公开(公告)号：KR1020170090045A

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020160010401

申请日：2016-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 카나모리쿄지 ,  강신환 ,  박영우 ,  박정훈

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/42344

Abstract: 수직형메모리장치는, 기판상면에수직한수직방향을따라서로이격된복수의층간절연패턴들, 층간절연패턴들사이에각각형성된복수의게이트전극들, 기판상에수직방향으로연장되어층간절연패턴들및 게이트전극들을관통하는채널, 및채널과게이트전극들사이에기판상면에평행한수평방향을따라순차적으로적층된터널절연패턴, 전하트래핑패턴구조물및 블로킹패턴을포함하는전하저장패턴구조물을구비할수 있다. 전하트래핑패턴구조물은게이트전극들중 제1 게이트전극들의측벽들에수평방향으로각각인접하면서수직방향을따라서로이격되도록복수개로형성되되, 복수의전하트래핑패턴들중에서제1 전하트래핑패턴은층간절연패턴들중 제1 층간절연패턴의측벽을따라수직방향으로연장될수 있다.

Abstract translation: 垂直型存储装置中，所述分离的多个垂直于衬底的图案的上表面上沿垂直方向间隔开的在层中的，在多个其中的每一个栅电极的延伸在所述绝缘图案之间形成，方向垂直于基板的层间绝缘图案 包括与通过所述栅电极延伸的通道，和一个信道和一个栅电极绝缘顺序地堆叠在隧道沿平行于水平方向上的图案之间的基片的上表面上，该电荷捕捉图案结构和电荷存储图案结构，包括一个阻挡图案 你可以。 电荷捕获图案结构是形成了多个号码，以便沿垂直方向间隔开的第一和每个相邻于栅极电极的侧壁的水平方向的栅电极，多个电荷俘获图案层间绝缘层的第一电荷捕捉模式 并且沿图案中的第一层间绝缘图案的侧壁在垂直方向上延伸。

公开(公告)号：KR1020160135935A

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020150069447

申请日：2015-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손용훈 ,  김경현 ,  김병주 ,  남필욱 ,  박광철 ,  손연실 ,  이진이 ,  임종흔 ,  정원봉 ,  카나모리쿄지

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/528

Abstract: 수직형메모리장치는기판, 기판상에서수직방향으로연장하며저부에수평방향으로분기되는돌출부를포함하는채널, 돌출부및 기판을연결시키는반도체패턴, 및채널의돌출부및 반도체패턴의상부에배치되어채널을감싸며수직방향으로서로이격되어적층되는게이트라인들을포함한다. 돌출부및 반도체패턴에의해채널및 기판사이의연결이구현될수 있다.

Abstract translation: 垂直存储器件包括衬底，衬底上的通道，相对于衬底的顶表面在垂直方向上延伸，并且在通道的下部包括突起，所述突起在平行方向上相对于 到基板的顶面，连接突起和基板的半导体图案，以及在垂直方向上彼此堆叠和间隔开的栅极线，突起和半导体图案上的栅极线并围绕通道。