오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
    1.
    发明公开
    오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
    用于检测覆盖误差的方法和使用其制造半导体的方法

    公开(公告)号:KR1020160121206A

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:KR1020150050912

    申请日:2015-04-10

    CPC classification number: G03F7/70633 G01B11/14 G01B11/27 H01L22/12 H01L23/544

    Abstract: 오버레이에러의검출방법이제공된다. 오버레이에러의검출방법은, 제1 레이어에제1 오버레이키를형성하고, 상기제1 오버레이키는제1 피치를갖는복수의제1 타겟패턴을포함하고, 상기제1 레이어에대해수직으로배치된제2 레이어에제2 오버레이키를형성하고, 상기제2 오버레이키는상기제1 피치와다른제2 피치를갖는복수의제2 타겟패턴을포함하고, 상기제1 레이어및 상기제2 레이어에제1 파장을갖는입사광을조사하고, 상기제1 레이어및 상기제2 레이어로부터반사된반사광으로부터상기입사광에대한상기반사광의위상패턴을획득하고, 상기반사광의위상패턴을분석하여상기제1 레이어및 상기제2 레이어의오버레이에러를검출하는것을포함한다.

    Abstract translation: 一种用于检测覆盖误差的方法包括:形成第一覆盖键,该第一覆盖键包括在衬底的第一层上具有第一间距的多个间隔开的第一目标图案; 形成第二覆盖键,其包括在所述第一层下方的所述基板的第二层上具有不同于所述第一间距的第二间距的多个间隔开的第二目标图案; 用具有第一波长的入射光照射第一层和第二层; 获得从第一层和第二层反射的光的相位图案; 计算反射光的相位图案的峰值点或谷点的位置; 以及使用相位图案的峰值点或谷点的位置来检测第一层和第二层的覆盖误差。

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