公开(公告)号：KR1020170024996A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020150120747

申请日：2015-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍정표 ,  김광남 ,  권상동 ,  선종우 ,  오상록 ,  장용문

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01L21/67248

Abstract: 기판처리장치가제공된다. 기판처리장치는기판처리영역을포함하는챔버, 상기기판처리영역상에배치되고, 삽입홀을포함하는유전판및 상기유전판상에배치되어상기유전판의온도를측정하고, 상기삽입홈에삽입되는나사(screw)부를가지는온도측정부를포함하고, 상기삽입홀과상기나사부각각은서로맞물리는나사선을포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了包括温度测量单元的衬底处理设备。 基板处理装置包括：室，包括基板处理区域，设置在基板处理区域上并且包括插入孔的电介质片和设置在电介质片上以测量电介质片材的温度的温度测量单元， 并且具有插入到所述插入孔中的螺纹部分，其中所述插入孔和所述螺纹部分中的每一个具有彼此啮合的螺纹螺旋。

公开(公告)号：KR1020170118466A

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：KR1020160046283

申请日：2016-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍정표 ,  권상동 ,  김광남 ,  선종우 ,  오상록

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/68721 ,  B08B7/00 ,  B08B9/08 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/3288 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069

Abstract: 기판처리방법에따르면, 플라즈마처리장치내로기판을반입할수 있다. 상기기판상의막을상기플라즈마처리장치내에서발생된플라즈마로처리할수 있다. 상기기판을상기플라즈마처리장치로부터반출시킬수 있다. 상기플라즈마에의해마모된상기플라즈마처리장치내의포커스링의표상부면에두께보상막을상기플라즈마처리장치내에서인-시튜공정으로형성할수 있다. 따라서, 마모된포커스링 교체를위해플라즈마처리장치의가동을중단시키지않아도되므로, 플라즈마처리장치의가동율이향상될수 있다.

Abstract translation: 根据基板处理方法，可以将基板搬入等离子体处理装置。 衬底上的膜可以用等离子体处理装置中产生的等离子体处理。 衬底可以从等离子体处理装置中取出。 厚度补偿膜可以在等离子体处理设备中的等离子体处理设备中的聚焦环表面上的等离子体处理设备中的原位处理中形成。 因此，不需要停止等离子体处理装置的操作来更换磨损的聚焦环，从而可以提高等离子体处理装置的运转率。

公开(公告)号：KR1020170014384A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150107688

申请日：2015-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형주 ,  김광남 ,  홍종서 ,  백계현 ,  토모야스마사유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

Abstract: 건식식각장치및 건식식각방법이개시된다. 식각장치는공정챔버의하부에배치되는베이스(base), 베이스의상면에배치되고식각공정에의해패턴구조물이형성되는기판을고정하는기판고정부, 기판고정부를둘러싸도록배치되어공정챔버의내부에형성되는식각용플라즈마를기판의상부영역에균일하게집중시키는포커스링, 포커스링을베이스의상면에수직한방향으로이동시키는구동부및 패턴구조물에대한검사결과에따라선택적으로구동부를구동하여포커스링의위치를자동으로제어하는위치제어기를포함한다. 패턴구조물의검사특성이허용범위를벗어나는경우자동으로포커스링을상승시켜기판상에형성되는플라즈마쉐스의밀도를균일하게유지할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种干式蚀刻装置和使用其进行蚀刻的基板的方法。 该设备包括在处理室的下部处的基座，其中执行干法蚀刻工艺;衬底保持器，其布置在基底上并保持通过蚀刻工艺在其上形成多个图案结构的衬底;聚焦环封闭 衬底保持器并且均匀地将蚀刻等离子体聚焦到衬底上的护套区域上，驱动聚焦环的垂直方向与基座垂直的驱动器以及控制聚焦环的垂直位置的位置控制器通过根据 具有图案结构的检查结果。 因此，自动控制基板与聚焦环之间的间隙距离，从而增加蚀刻等离子体在基板上的均匀性。

公开(公告)号：KR1020070070487A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：KR1020050133102

申请日：2005-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배종환 ,  황인복 ,  임장빈 ,  김광남

IPC: H01L21/68

Abstract: A substrate transfer apparatus is provided to prevent a gas existing in a front opening unified pod from being diffused outwardly by using a gas suction part. A load port(110) supports a receptacle receiving plural substrates(10). A substrate transfer chamber(120) is located between the load port and a substrate processing module, and has a substrate transfer robot for transferring the substrate and an entrance for the receptacle and the substrate. A gas suction part is provided at the entrance to sucking gas which is leaked between the receptacle and the substrate transfer chamber. The gas suction part has a frame with plural gas sucking holes and a pump connected to the gas sucking holes.

Abstract translation: 提供了一种基板传送装置，用于防止存在于前开口统一的盒中的气体通过使用气体吸入部而向外扩散。 负载端口（110）支撑容纳多个基板（10）的插座。 衬底传送室（120）位于负载端口和衬底处理模块之间，并且具有用于传送衬底和用于插座和衬底的入口的衬底传送机器人。 在吸入口的入口处设置有气体吸入部，该吸入气体在容器和基板输送室之间泄漏。 吸气部具有带有多个吸气孔的框架和与气体吸入孔连接的泵。