公开(公告)号：KR102233429B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020180057466A

申请日：2018-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 사충지 ,  김종필 ,  김수진 ,  이웅

IPC: A61B5/00 ,  G06F3/048 ,  H04L12/12

CPC classification number: A61B5/0022 ,  G06F3/048 ,  H04L12/12

Abstract: 터치 스크린을 가지는 모바일 단말기 및 터치 스크린을 가지는 모바일 단말기에서 의료 기기를 제어하는 방법이 제공된다. 본 터치 스크린을 가지는 모바일 단말기에서 의료 기기를 제어하는 방법은, 실내에 설치된 복수 개의 의료 기기들의 위치 정보를 이용하여 모바일 단말기로부터 일정 범위 이내에 위치한 적어도 하나의 의료 기기가 결정되면, 상기 결정된 적어도 하나의 의료 기기 각각에 대응하는 적어도 하나의 식별 정보를 터치 스크린 상에 디스플레이하고, 상기 적어도 하나의 식별 정보 중 제1 식별 정보를 선택하는 사용자 입력에 응답하여, 상기 제1 식별 정보에 대응하는 제1 의료 기기를 제어하기 위한 사용자 인터페이스를 상기 터치 스크린 상에 디스플레이할 수 있다.

公开(公告)号：KR100842923B1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020070022550

申请日：2007-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 고형수 ,  박병국 ,  홍승범 ,  박철민 ,  최우영 ,  김종필 ,  송재영 ,  김상완

IPC: G11B9/14 ,  G11B9/02

CPC classification number: H01L29/7834 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66636

Abstract: A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe and an information storage device using the same are provided to reduce a process variable in device performance and to increase reliability of mass production by anisotropic-wet-etching a silicon substrate using side-walls. A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe comprises the steps of: forming a first etching mask pattern(110a) on a silicon substrate(100c) to form a tip part of the probe in a first direction and forming side-wall areas at two sides of the first etching mask pattern; anisotropic-etching the silicon substrate to form two inclined surfaces of the probe; forming source and drain areas(160,170,180,190) on the silicon substrate by injecting dopants, using the side-wall area as masks, and removing the side-wall areas; removing the first etching mask pattern; forming a second etching mask pattern to form a tip part of the probe in a second direction; forming space layers at two sides of the second etching mask pattern; and etching the silicon substrate by photographing and etching processes and removing the space layers.

Abstract translation: 提供一种制造增强半导体探针的方法和使用其的信息存储装置，以减少器件性能中的工艺变量，并且通过使用侧壁对硅衬底进行各向异性湿蚀刻来提高批量生产的可靠性。 一种制造增强型半导体探针的方法包括以下步骤：在硅衬底（100c）上形成第一蚀刻掩模图案（110a），以在第一方向上形成探针的尖端部分，并在两侧形成侧壁区域 的第一蚀刻掩模图案; 各向异性蚀刻硅衬底以形成探针的两个倾斜表面; 通过注入掺杂剂在硅衬底上形成源极和漏极区域（160,170,180,190），使用侧壁区域作为掩模，并去除侧壁区域; 去除第一蚀刻掩模图案; 形成第二蚀刻掩模图案以在第二方向上形成探针的末端部分; 在第二蚀刻掩模图案的两侧形成空间层; 并通过拍摄和蚀刻工艺蚀刻硅衬底并去除空间层。

公开(公告)号：KR100804738B1

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：KR1020070004973

申请日：2007-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 고형수 ,  박병국 ,  홍승범 ,  박철민 ,  최우영 ,  김종필 ,  송재영 ,  김상완

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/78 ,  G01R1/067

Abstract: A semiconductor probe using an impact-ionization semiconductor device is provided to remarkably improve the limit of sensitivity of a resistive probe and easily adjust the quantity of charges capable of being detected by a probe by developing a new probe structure for easily adjusting the band energy of a source. One tilted surface of a probe is formed by an anisotropic etch process using a first etch mask pattern formed on a silicon substrate. After impurities are doped into the exposed substrate to form a first semiconductor electrode region(16), the first etch mask pattern is removed. A second etch mask pattern opposite to the direction of the first etch mask pattern is formed on the silicon substrate. Space layers are formed on the sidewalls of the second etch mask pattern. After the exposed silicon substrate is anisotropically etched to form an opposite tilted surface of the probe, the second etch mask pattern is removed. Impurities are doped into the exposed substrate to form a second semiconductor electrode region(18), and the second etch mask pattern is removed. A silicon oxide layer pattern is formed on the resultant structure by a known method. Space layers are formed on both sidewalls of the silicon oxide layer pattern. By using the space layer, a predetermined depth of the silicon substrate is etched by a photolithography process, and the space layer is removed. The first semiconductor electrode region can be a source terminal, and the second semiconductor electrode region can be a drain terminal.

Abstract translation: 提供使用冲击电离半导体器件的半导体探针，以显着提高电阻式探头的灵敏度极限，并且通过开发新的探针结构容易地调节能够由探针检测的电荷量，从而容易地调节带电能 来源。 通过使用形成在硅衬底上的第一蚀刻掩模图案的各向异性蚀刻工艺形成探针的一个倾斜表面。 在将杂质掺杂到暴露的衬底中以形成第一半导体电极区域（16）之后，去除第一蚀刻掩模图案。 在硅衬底上形成与第一蚀刻掩模图案的方向相反的第二蚀刻掩模图案。 空间层形成在第二蚀刻掩模图案的侧壁上。 在暴露的硅衬底被各向异性蚀刻以形成探针的相对的倾斜表面之后，去除第二蚀刻掩模图案。 将杂质掺杂到暴露的衬底中以形成第二半导体电极区域（18），并且去除第二蚀刻掩模图案。 通过已知的方法在所得结构上形成氧化硅层图案。 空间层形成在氧化硅层图案的两个侧壁上。 通过使用空间层，通过光刻工艺蚀刻硅衬底的预定深度，并且去除空间层。 第一半导体电极区域可以是源极端子，第二半导体电极区域可以是漏极端子。

公开(公告)号：KR100866260B1

公开(公告)日：2008-10-31

申请号：KR1020070043790

申请日：2007-05-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  김종필

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833

Abstract: A method for fabricating an asymmetric LDD MOSFET using a sidewall gate is provided to control the length of a gate and deposition and etch of a gate material to make the size small and to obtain ultra fine device. A method for fabricating an asymmetric LDD MOSFET using a sidewall gate comprises a step for deposing and etching a dummy layer on a semiconductor substrate to form a sidewall gate; a step for forming a LDD; a step for forming an insulating layer sidewall spacer or a second sidewall gate; a step for removing completely the dummy layer; a step for forming a second source/drain.

Abstract translation: 提供了使用侧壁栅极制造非对称LDD MOSFET的方法，以控制栅极的长度和栅极材料的沉积和蚀刻以使尺寸变小并获得超精细器件。 使用侧壁栅极制造不对称LDD MOSFET的方法包括用于在半导体衬底上去除和蚀刻虚设层以形成侧壁栅极的步骤; 形成LDD的步骤; 用于形成绝缘层侧壁间隔件或第二侧壁浇口的步骤; 完全去除虚拟层的步骤; 用于形成第二源极/漏极的步骤。

公开(公告)号：KR1020120047537A

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020100109162

申请日：2010-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종필 ,  장영관 ,  김동원 ,  조학주

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a gate and a method of manufacturing a semiconductor device using the same are provided to perform subsequent processes more conveniently by performing a planarization process, which eliminates a level difference, before a gate electrode is formed. CONSTITUTION: An element isolation film is formed on a substrate(S11). An insulating layer and a conductive film are successively formed on a front of a substrate(S12). An upper side of the conductive film is planarized and planarization is operated by chemical mechanical polishing(S13). The insulating layer and the conductive film are patterned and a gate electrode is formed(S15).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造栅极的方法和使用其制造半导体器件的方法，其通过在形成栅电极之前执行消除电平差的平坦化处理来更方便地执行后续处理。 构成：在基板上形成元件隔离膜（S11）。 在基板的前面依次形成绝缘层和导电膜（S12）。 导电膜的上侧被平坦化，并且通过化学机械抛光来操作平面化（S13）。 图案化绝缘层和导电膜，形成栅电极（S15）。

公开(公告)号：KR100761474B1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：KR1020010051090

申请日：2001-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종필 ,  이창록

IPC: G11B20/04

Abstract: 음성으로 메세지를 출력할 수 있을 뿐만아니라, 자동으로 식별번호를 부가하여 기록할 수 있는 휴대용 기기 및 그 방법이 개시된다. 휴대용 기기는 설정시각 및 설정내용을 입력하기 위한 입력부, 현재시각을 카운팅하는 타이머, 설정내용 및/또는 그에 따른 휴대용 기기의 현 상태에 대한 음성메세지가 저장된 저장부, 저장부에 저장된 음성메세지를 출력하기 위한 출력부, 및 타이머에 의해 카운팅된 현재시각이 설정시각에 도달되면 저장부로부터 음성메세지를 인출하여 출력부를 통해 출력시키는 제어부를 구비한다. 또한, 휴대용 기기는 입력된 파일명 및/또는 디렉토리명을 기록매체에 기록시키는 엔진부를 가지고 있으며, 입력부는 기록매체에 기록될 파일의 파일명 및/또는 디렉토리명을 입력할 수 있도록 구현되고, 제어부는 파일이 위치될 기록매체의 부디렉토리에 동일한 파일명/디렉토리명이 존재하면 입력된 파일명/디렉토리명에 식별부호를 부가하여 기록시킬 수 있도록 구현된다. 이로써, 휴대용 기기는 보다 인간적인 제품으로 느껴질 수 있게 될 뿐만아니라, 기록매체에 파일명/디렉토리명을 기록하는 경우에 반복적인 조작작업을 피할 수 있게 된다.
휴대용 기기, 음성메세지, 타이머, 배터리, 파일, 디렉토리

公开(公告)号：KR100546875B1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020030008918

申请日：2003-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종필

IPC: G11B19/02

Abstract: 기록재생장치 및 그 자동재생방법이 개시된다. 복수의 정지영상파일 및 음향파일을 기록장치에 기록 및 재생하며, 음향파일의 재생시 재생되는 음향파일리스트를 표시하는 플레이 리스트 화면을 표시장치로 제공하는 기록재생장치에 있어서, 플레이 리스트 화면에는 기록장치에 기록된 복수의 정지영상파일을 교번적으로 표시하도록 지원하는 표시메뉴가 마련되며, 기록장치에 기록된 정지영상파일 및/또는 음향파일을 디코딩하는 디코더부, 디코딩된 정지영상파일 및/또는 음향파일이 저장되는 버퍼, 및 버퍼에 저장된 음향파일이 재생되는 동안 표시메뉴가 선택되면 디코더가 유휴상태일 때 기록장치에 기록된 복수의 정지영상파일을 디코딩하여 버퍼에 저장되도록 하며, 저장된 적어도 하나의 정지영상파일이 플레이 리스트 화면의 제2영역에 교번적으로 표시되도록 처리하는 메인제어부를 포함한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 하나의 디코더를 이용하여 정지영상파일 및 음향파일을 디코딩함으로써 별도기기의 추가없이 음악을 재생하면서 슬라이드 쇼를 구현할 수 있다.
DVDP, HDD, 슬라이드 쇼, slide show

公开(公告)号：KR100542577B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030008554

申请日：2003-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종필

IPC: G11B19/02

Abstract: 저장된 오디오 및/또는 비디오파일의 파일네임을 수정할 수 있는 영상 저장/재생장치가 개시된다. 본 발명에 따른 영상 저장/재생장치는 프로그램 및/또는 데이터가 저장된 제1저장부 및 영상데이터에 의한 오디오 및/또는 비디오파일을 화면표시신호에 의해 디스플레이장치에 표시하고, 오디오 및/또는 비디오파일 중 파일네임수정전파일이 선택된 후에, 선택된 파일네임수정전파일 위에서 제1저장부에 저장되어 파일네임 수정수단인 가상입력메뉴에 대한 화면표시신호가 수신되면, 가상입력메뉴를 디스플레이장치에 표시하고, 가상입력메뉴를 통해 수정파일네임이 입력되면 수정전파일네임이 수정되어 기억장치에 저장하도록 제어하는 메인제어부를 포함한다. 본 발명에 따르면 사용자가 원하는 파일네임으로 오디오 및/또는 비디오파일의 파일네임을 수정할 수 있다.
오디오 및/비디오파일, 수정파일네임,수정전파일네임,가상입력메뉴

公开(公告)号：KR1020040072757A

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：KR1020030008340

申请日：2003-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종필

IPC: G11B19/02

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for displaying capacity of a file and a residual amount of a memory are provided to efficiently manage a memory unit by storing files according to attributes of the files and displaying the capacity of the files and a residual amount of a divided memory area according to the attributes of the files. CONSTITUTION: A memory unit(400) is divided into a plurality of memory areas(410,420,430,440) designated by pointers according to attributes of files to be stored. An interface unit receives an input signal from an external input device for controlling operations of an image and sound recording/reproducing apparatus. A control unit divides the memory unit into the memory areas according to the attributes of the files to be stored, confirms an extension of each file if receiving a file save request signal, and stores the file at the divided memory areas according to the confirmed extension, and separately displays the capacity of the files and a residual amount of the divided memory area.

Abstract translation: 目的：提供一种用于显示文件容量和剩余量的存储器的装置和方法，以通过根据文件的属性存储文件并显示文件的容量来有效地管理存储器单元，并且剩余量 根据文件的属性划分内存区域。 构成：根据要存储的文件的属性，存储器单元（400）被划分为由指针指定的多个存储区域（410,420,430,440）。 接口单元从外部输入装置接收输入信号，用于控制图像和声音记录/再现装置的操作。 控制单元根据要存储的文件的属性将存储单元划分为存储区域，如果接收到文件保存请求信号，则确认每个文件的扩展名，并根据确认的扩展名将该文件存储在划分的存储区域 ，并分别显示文件的容量和划分的存储区域的剩余量。

公开(公告)号：KR1020030033407A

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：KR1020010065167

申请日：2001-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정태성 ,  김재혁 ,  김종필

IPC: H04L12/861

CPC classification number: H04L49/9057 ,  H04L2012/5646 ,  H04L2012/5681

Abstract: PURPOSE: A packet reordering method is provided to deliver remnant packets though a specific packet is lost, when performing packet reordering using a window method in an ATM(Asynchronous Transmission Mode) mobile communication system. CONSTITUTION: An SGSN(Serving GPRS(General Packet Radio Service) Support Node) checks whether a packet is received from an RNC(Radio Network Controller)(301). If so, the SGSN checks a sequence number of the received packet(303). The SGSN checks whether a packet loss is generated(305). If so, the SGSN registers the sequence number of the lost packet(307). The SGSN decides whether to buffer the received packet in compliance with a defined window size(309). The SGSN checks whether the sequence number of the received packet is included in the window size to decide buffering(311). If so, the SGSN buffers the received packet and waits packet receiving(325). If a new packet is received, the SGSN returns to the step 309. If not included in the step 311, the SGSN confirms a sequence number of the loss packet(313). The SGSN performs normal processing for buffered packets after the lost packet and the received packet(315) and returns to the step 301.

Abstract translation: 目的：在ATM（异步传输模式）移动通信系统中使用窗口方法执行数据包重新排序时，提供了通过特定数据包丢失来传送残余数据包的数据包重排序方法。 构成：SGSN（服务GPRS（通用分组无线业务）支持节点）检查是否从RNC（无线网络控制器）（301）接收到分组。 如果是，则SGSN检查接收到的分组的序列号（303）。 SGSN检查是否生成分组丢失（305）。 如果是，则SGSN注册丢失分组的序列号（307）。 SGSN决定是否按照定义的窗口大小缓冲接收的分组（309）。 SGSN检查接收到的分组的序列号是否包括在窗口大小中以决定缓冲（311）。 如果是，则SGSN缓存接收的分组并等待分组接收（325）。 如果接收到新的分组，则SGSN返回到步骤309.如果不包括在步骤311中，则SGSN确认丢失分组的序列号（313）。 SGSN在丢失的分组和接收的分组（315）之后对缓冲的分组执行正常处理并返回到步骤301。