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1.发明授权
公开(公告)号：KR100842923B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070022550
申请日：2007-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/7834 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , H01L21/28123 , H01L29/66636
Abstract: A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe and an information storage device using the same are provided to reduce a process variable in device performance and to increase reliability of mass production by anisotropic-wet-etching a silicon substrate using side-walls. A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe comprises the steps of: forming a first etching mask pattern(110a) on a silicon substrate(100c) to form a tip part of the probe in a first direction and forming side-wall areas at two sides of the first etching mask pattern; anisotropic-etching the silicon substrate to form two inclined surfaces of the probe; forming source and drain areas(160,170,180,190) on the silicon substrate by injecting dopants, using the side-wall area as masks, and removing the side-wall areas; removing the first etching mask pattern; forming a second etching mask pattern to form a tip part of the probe in a second direction; forming space layers at two sides of the second etching mask pattern; and etching the silicon substrate by photographing and etching processes and removing the space layers.
Abstract translation: 提供一种制造增强半导体探针的方法和使用其的信息存储装置，以减少器件性能中的工艺变量，并且通过使用侧壁对硅衬底进行各向异性湿蚀刻来提高批量生产的可靠性。 一种制造增强型半导体探针的方法包括以下步骤：在硅衬底（100c）上形成第一蚀刻掩模图案（110a），以在第一方向上形成探针的尖端部分，并在两侧形成侧壁区域 的第一蚀刻掩模图案; 各向异性蚀刻硅衬底以形成探针的两个倾斜表面; 通过注入掺杂剂在硅衬底上形成源极和漏极区域（160,170,180,190），使用侧壁区域作为掩模，并去除侧壁区域; 去除第一蚀刻掩模图案; 形成第二蚀刻掩模图案以在第二方向上形成探针的末端部分; 在第二蚀刻掩模图案的两侧形成空间层; 并通过拍摄和蚀刻工艺蚀刻硅衬底并去除空间层。
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公开(公告)号：KR100804738B1
公开(公告)日：2008-02-19
申请号：KR1020070004973
申请日：2007-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/66636 , H01L29/66659 , H01L29/78 , G01R1/067
Abstract: A semiconductor probe using an impact-ionization semiconductor device is provided to remarkably improve the limit of sensitivity of a resistive probe and easily adjust the quantity of charges capable of being detected by a probe by developing a new probe structure for easily adjusting the band energy of a source. One tilted surface of a probe is formed by an anisotropic etch process using a first etch mask pattern formed on a silicon substrate. After impurities are doped into the exposed substrate to form a first semiconductor electrode region(16), the first etch mask pattern is removed. A second etch mask pattern opposite to the direction of the first etch mask pattern is formed on the silicon substrate. Space layers are formed on the sidewalls of the second etch mask pattern. After the exposed silicon substrate is anisotropically etched to form an opposite tilted surface of the probe, the second etch mask pattern is removed. Impurities are doped into the exposed substrate to form a second semiconductor electrode region(18), and the second etch mask pattern is removed. A silicon oxide layer pattern is formed on the resultant structure by a known method. Space layers are formed on both sidewalls of the silicon oxide layer pattern. By using the space layer, a predetermined depth of the silicon substrate is etched by a photolithography process, and the space layer is removed. The first semiconductor electrode region can be a source terminal, and the second semiconductor electrode region can be a drain terminal.
Abstract translation: 提供使用冲击电离半导体器件的半导体探针，以显着提高电阻式探头的灵敏度极限，并且通过开发新的探针结构容易地调节能够由探针检测的电荷量，从而容易地调节带电能 来源。 通过使用形成在硅衬底上的第一蚀刻掩模图案的各向异性蚀刻工艺形成探针的一个倾斜表面。 在将杂质掺杂到暴露的衬底中以形成第一半导体电极区域（16）之后，去除第一蚀刻掩模图案。 在硅衬底上形成与第一蚀刻掩模图案的方向相反的第二蚀刻掩模图案。 空间层形成在第二蚀刻掩模图案的侧壁上。 在暴露的硅衬底被各向异性蚀刻以形成探针的相对的倾斜表面之后，去除第二蚀刻掩模图案。 将杂质掺杂到暴露的衬底中以形成第二半导体电极区域（18），并且去除第二蚀刻掩模图案。 通过已知的方法在所得结构上形成氧化硅层图案。 空间层形成在氧化硅层图案的两个侧壁上。 通过使用空间层，通过光刻工艺蚀刻硅衬底的预定深度，并且去除空间层。 第一半导体电极区域可以是源极端子，第二半导体电极区域可以是漏极端子。
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3.发明授权안티몬 및 탄소 성분을 함유하는 복합체, 그 제조 방법,상기 복합체를 포함하는 이차 전지 및 그 이용 방법 失效包含锑和碳组分的复合材料，其制备方法，包含复合材料的可再充电电池和使用可再充电电池的方法
公开(公告)号：KR100902217B1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070028122
申请日：2007-03-22
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명에서는 이차 전지 특히 리튬 이차 전지의 음극 재료로 사용되는 안티몬 및 1종 이상의 탄소 성분을 함유하는 복합체 특히 나노 크기의 복합체, 그 제조 방법, 상기 복합체 특히 나노 크기의 복합체를 포함하는 이차 전지 특히 리튬 이차 전지 및 그 이용 방법을 제공한다. 본 발명의 안티몬 및 1종 이상의 탄소 성분을 함유하는 복합체 특히 나노 복합체를 이차 전지, 특히 리튬 이차 전지의 음극물질로서 사용하는 경우 충전 및 방전 동안 나타나는 응집현상을 제어할 수 있고, 음극물질의 부피 변화로 인한 물질의 파괴현상을 최소화하여 기계적 안정성을 확보할 수 있으며, 용량과 사이클 수명도 향상할 수 있다. 특히, 본 발명의 안티몬 및 탄소 성분을 함유하는 복합체 특히 나노 복합체가 이차 전지 특히 리튬 이차 전지의 음극 물질로 사용되는 경우에는 뛰어난 고율특성도 함께 발현할 수 있다.
안티몬, 탄소, 복합체, 고에너지볼밀링, 고율특성, 이차 전지, 음극재료-
公开(公告)号：KR1020090041950A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020070107759
申请日：2007-10-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01M4/364 , C01B32/90 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M2004/027 , Y02E60/12
Abstract: A composite is provided to ensure excellent initial efficiency while maintaining high capacity, high-rate characteristic and improved cycle life. A method for manufacturing the composite comprises a first step manufacturing binary system alloy from a first element capable of reacting with lithium and a second element forming binary alloy phase with the first element; and a second step manufacturing a composite containing the first element capable of reacting with lithium, carbide of the second element and carbon by dealloying the binary system alloy.
Abstract translation: 提供复合材料以确保优异的初始效率，同时保持高容量，高速率特性和循环寿命。 制造复合材料的方法包括：第一步骤，制备二元体系合金，其中第一元素能够与锂反应，第二元素与第一元素形成二元合金相; 以及第二步骤，通过脱模二元体系合金，制造含有能够与锂反应的第一元素，第二元素的碳化物和碳的复合物。
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公开(公告)号：KR100922282B1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020070107759
申请日：2007-10-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명에서는 이차 전지 특히 리튬 이차 전지의 음극 재료로 사용가능한 리튬과 반응 가능한 제 1 원소, 상기 제 1 원소와 이원계 합금상의 형성이 가능한 제 2 원소-카바이드 및 탄소를 함유하는 것을 특징으로 하는 복합체, 그 제조 방법, 상기 복합체를 포함하는 이차 전지 및 그 이용 방법을 제공한다. 본 발명에 의하여, 합금 및 탈합금화의 새로운 방법에 의하여 화학적 방법 등의 복잡하고 비효율적인 과정을 거치지 않고도 간단하고 효율적으로 복합체를 제조할 수 있다. 상기 복합체는 이차 전지 특히 리튬 이차 전지의 음극 재료로 이용되어 기존의 이차 전지 특히 리튬 이차 전지의 음극 재료와 달리 높은 용량을 유지하면서 초기 효율이 우수하고, 입자 조대화에 의한 부피 변화의 문제점이 없다. 또한, 상기 복합체를 이용하는 이차 전지 특히 리튬 이차 전지는 고율 특성을 달성할 수 있고, 사이클 수명을 매우 향상시킬 수 있다.
안티몬, 알루미늄, 탄소, 나노 복합체, 고에너지 볼밀링, 고율특성, 이차 전지 음극재료-
Patent Agency Ranking6.发明公开안티몬 및 탄소 성분을 함유하는 복합체, 그 제조 방법,상기 복합체를 포함하는 이차 전지 및 그 이용 방법 失效包含抗微生物和碳组分的复合材料，其制备方法，包含复合材料的可充电电池和使用可充电电池的方法
公开(公告)号：KR1020080086224A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070028122
申请日：2007-03-22
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: C22C12/00 , C22C1/1084 , H01M4/362 , H01M10/052
Abstract: A composite containing antimony and carbon, a method for preparing the composite, a secondary battery comprising the composite, and a method for using the secondary battery are provided, wherein the composite containing antimony and carbon has excellent initial efficiency, does not have a volume change problem due to particle coarsening, and particularly can accomplish high rate capability and improve cycle life of the secondary battery. A method for preparing a composite containing antimony and carbon comprises the steps of: providing antimony and carbon; mixing the antimony with the carbon; and ball-milling a mixture of the antimony and the carbon to prepare a composite containing antimony and carbon. The method further comprises: additionally mixing graphite with the composite containing antimony and carbon; and ball-milling the mixture of the composite and the graphite. A composite containing antimony and carbon is characterized in that the composite is used as an anode material for a secondary battery. A secondary battery is characterized in that a composite containing antimony and carbon is used as an anode material for a secondary battery. The secondary battery is a lithium secondary battery. The composite is a nano-sized composite. The nano-sized composite further comprises graphite.
Abstract translation: 提供含有锑和碳的复合材料，制备复合材料的方法，包含复合材料的二次电池以及使用二次电池的方法，其中含有锑和碳的复合材料具有优异的初始效率，不具有体积变化 由于颗粒粗化而引起的问题，特别是可以实现高速率能力并且提高二次电池的循环寿命。 制备含锑和碳的复合材料的方法包括以下步骤：提供锑和碳; 将锑与碳混合; 并对锑和碳的混合物进行球磨，以制备含有锑和碳的复合材料。 该方法还包括：另外将石墨与含有锑和碳的复合物混合; 并对该复合材料和石墨的混合物进行球磨。 含有锑和碳的复合材料的特征在于该复合材料用作二次电池的负极材料。 二次电池的特征在于，使用含有锑和碳的复合材料作为二次电池的负极材料。 二次电池是锂二次电池。 复合材料是纳米尺寸复合材料。 纳米尺寸复合材料还包括石墨。
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公开(公告)号：KR101703281B1
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020100124438
申请日：2010-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L41/193 , H01L41/083 , H01L41/45 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/27 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/0474 , H01L41/0478 , H01L41/0833 , H01L41/193 , H01L41/27
Abstract: 다층전기활성폴리머디바이스와이의제조방법이개시된다. 다층전기활성폴리머디바이스는적층된복수의단위층(a plurality of unit layers)을포함한다. 그리고복수의단위층 각각은전기활성폴리머(Electro-Active Polymer)로형성된 EAP층, EAP층으로물질침투를방지하도록형성된보호층(protecting layer), 및전도성물질로형성된활성전극(active electrode)을포함한다. 활성전극은보호층상에형성되거나또는활성전극이먼저형성되고그 상부에보호층이형성될수도있다. 또는, 보호층이두 개의층으로구성된경우에활성전극은이 두개의보호층사이에개재될수도있다.
Abstract translation: 提供了多层电活性聚合物（EAP）装置及其制造方法。 多层EAP设备包括多个单元层。 每个单元层包括由电活性聚合物（EAP）形成的EAP层（111-118），被配置为防止材料渗入EAP层的保护层（121-128）和有源电极（131-138） 使用导电材料形成。 保护层可以形成在有源层之下或活性层之上。 有源电极可以介于两个保护层之间。
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公开(公告)号：KR101682660B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020100061421
申请日：2010-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3418 , H01L27/115 , H01L27/11582
Abstract: 본발명은기판및 상기기판과교차하는방향으로적층된복수의메모리셀들을포함하는불휘발성메모리장치의읽기방법에관한것이다. 본발명의읽기방법은비트라인들에비트라인전압을인가하는단계, 선택된적어도하나의스트링선택라인에제 1 스트링선택라인전압을인가하는단계, 비선택된적어도하나의스트링선택라인에제 2 스트링선택라인전압을인가하는단계, 워드라인들에읽기전압을인가하는단계, 선택된적어도하나의접지선택라인에제 1 접지선택라인전압을인가하는단계, 그리고비선택된적어도하나의접지선택라인에제 2 접지선택라인전압을인가하는단계로구성된다.
Abstract translation: 非易失性存储器件的读取方法包括在与衬底交叉的方向上堆叠的衬底和多个存储单元。 读取方法将位线电压施加到多个位线，并将第一串选择线电压施加到至少一个所选择的串选择线。 读取方法将第二串选择线电压施加到至少一个未选择的串选择线，并将读电压施加到多个字线。 读取方法将第一接地选择线电压施加到至少一个所选择的接地选择线，并将第二接地选择线电压施加到至少一个未选择的接地选择线。
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公开(公告)号：KR1020110024804A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082949
申请日：2009-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B3/14 , C08G77/04 , C08G77/16 , G02B3/12 , G02B7/04 , G02B26/00 , G02B26/02
Abstract: PURPOSE: A fluidic lens is provided to prevent optical fluid from being absorbed or leaked to an optical membrane. CONSTITUTION: An optical membrane(130) is formed of a transparent elastomer. The optical membrane includes a lens surface. A fixed space is filled with transparent optical fluid(125) when the fluid contacts the lens surface of the optical membrane. The transparent optical fluid is made of materials of an optical membrane and materials which generates a repulsive force.
Abstract translation: 目的：提供流体透镜以防止光学流体被吸收或泄漏到光学膜。 构成：光学膜（130）由透明弹性体形成。 光学膜包括透镜表面。 当流体接触光学膜的透镜表面时，固定空间填充有透明光学流体（125）。 透明光学流体由光学膜的材料和产生排斥力的材料制成。
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公开(公告)号：KR100905716B1
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070046201
申请日：2007-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/02
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 본 발명의 전계기록재생장치의 구동방법은, 소오스 영역과 드레인 영역 사이에 위치되는 저항 영역과 이 저항영역 상에 위치되는 쓰기 전극을 구비하는 전계기록재생헤드를 채용한 전계기록재생장치의 구동방법으로서, 쓰기 전극에 기록매체에 분극을 유발하는 임계전압보다 낮은 조정전압을 인가하고, 기록매체 상의 전기 도메인의 분극방향에 따라 저항 영역을 통하여 흐르는 전류량의 변화에 기초하여 기록매체에 기록된 정보를 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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