公开(公告)号：KR1020170019228A

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：KR1020150113375

申请日：2015-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형주 ,  백계현 ,  김진평 ,  토모야스마사유키 ,  홍종서

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/334

Abstract: 상술한과제를해결하기위하여본 발명의기술적사상의일 실시예에의한플라즈마처리장치는, 플라즈마가처리되는공간을제공하는챔버, 상기챔버내에장착되며, 중심영역에배치된제1 가스분사구및 주변영역에배치된제2 가스분사구가형성된상부전극, 처리공간을사이에두고상기상부전극과마주보도록배치되는하부전극, 상기제1 가스분사구및 상기제2 가스분사구를통해상기처리공간에제1 공정가스를공급하는제1 가스공급부, 상기제2 가스분사구를통하여상기처리공간에제2 공정가스를공급하는제2 가스공급부, 상기처리공간의가장자리부의플라즈마의상태를감지하는감지부, 및상기감지부의출력신호를피드백하여, 상기제2 가스공급부를제어하는제어부를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括限定处理空间的室，安装在室中的上电极，上电极包括位于上电极的中心区域的第一气体喷射口和位于上电极的周边区域中的第二气体喷射口 所述上电极，位于与所述处理空间相对的上电极的下电极，配置成经由所述第一气体喷射口和所述第二气体喷射口将第一处理气体供给到所述处理空间中的第一气体供给单元， 被配置为经由第二气体喷射口将第二处理气体供应到处理空间的单元，配置成感测处理空间的边缘部分中的等离子体的状态的传感器以及响应地控制第二气体供应单元的控制器 到传感器的输出信号。

公开(公告)号：KR1020170014384A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150107688

申请日：2015-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형주 ,  김광남 ,  홍종서 ,  백계현 ,  토모야스마사유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

Abstract: 건식식각장치및 건식식각방법이개시된다. 식각장치는공정챔버의하부에배치되는베이스(base), 베이스의상면에배치되고식각공정에의해패턴구조물이형성되는기판을고정하는기판고정부, 기판고정부를둘러싸도록배치되어공정챔버의내부에형성되는식각용플라즈마를기판의상부영역에균일하게집중시키는포커스링, 포커스링을베이스의상면에수직한방향으로이동시키는구동부및 패턴구조물에대한검사결과에따라선택적으로구동부를구동하여포커스링의위치를자동으로제어하는위치제어기를포함한다. 패턴구조물의검사특성이허용범위를벗어나는경우자동으로포커스링을상승시켜기판상에형성되는플라즈마쉐스의밀도를균일하게유지할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种干式蚀刻装置和使用其进行蚀刻的基板的方法。 该设备包括在处理室的下部处的基座，其中执行干法蚀刻工艺;衬底保持器，其布置在基底上并保持通过蚀刻工艺在其上形成多个图案结构的衬底;聚焦环封闭 衬底保持器并且均匀地将蚀刻等离子体聚焦到衬底上的护套区域上，驱动聚焦环的垂直方向与基座垂直的驱动器以及控制聚焦环的垂直位置的位置控制器通过根据 具有图案结构的检查结果。 因此，自动控制基板与聚焦环之间的间隙距离，从而增加蚀刻等离子体在基板上的均匀性。

公开(公告)号：KR1020170022075A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020150116594

申请日：2015-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박찬훈 ,  김동찬 ,  토모야스마사유키 ,  한제우

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/682 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/4983

Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 기판상에, 제1 게이트스페이서에의해정의되는제1 트렌치와, 제2 게이트스페이서에의해정의되는제2 트렌치를포함하는제1 층간절연막을형성하고, 상기제1 트렌치의일부를채우는제1 게이트전극과, 상기제2 트렌치의일부를채우는제2 게이트전극을형성하고, 상기제1 게이트전극상에, 상기제1 트렌치의나머지를채우는제1 캡핑패턴을형성하고, 상기제2 게이트전극상에, 상기제2 트렌치의나머지를채우는제2 캡핑패턴을형성하고, 상기제1 층간절연막상에, 상기제1 게이트스페이서및 제2 게이트스페이서를덮는제2 층간절연막을형성하고, 상기제2 층간절연막상에, 제3 층간절연막을형성하고, 상기제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극사이에, 상기제3 층간절연막과, 상기제2 층간절연막을관통하는컨택홀을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成第一层间绝缘层，该第一层间绝缘层包括由第一栅极隔离物限定的第一沟槽和由衬底上的第二栅极间隔物限定的第二沟槽，形成第一栅电极，其填充第一沟槽的一部分 以及第二栅电极，其填充所述第二沟槽的一部分，形成填充所述第一栅电极上的所述第一沟槽的剩余部分的第一封盖图案，形成填充所述第二栅极上的所述第二沟槽的其余部分的第二封盖图案 形成覆盖第一层间绝缘层上的第一栅极间隔物和第二栅极间隔物的第二层间绝缘层，在第二层间绝缘层上形成第三层间绝缘层，形成贯通第三层间绝缘层的接触孔 以及第一栅电极和第二栅电极之间的第二层间绝缘层。