公开(公告)号：KR100553685B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020030030645

申请日：2003-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승만 ,  임병기 ,  장진형

IPC: H01L21/68

CPC classification number: B25J15/0616 ,  B25J15/0052 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/6838

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 컨테이너로부터 웨이퍼를 언로딩하는 이송장치에 관한 것으로, 상기 장치는 멀티 아암부, 제어부, 그리고 진공펌프를 가진다. 멀티 아암부는 내부에 진공라인이 각각 형성되어 진공에 의해 반도체 기판을 흡착하는 복수의 블레이드들, 상기 복수의 블레이드들을 고정하는 고정체, 그리고 상기 고정체를 회전 또는 직선 이동하는 이동부를 가지며, 상기 복수의 블레이드들 내에 형성된 진공라인은 선택적으로 개방 또는 폐쇄된다.
상술한 구조를 가지는 본 발명에 의하면 컨테이너 내에 빈 슬롯이 존재하는 경우에도 복수의 웨이퍼들을 동시에 언로딩할 수 있는 효과가 있다
이송장치, 멀티 아암, 싱글 아암, 솔레노이드 밸브

公开(公告)号：KR1020040098329A

公开(公告)日：2004-11-20

申请号：KR1020030030645

申请日：2003-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승만 ,  임병기 ,  장진형

IPC: H01L21/68

CPC classification number: B25J15/0616 ,  B25J15/0052 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/6838

Abstract: PURPOSE: A transfer apparatus and method are provided to unload selectively a plurality of wafers from an FOUP(Front Open Unified Pod) by controlling corresponding vacuum lines of a multi-arm unit using a control unit. CONSTITUTION: A transfer apparatus includes a multi-arm unit, a control unit, and a vacuum pump. The multi-arm unit includes a plurality of blades(420) for adsorbing semiconductor substrates, a fixing body for fixing the blades, a transfer part for moving the fixing body, and a plurality of vacuum lines(450). The control unit is used for controlling the operation of the multi-arm unit. The vacuum pump is connected with the vacuum lines. The vacuum lines are formed in the blades, respectively. The vacuum lines are selectively opened and closed.

Abstract translation: 目的：提供一种传送装置和方法，通过使用控制单元控制多臂单元的相应真空线，从FOUP（前开式统一荚）中选择性地卸载多个晶片。 构成：传送装置包括多臂单元，控制单元和真空泵。 多臂单元包括用于吸附半导体基板的多个叶片（420），用于固定叶片的固定体，用于移动固定体的转印部分和多个真空线（450）。 控制单元用于控制多臂单元的操作。 真空泵与真空管线连接。 真空管线分别形成在叶片中。 选择性地打开和关闭真空管线。

公开(公告)号：KR1019980050999A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069848

申请日：1996-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오상근 ,  임병기

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 이온주입장치의 배기 시스템을 개시하는 것으로서, 배기펌프와, 상기 시스템의 외부에 설치되어 있는 메인덕트와, 상기 배기펌프로부터 제공되는 상기 가스를 상기 메인덕트로 배출시키는 배기덕트와, 상기 배기덕트의 내측상에 있는 부산물들을 가열시키기 위하여 가스저장탱크로부터 상기 가스덕트로 가열용 가스가 유입되게 하는 가스유입부재 및, 상기 잔류가스에 포함된 유독가스를 제거하는 스크루버를 포함하여, 상기 배기펌프로부터 제공된 상기 가스와 상기 가열된 부산물 사이의 반응을 억제하고 또한 유독가스를 제거하는 구조를 갖는다. 이러한 이온주입장치의 배기 시스템에 의해서, 상기 배기덕트내측에서는 코로나 방전이 발생되지 않게 되어서, 그 배기덕트가 타버리게 되는 것을 방지할 수 있다. 또한 이온주입공정중에 발생된 잔류가스에 함유된 유독가스를 수분과 함께 제거하고 그리고 소음의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080070100A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：KR1020070007700

申请日：2007-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기 ,  김성래 ,  윤기영 ,  이병근 ,  조경옥 ,  한성건 ,  김덕겸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67271 ,  H01L21/67288

Abstract: A wafer checking device for a semiconductor manufacturing device and a checking method thereof are provided to minimize the generation of badness by forming a controller for displaying a normal or abnormal condition and separating a defect wafer. A wafer checking device for a semiconductor manufacturing device comprises a wafer handler part(16) transferring a loaded wafer, a wafer handler control part(14) controlling the wafer handler part, a wafer reading section(18), a controller(20), and a display part(22). The wafer reading section reads the badness of the wafer transferred from the wafer handler part. The controller controls to display a normal or abnormal condition by receiving a wafer reading signal from the wafer reading section, and to separate a defect wafer. The display part displays the normal or abnormal condition of the wafer by control of the controller.

Abstract translation: 提供一种用于半导体制造装置的晶片检查装置及其检查方法，用于通过形成用于显示正常或异常状况的控制器和分离缺陷晶片来最小化不良的产生。 一种用于半导体制造装置的晶片检查装置包括：转印加载的晶片的晶片处理器部分（16），控制晶片处理器部分的晶片处理器控制部分（14），晶片读取部分（18），控制器（20） 和显示部（22）。 晶片读取部读取从晶片处理器部件传送的晶片的不良情况。 控制器通过从晶片读取部接收晶片读取信号并且分离缺陷晶片来控制显示正常或异常状态。 显示部通过控制器的控制来显示晶片的正常或异常状态。

公开(公告)号：KR1020070008296A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050063409

申请日：2005-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차광호 ,  임병기 ,  금경수 ,  김성구 ,  윤수한 ,  권의희 ,  김영태 ,  김영태

IPC: H01L21/265

Abstract: An ion source head of an ion implanting apparatus is provided to improve ionization efficiency of an ion source head by increasing the number of thermal electrons discharged from a filament and by minimizing a loss of thermal electrons when the thermal electrons collide with the inner wall of an arc chamber. A repeller(140) of a plate type is formed in one sidewall of an arc chamber(110). A filament(120) have a coil part which is bent a plurality of times on a surface parallel with the repeller, installed in the other sidewall of the arc chamber. A cathode plate(162) transfers the thermal electrons discharged from the filament to the inside of the arc chamber, positioned under the filament. The cathode plate is of a receptacle type which is open toward the center of the arc chamber, and the filament is positioned in the cathode plate.

Abstract translation: 提供了离子注入装置的离子源头，以通过增加从灯丝排出的热电子的数量来提高离子源头的离子化效率，并且通过最小化热电子与热电子的内壁碰撞时的损失最小化 电弧室。 在电弧室（110）的一个侧壁中形成有平板型的推斥板（140）。 灯丝（120）具有线圈部分，该线圈部分在平行于反射器的表面上弯曲多次，安装在电弧室的另一个侧壁中。 阴极板（162）将从灯丝排出的热电子传送到位于灯丝下方的电弧室内部。 阴极板是朝向电弧室的中心开口的插座型式，灯丝位于阴极板中。

公开(公告)号：KR100217334B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960048056

申请日：1996-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기 ,  오상근

IPC: H01L21/265

Abstract: 챔버 내부의 진공상태를 체크하여 이차전자 억제용 플레이트로 인가되는 전압을 스위칭함으로써 과전류 공급으로 인한 마이크로 방전 발생을 방지하도록 개선시킨 이온주입설비의 이차전자 발생 억제전압 인가장치에 관한 것이다.
본 발명은, 분석부, 가속부 및 스캔부를 거쳐서 엔드스테이션의 이온진행 경로에 복수 개의 이차전자 억제용 플레이트가 설치된 이온주입설비의 이차전자 발생 억제전압 인가장치에 있어서, 진공도를 체크하는 진공체크수단, 상기 체크된 진공도를 미리 설정된 값과 비교하여 제어신호를 출력하는 복수 개의 제어수단 및 각 제어수단에서 비교결과에 따른 제어신호가 인가되면 각 이차전자 억제용 플레이트로 전압을 선택적으로 인가하는 상기 제어수단에 대응되는 수의 파워공급수단을 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 이상 진공상태에서의 고전압 인가가 방지되어 마이크로 방전에 따른 챔버와 전압공급장치의 파손이 예방되어 설비의 수명이 극대화되고, 설비에 대한 신뢰도가 향상되며, 웨이퍼의 수율이 상승되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980069632A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970006792

申请日：1997-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기 ,  소창업

IPC: H01L21/265

Abstract: 이온주입설비로부터 배출되는 공정가스를 안정화시켜 전기 전도 현상을 방지하도록 설치되는 가스 카트리지의 교체시기를 확인하도록 하는 이온주입설비의 가스 카트리지 교체시기 확인장치와 그 방법 및 그를 이용한 이온주입설비의 가스 배기시스템에 관한 것이다.
본 발명은 엔크로져에 절연 커버된 이온주입설비로부터 배출되는 공정가스를 안정화시키기 위해 소정 화학약품을 수용하고 있는 가스 카트리지에 설치되어 교체시기에 따라 색상이 변하도록 형성된 색감지센서로 이루어진 이온주입설비의 가스 카트리지 교체시기 확인장치에 있어서, 소정 길이를 가지며 상기 색감지센서에 각각의 단부가 연결 설치되는 복수개의 광화이버와, 상기 광화이버의 다른 단부에 연결되어 상기 색감지센서의 색상 변화를 감지하도록 하는 컨트롤러를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 가스 카트리지를 일회의 확인작업으로 교체하게 됨에 따라 설비 복원시간이 단축되고, 가스 카트리지의 수명을 연장 시키며, 가스 카트리지를 진공펌프에 근접 설치됨에 따라 그 사이의 배관 세정 및 교체 주기가 연장되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980065183A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000032

申请日：1997-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기 ,  박성희

IPC: H01L21/265

Abstract: 임플란타 설비의 이온을 발생시키는 이온소스해드 중 아크 챔버를 지지하는 반도체 이온주입설비의 아크챔버 지지용 인슐에이터에 관한 것이다.
본 발명은 이온주입설비의 소정 위치에 설치된 소정 길이를 갖는 지지대의 상에 수직하게 설치되는 목부와, 아크챔버의 하면을 받쳐 지지하는 머리부로 구성되어 지지대와 아크챔버 사이를 절연하도록 절연 재질로 제작된 복수개의 반도체 이온주입설비의 아크챔버 지지용 인슐레이터에 있어서, 상기 목부와 상기 머리부의 크기를 연장 형성하고, 머리부 상면에 적어도 하나 이상의 환형홈이 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 지지대와 아크챔버 사이를 절연하는 인슐레이터의 크기를 보다 크게 형성함에 따라 이온주입설비의 수명이 연장되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040015590A

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：KR1020020047873

申请日：2002-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기 ,  박동철 ,  배성동

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer transfer method and an apparatus for detecting the malfunction of a robot arm are provided to be capable of previously preventing the generation of scratch and damage at a wafer. CONSTITUTION: A robot arm is inserted to the lower portion of a transfer object wafer(S301). The capacitance between the wafer and the robot arm is measured(S302). The measured capacitance value is compared with a reference value(S303). When the measured capacitance value is larger than the reference value, the operation of the robot arm is stopped. Preferably, the generation of malfunction is informed to a user by an alarming signal. Preferably, the operation of the robot arm is stopped when the alarming signal is activated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测机器人臂的故障的晶片传送方法和装置，以能够预先防止在晶片上产生划痕和损伤。 构成：将机器人臂插入转印物晶片的下部（S301）。 测量晶片和机器人臂之间的电容（S302）。 将测量的电容值与参考值进行比较（S303）。 当测量的电容值大于参考值时，停止机器人手臂的操作。 优选地，通过报警信号向用户通知故障的产生。 优选地，当报警信号被激活时，机器人臂的操作停止。

公开(公告)号：KR100328811B1

公开(公告)日：2002-03-14

申请号：KR1019990036817

申请日：1999-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기

IPC: H01L21/265

Abstract: 목적 : 이온주입공정에서웨이퍼의승하강에대응하는센싱패턴을감지하여반도체소자가제조되는영역에서웨이퍼의온도를감지할수 있는이온주입장비에대해개시한다. 구성 : 본발명은, 웨이퍼에이온주입이이루어지는챔버를포함하는이온주입장비에적용되는데, 웨이퍼를승하강시키며반도체소자가제조되는웨이퍼의위치에대응하여센싱패턴이형성된리프터와, 이센싱패턴을감지하여제어펄스를발생시키는검출기와, 검출기로부터출력된제어펄스를받아웨이퍼온도검출신호를출력하는제어기와, 챔버내에위치하며웨이퍼온도검출신호를받아동작하는웨이퍼온도검출센서를포함하여이루어진것이다. 효과 : 이에따라, 이온주입공정중에실시간으로웨이퍼의온도를측정함으로써공정속도를향상시킬수 있고, 이에따라쑤루풋을증대시킬수 있다.