductor substrate(100), a drift region, source/drain regions, a doped sediment region, a gate structure and a buffer layer. The drift region(210) is formed in the substrate to define a channel region. The source/drain regions(209) are formed in the drift region. The doped sediment region(213) is formed adjacent to the source/drain regions in the substrate. A gate structure(208) for exposing partially the source/drain regions to the outside is formed on the substrate. A buffer layer(215) is formed on the gate structure.
Abstract:
본 발명은 ESD(Electro-Static Discharge) 및 래치 업(latch-up)을 방지 할 수 있는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 그의 장치는, 칩 중앙의 반도체 기판에 형성된 셀 어레이 및 주변 회로; 상기 셀 어레이 및 주변 회로에 전기적으로 연결되어 칩 가장자리의 상기 반도체 기판에 형성된 ESD 방지용 트랜지스터; 상기 이디에스 방지용 트랜지스터를 사이에 두고 상기 셀 어레이 및 주변 회로에 전기적으로 연결되어 상기 칩 가장자리 반도체 기판 상에 형성된 패드; 상기 복수개의 패드의 하부에서 층간절연막에 의해 절연되고, 상기 패드 및 이디에스 방지용 트랜지스터를 통해 상기 반도체 기판으로 유입되는 전하에 의한 상기 셀 어레이 및 주변 회로의 래치 업을 방지하기 위해 상기 이디에스 방지용 트랜지스터로부터 상기 셀 어레이 및 주변 회로를 감싸도록 상기 반도체 기판에 형성된 가드링; 및 상기 셀 어레이 및 주변 회로와, 상기 가드링사이에서 상기 가드링과 나란한 방향으로 형성된 적어도 하나 이상의 보조 가드링을 포함하여 이루어진다. 정전기 방전(ESD), NWELL 가드링(guard ring), 레치 업(latch up), CMOS