公开(公告)号：KR1020050080588A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020040008655

申请日：2004-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양희영 ,  조관영

IPC: G02F1/13

Abstract: 본 발명은 진공챔버 내부의 프로세스(process) 영역에 플라즈마(plasma)를 발생시켜 글래스기판을 용이하게 식각할 수 있도록 한 건식식각장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 진공챔버(20)와; 진공챔버(20)의 내부 프로세스(process) 영역에 마련되는 샤워헤드(shower head)(30)와; 샤워헤드(30)는, 진공챔버(20)의 내부 프로세스 영역과 연통되는 복수의 관통공(33)이 형성되어 있는 메인바디(32)와; 메인바디(32)에 형성된 복수의 관통공(33) 각각에 결합되며, 가스공급홀(34)이 형성되어 있는 인서트(insert)(38)를 포함하여 구성된다. 이에 따라, 프로세스 진행 중 발생되는 폴리머(polymer)가 샤워헤드의 가스공급홀에 증착되는 것을 최소화할 수 있을 뿐 아니라 아크(Arc) 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR101085443B1

公开(公告)日：2011-11-21

申请号：KR1020040080543

申请日：2004-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인호 ,  조관영 ,  이호 ,  이제민

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 픽셀의 작동불량을 방지한 박막 보호막 및 박막 보호막을 갖는 표시기판이 개시된다. 박막 보호막은 기판에 형성된 박막의 상면에 형성되어 박막을 보호한다. 박막 보호막은 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 포함하며 식각 에이전트에 의해 식각된다. 제 1 보호막은 박막과 직접 접촉되며, 식각 에이전트에 대하여 제 1 식각률을 갖는다, 제 2 보호막은 제 1 보호막의 상면에 형성되며, 식각 에이전트에 대하여 제 1 식각률보다 높은 제 2 식각률을 갖는다. 이와 같이, 제 2 보호막이 제 1 보호막보다 빨리 식각되어 수직적으로 안정적인 개구를 갖는 박막 보호막을 형성함으로써, 픽셀의 작동불량을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060054995A

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020040094289

申请日：2004-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송인호 ,  이재경 ,  조관영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 영상의 표시품질을 향상시킨 박막 트랜지스터 제조방법이 개시된다. 박막 트랜지스터 제조방법은 기판에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극이 덮이도록 기판에 절연막을 형성한다. 절연막의 상부에 반도체층 및 오믹 컨택층을 형성한다. 오믹 컨택층 상에 적어도 1 층 이상으로 이루어진 금속층을 형성하고, 형성된 금속층의 표면에 금속 보호층을 형성한다. 금속 보호층 및 금속층을 식각하여 오믹 컨택층 상에 상호 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 소오스 전극 및 드레인 전극을 매개로 오믹 컨택층을 건식 식각한다. 금속층의 표면에 금속 보호층을 형성함으로써, 습식 및 건식 식각에 의해 박막 트랜지스터의 특성이 변하는 것을 방지하여 영상의 표시품질을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050053851A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020030087087

申请日：2003-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양희영 ,  조관영

IPC: G02F1/13

Abstract: 기판 이송 장치를 포함하는 이송 챔버, 이송 챔버 내의 기판이 게이트를 통해 그 내부로 이송되는 공정 챔버, 이송 챔버에 설치되어 있으며 게이트를 개폐하는 게이트 밸브를 포함하고, 게이트는 이송 챔버와 공정 챔버 사이에 형성되어 있는 분리벽에 형성되어 있는 관통 구멍이며, 게이트 밸브와 분리벽 사이에는 오링이 설치되어 있고, 공정 챔버에는 오링을 보호하는 오링 커버가 설치되어 있는 액정 표시 장치용 처리 시스템.

公开(公告)号：KR1020060110693A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020050033183

申请日：2005-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경정 ,  조관영

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/18 ,  H01J37/185 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201

Abstract: A plasma apparatus is provided to restrain the generation of arc due to parasitic plasma by using a conductive member for connecting electrically a gate block with a reaction chamber. A plasma apparatus comprises a reaction chamber, a gate block and a conductive member. The reaction chamber(20) includes a gate portion(27) for a substrate. A reaction space is formed in the reaction chamber. The gate block(33) is used for opening and closing the gate portion of the reaction chamber. The conductive member is used for connecting electrically the gate block with the reaction chamber in a gate block closing state. The conductive member is formed along a periphery of the gate block. A metallic plate is used as the conductive member.

Abstract translation: 提供了一种等离子体装置，用于通过使用用于将栅极块与反应室电连接的导电构件来抑制由寄生等离子体引起的电弧的产生。 等离子体装置包括反应室，栅极块和导电构件。 反应室（20）包括用于衬底的栅极部分（27）。 在反应室中形成反应空间。 闸块（33）用于打开和关闭反应室的门部。 导电构件用于在栅极块闭合状态下将栅极块与反应室电连接。 导电构件沿栅极块的周边形成。 使用金属板作为导电构件。

公开(公告)号：KR1020060062936A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101943

申请日：2004-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최종훈 ,  조관영 ,  이영준 ,  원윤종

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32587 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/6833

Abstract: 플라즈마에 의하여 기판을 처리하는 플라즈마 발생 장치가 개시된다. 플라즈마 발생 장치는 챔버, 제1 내지 제3 전극들, 소스 가스 공급 유닛 및 온도 유지 가스 공급 유닛을 포함한다. 제1 전극은 챔버 내부에 배치되며, 제2 전극은 제1 전극과 대향하게 배치되고 기판을 지지하는 돌출부를 가진다. 제3 전극은 제2 전극에 정전하를 유도하거나 제거하기 위하여 제 2 전극의 내부 또는 표면에 배치된다. 소스 가스 공급 유닛은 제1 전극과 제2 전극의 사이에 플라즈마 형성을 위한 소스 가스를 공급한다. 온도 유지 가스는 기판과 제2 전극 사이에 온도 유지 가스를 공급한다. 이에 따라, 정전하에 의하여 제 2 전극에 기판을 부착 또는 제 2 전극으로부터 기판을 분리시킬 때 기판에 잔존하는 정전하를 순간적으로 소멸시켜 플라즈마 발생 장치의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
플라즈마 발생 장치, 플라즈마, 하부 전극, 교류 전압, 직류 전압, 정전척

公开(公告)号：KR1020050028531A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：KR1020030064816

申请日：2003-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  이제민 ,  조관영 ,  정종태 ,  송인호 ,  최희환 ,  강성철 ,  강호민

IPC: H01L29/786

Abstract: A TFT(thin film transistor) substrate is provided to prevent a lower interconnection from being damaged in an etch process and prevent foreign substances from being caught in a probe in a gross test by forming a pixel electrode composed of a dual layer of an IZO(indium tin oxide) layer and an ITO(indium zinc oxide) layer. An insulation substrate(10) is prepared. The first signal line is formed on the insulation substrate. The first insulation layer is formed on the first signal line. The second signal line crosses the first signal line, formed on the first insulation layer. A TFT is electrically connected to the first and second signal lines. The second insulation layer is formed on the TFT, having the first contact hole(76) exposing a predetermined electrode of the TFT. A pixel electrode(82) is formed on the second insulation layer, connected to the predetermined electrode of the TFT through the first contact hole and made of a dual layer composed of an IZO layer(821,861,881) and an ITO layer(822,862,882).

Abstract translation: 提供TFT（薄膜晶体管）基板以防止在蚀刻工艺中较低的互连件被损坏，并且通过形成由IZO的双层构成的像素电极来防止异物在总体测试中被捕获在探针中 氧化铟锡）层和ITO（氧化铟锌）层。 制备绝缘基板（10）。 第一信号线形成在绝缘基板上。 第一绝缘层形成在第一信号线上。 第二信号线穿过形成在第一绝缘层上的第一信号线。 TFT与第一和第二信号线电连接。 第二绝缘层形成在TFT上，具有暴露TFT的预定电极的第一接触孔（76）。 像素电极（82）形成在第二绝缘层上，通过第一接触孔连接到TFT的预定电极，并由由IZO层（821,861,881）和ITO层（822,862,882）构成的双层构成。

公开(公告)号：KR1020060062930A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101935

申请日：2004-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영준 ,  조관영 ,  최종훈 ,  신승진 ,  이제민

IPC: H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01J37/32577 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/3321 ,  H05H1/46

Abstract: 플라즈마 가공의 균일성을 사전 및 사후에 확인할 수 있는 플라즈마 발생 장치가 개시된다. 플라즈마 발생 장치는 챔버, 제1 전극, 전원 인가 부재, 제2 전극, 전원 공급 유닛 및 디텍터를 포함한다. 제1 전극은 챔버의 내부에 배치되며, 기판이 탑재된다. 복수개의 전원 인가 부재들은 제1 전극을 관통하도록 배치된다. 제2 전극은 제1 전극과 마주보도록 배치된다. 전원 공급 유닛은 전원 인가 부재 및 제1 전극에 각각 전기적으로 연결되어 교류 전압을 제공한다. 디텍터는 전원 인가 부재에 전기적으로 연결되어 전원 인가 부재에 형성된 직류 전압의 레벨을 디텍팅한다. 이에 따라, 기판 상의 복수개의 지점에서 플라즈마 가공의 균일성을 사전 및 사후에 분석할 수 있다.
플라즈마, 식각, 전극, 바이어스, 리프트 핀, 디텍터,

公开(公告)号：KR1020060004719A

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：KR1020040052231

申请日：2004-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오승철 ,  송인호 ,  조관영

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는 챔버, 챔버 내의 상부 및 하부에 각각 설치되어 있는 상부 플라즈마 전극 및 하부 플라즈마 전극, 상부 및 하부 플라즈마 전극에 플라즈마 전압을 인가하는 전력 발생기, 하부 플라즈마 전극에 형성되어 있는 복수개의 가스 공급 홀에 설치되어 있는 복수개의 온도 측정기, 온도 측정기에 연결되어 있는 가스 온도 조절기를 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는 하부 플라즈마 전극과 대형 기판 사이에 주입되는 He 가스의 유량 및 온도를 조절함으로써 기판의 온도 균일도를 향상시켜 대형 기판에서의 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
플라즈마식각장치, He, 온도조절기, ESC

公开(公告)号：KR100992128B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020030087087

申请日：2003-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양희영 ,  조관영

IPC: G02F1/13

Abstract: 기판 이송 장치를 포함하는 이송 챔버, 이송 챔버 내의 기판이 게이트를 통해 그 내부로 이송되는 공정 챔버, 이송 챔버에 설치되어 있으며 게이트를 개폐하는 게이트 밸브를 포함하고, 게이트는 이송 챔버와 공정 챔버 사이에 형성되어 있는 분리벽에 형성되어 있는 관통 구멍이며, 게이트 밸브와 분리벽 사이에는 오링이 설치되어 있고, 공정 챔버에는 오링을 보호하는 오링 커버가 설치되어 있는 액정 표시 장치용 처리 시스템.
식각시스템, 로드락챔버, 이송챔버, 오링, 파티클