Abstract:
표면 처리 방법, 반도체 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 형성 방법은 기판 상에 제 1 산화막 및 제 2 산화막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제 1 산화막 및 상기 제 2 산화막을 패터닝하여 상기 기판을 노출하는 콘택홀이 형성된다. 상기 콘택홀에 의해 노출되는 상기 제 1 산화막 측벽에 HF를 반응시켜 제 1 반응막이 형성되고, 상기 콘택홀에 의해 노출되는 상기 제 2 산화막 측벽에 NH 3 및 HF를 반응시켜 제 2 반응막이 형성된다. 상기 제 1 반응막 및 상기 제 2 반응막이 제거되어 상기 콘택홀이 확장된다. 상기 확장된 콘택홀에 콘택체가 형성된다. 화학적 산화물 제거, 콘택
Abstract:
캐리어 내에서의 웨이퍼 로딩 상태 검출 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 로딩 상태 검출 장치는 발광부와 수광부로 구성되고 상기 발광부와 수광부 사이에서 웨이퍼의 검출 유무에 따라 소정의 펄스를 발생시키는 투과형 웨이퍼 센서를 포함한다. 상기 발광부와 수광부는 2개의 암을 포함하는 웨이퍼 센서 지지부에 의하여 각각 지지된다. 또한, 상기 웨이퍼 센서 지지부를 지지하는 포스트를 포함하며, 상기 포스트는 구동 메카니즘에 의하여 상하 방향으로 소정 거리 만큼 왕복 이동 가능하다. 상기 포스트 근방에서 상기 포스트의 길이 방향에 따라 슬롯 바가 고정적으로 설치된다. 상기 슬롯 바에는 그 길이 방향에 따라 일정 간격으로 복수의 슬롯이 형성되어 있다. 광센서가 상기 슬롯 바의 슬롯이 형성된 면에 대향하도록 상기 포스트에 설치된다. 상기 광센서는 상기 포스트가 이동함에 따라 종동(從動)되면서 상기 슬롯 바의 전체 길이에 걸쳐서 슬롯의 유무에 따라 소정의 펄스를 발생시킨다. 펄스 비교 장치는 상기 웨이퍼 센서로부터의 펄스와 상기 광센서로부터의 펄스를 비교하여 각 펄스간의 매칭 여부를 검출한다.
Abstract:
IPA(이소프로필 알콜) 증기 건조기와 웨이퍼 건조 방법을 제공한다. 본 발명은 종래 IPA 증기 건조기의 배관 온도 변화로 인하여 발생되는 건조 불량을 제거하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 IPA 증기 건조기는 배관을 거치지 않고 IPA 증기를 챔버 내로 직접 분사하여 웨이퍼를 건조시킨다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼 건조 능력을 높이면서 파티클 발생원의 증가를 억제할 수 있다.
Abstract:
A surface processing method, a semiconductor device and a forming method thereof are provided to reduce electric failure like the short of the semiconductor device by forming a contact unit with upper and lower parts with different width. A first oxide film(110) and a second oxide film(120) are formed on a substrate(100). A contact hole is formed by pattern-etching the first oxide film and the second oxide film. A first reactive film is formed by the reaction of the first oxide film exposed by the contact hole with the HF. A second reactive film is formed by the reaction of the second oxide film exposed by the contact hole with the NH3 and HF. The contact hole is expanded by removing the first reactive film and the second reactive film. The contact unit is formed on the expanded contact hole.
Abstract:
PURPOSE: A wafer guide of a spin dryer is provided to prevent a scratch of wafer by using an improved slot. CONSTITUTION: The wafer guide in the spin dryer comprises a first rod having a plurality of slots(130) for holding edge portions of a wafer(200) and two second rods having a plurality of slots(130). The slots(130) have a Y-shaped cross section having a predetermined groove. Also, the slots(130) have a same depth(h) as a width(H) of an EEW(Edge Exposure of Wafer). That is, the groove depth(h) of the slots is same to the width(H) of the EEW.
Abstract:
PURPOSE: A method for performing a semiconductor wet process for preventing particles is provided to prevent particles from being adhered to a wafer by electrostatic force during a wet process. CONSTITUTION: A cassette(20) on which a wafer is mounted is positioned in an orient flat zone. Ions are generated in the cassette to reduce electrostatic force on the wafer so that particles are prevented from being adhered to the wafer. A roller(30) is transferred from a lower portion of the cassette to be closely adhered to the flat zone of the wafer. The roller is revolved to rotate the wafer while a semiconductor wet process is performed. The ion generation is stopped when the wafer is disposed in the position of the flat zone while descending the roller.
Abstract:
Semiconductor wafer cleaning equipment and method are provided to improve the yield by removing effectively particles from an upper surface of a semiconductor wafer without the damage of a predetermined pattern and the re-adsorption of the particles using an improved cleaning structure composed of first and second cleaning units. Semiconductor wafer cleaning equipment comprises a wafer stage(132) for supporting a semiconductor wafer(W), a first cleaning unit and a second cleaning unit. The first cleaning unit is used for removing particles from the wafer by spraying a first cleaning solution capable of restraining the wafer from being electrified. The second cleaning unit is used for removing the particles from the wafer spraying a second cleaning solution and vibrating the second cleaning solution. The second cleaning solution is capable of transforming a wafer state into a hydrophilic state.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus and a method for inspecting loading state of wafers in a carrier are provided to prevent damage either to the wafers or to the equipment parts for a following process such as a cleaning process using a spin scrubber. CONSTITUTION: The wafer loading-state inspection apparatus including a transmissive wafer sensor(10) having a light emitter(10a) and a light detector(10g) spaced apart from each other in a horizontal plane by a predetermined separation distance. The wafer sensor(10) generates wafer pulses indicating whether a wafer(102) is detected between the light emitter(10a) and the light detector(10b). The apparatus also includes a wafer sensor support(20) having a first arm(20a) connected to the light emitter(10a) and a second arm(20b) connected to the light detector(10b). A vertically oriented post(30) is connected at one end to the wafer sensor support(20). Connected at the other end of the post(30) is a driving mechanism which produces a reciprocating vertical movement of the post over a vertical range.