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1.发明授权
公开(公告)号：KR100842923B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070022550
申请日：2007-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L29/7834 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , H01L21/28123 , H01L29/66636
Abstract: A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe and an information storage device using the same are provided to reduce a process variable in device performance and to increase reliability of mass production by anisotropic-wet-etching a silicon substrate using side-walls. A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe comprises the steps of: forming a first etching mask pattern(110a) on a silicon substrate(100c) to form a tip part of the probe in a first direction and forming side-wall areas at two sides of the first etching mask pattern; anisotropic-etching the silicon substrate to form two inclined surfaces of the probe; forming source and drain areas(160,170,180,190) on the silicon substrate by injecting dopants, using the side-wall area as masks, and removing the side-wall areas; removing the first etching mask pattern; forming a second etching mask pattern to form a tip part of the probe in a second direction; forming space layers at two sides of the second etching mask pattern; and etching the silicon substrate by photographing and etching processes and removing the space layers.
Abstract translation: 提供一种制造增强半导体探针的方法和使用其的信息存储装置，以减少器件性能中的工艺变量，并且通过使用侧壁对硅衬底进行各向异性湿蚀刻来提高批量生产的可靠性。 一种制造增强型半导体探针的方法包括以下步骤：在硅衬底（100c）上形成第一蚀刻掩模图案（110a），以在第一方向上形成探针的尖端部分，并在两侧形成侧壁区域 的第一蚀刻掩模图案; 各向异性蚀刻硅衬底以形成探针的两个倾斜表面; 通过注入掺杂剂在硅衬底上形成源极和漏极区域（160,170,180,190），使用侧壁区域作为掩模，并去除侧壁区域; 去除第一蚀刻掩模图案; 形成第二蚀刻掩模图案以在第二方向上形成探针的末端部分; 在第二蚀刻掩模图案的两侧形成空间层; 并通过拍摄和蚀刻工艺蚀刻硅衬底并去除空间层。
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公开(公告)号：KR100804738B1
公开(公告)日：2008-02-19
申请号：KR1020070004973
申请日：2007-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/66636 , H01L29/66659 , H01L29/78 , G01R1/067
Abstract: A semiconductor probe using an impact-ionization semiconductor device is provided to remarkably improve the limit of sensitivity of a resistive probe and easily adjust the quantity of charges capable of being detected by a probe by developing a new probe structure for easily adjusting the band energy of a source. One tilted surface of a probe is formed by an anisotropic etch process using a first etch mask pattern formed on a silicon substrate. After impurities are doped into the exposed substrate to form a first semiconductor electrode region(16), the first etch mask pattern is removed. A second etch mask pattern opposite to the direction of the first etch mask pattern is formed on the silicon substrate. Space layers are formed on the sidewalls of the second etch mask pattern. After the exposed silicon substrate is anisotropically etched to form an opposite tilted surface of the probe, the second etch mask pattern is removed. Impurities are doped into the exposed substrate to form a second semiconductor electrode region(18), and the second etch mask pattern is removed. A silicon oxide layer pattern is formed on the resultant structure by a known method. Space layers are formed on both sidewalls of the silicon oxide layer pattern. By using the space layer, a predetermined depth of the silicon substrate is etched by a photolithography process, and the space layer is removed. The first semiconductor electrode region can be a source terminal, and the second semiconductor electrode region can be a drain terminal.
Abstract translation: 提供使用冲击电离半导体器件的半导体探针，以显着提高电阻式探头的灵敏度极限，并且通过开发新的探针结构容易地调节能够由探针检测的电荷量，从而容易地调节带电能 来源。 通过使用形成在硅衬底上的第一蚀刻掩模图案的各向异性蚀刻工艺形成探针的一个倾斜表面。 在将杂质掺杂到暴露的衬底中以形成第一半导体电极区域（16）之后，去除第一蚀刻掩模图案。 在硅衬底上形成与第一蚀刻掩模图案的方向相反的第二蚀刻掩模图案。 空间层形成在第二蚀刻掩模图案的侧壁上。 在暴露的硅衬底被各向异性蚀刻以形成探针的相对的倾斜表面之后，去除第二蚀刻掩模图案。 将杂质掺杂到暴露的衬底中以形成第二半导体电极区域（18），并且去除第二蚀刻掩模图案。 通过已知的方法在所得结构上形成氧化硅层图案。 空间层形成在氧化硅层图案的两个侧壁上。 通过使用空间层，通过光刻工艺蚀刻硅衬底的预定深度，并且去除空间层。 第一半导体电极区域可以是源极端子，第二半导体电极区域可以是漏极端子。
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公开(公告)号：KR1020120125097A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110043178
申请日：2011-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01J1/4228 , G01B11/22 , G01S7/4816 , G01S7/4861 , G01S17/89 , H01L27/14603 , H04N5/3696 , H04N5/3745
Abstract: PURPOSE: A distance measuring sensor of a time-of-flight method and a semiconductor with the same are provided to reduce sensing errors when measuring a distance and to minimize effects of a field to an actuating region caused by a non-actuating region. CONSTITUTION: A distance measuring sensor of a time-of-flight method and a semiconductor with the same comprise a light receiving region(11) and sensing regions(13a,13b) The light receiving region photoelectrical-converts received optical signals, thereby outputting as electrical signals. The sensing region is arranged adjacent to the light receiving region and receives electrical signals from the light receiving region. First and second virtual lines are perpendicular to each other and pass through a center of the light receiving region. The sensing region is arranged to have an angle more than 0 degree with the first virtual line.
Abstract translation: 目的：提供飞行时间方法的距离测量传感器及其半导体距离测量传感器，以便在测量距离时减少感测误差，并尽可能减少由非致动区域引起的对致动区域的影响。 构成：飞行时间法的距离测量传感器及其半导体具有光接收区域（11）和感测区域（13a，13b）。光接收区域对接收的光信号进行光电转换，从而输出为 电信号。 感测区域布置成与光接收区域相邻并且从光接收区域接收电信号。 第一虚拟线和第二虚拟线彼此垂直并穿过光接收区域的中心。 感测区域被布置成与第一虚拟线具有大于0度的角度。
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公开(公告)号：KR1020120107755A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：KR1020110025467
申请日：2011-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/359
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/1465 , H01L27/14689
Abstract: PURPOSE: A pixel array for an image sensor and a method for manufacturing the pixel array are provided to reduce interference between a color pixel and a distance pixel by forming a cut-off region in a lower portion of a photo diode of the color pixel. CONSTITUTION: A color pixel provides color image information. A distance pixel(Z) provides distance information. A pixel pattern(105) comprises a red pixel(R), a greed pixel(G), a blue pixel(B), and the distance pixel. The color pixel includes a first photo diode and a cut-off region collecting electrons. The cut-off region prevents photo-charges from being generated by second wavelength light from entering a first photo diode.
Abstract translation: 目的：提供用于图像传感器的像素阵列和用于制造像素阵列的方法，以通过在彩色像素的光电二极管的下部形成截止区域来减少彩色像素与距离像素之间的干扰。 构成：彩色像素提供彩色图像信息。 距离像素（Z）提供距离信息。 像素图案（105）包括红色像素（R），贪心像素（G），蓝色像素（B）和距离像素。 彩色像素包括第一光电二极管和收集电子的截止区域。 截止区域防止由第二波长光进入第一光电二极管产生光电荷。
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公开(公告)号：KR100905720B1
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070071286
申请日：2007-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B9/02 , G11B5/6082 , H01L29/78
Abstract: 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록 헤드를 포함한 정보 저장 장치에 대해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 전계 재생/기록 헤드는, 기판 내에 형성된 것으로서, 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역, 상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 및 상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극을 포함하되, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080090932A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020070034413
申请日：2007-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A ferroelectric hard disk system is provided to store and reproduce information in a hard disk by using the switching principle of ferroelectric dipole. A ferroelectric hard disk system comprises a hard disk(20) and a head(21). The hard disk comprises a substrate, a seed layer formed on the substrate, a lower electrode(201) formed on the seed layer, and a ferroelectric layer(202) formed on the lower electrode. The head formed on the upper part of the ferroelectric hard disk records and reproduces information in the ferroelectric layer.
Abstract translation: 提供铁电硬盘系统，通过使用铁电偶极子的切换原理来在硬盘中存储和再现信息。 铁电硬盘系统包括硬盘（20）和磁头（21）。 硬盘包括基板，形成在基板上的种子层，形成在种子层上的下电极（201）和形成在下电极上的铁电层（202）。 形成在铁电硬盘的上部的磁头记录并再现铁电层中的信息。
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公开(公告)号：KR100817309B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060080530
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/14
CPC classification number: G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/149
Abstract: 본 발명은 고밀도 데이터 저장 장치 및 그 기록/재생 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 접촉 없이 고밀도의 데이터를 기록/재생하여, 접촉에 의한 데이터의 오류를 방지할 수 있는 고밀도 데이터 저장 장치 및 그 기록/재생 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 고밀도 데이터 저장 장치는 기록매체와 탐침을 이용한 것으로, 상기 기록매체는 상(phase)변환 물질 또는 산화물 저항변화 물질로 형성된 박막이고, 상기 탐침의 하부에는 상기 기록매체의 상부에 이격되어 이동하는 팁(tip)이 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 탐침의 팁에서 발생되는 전기장이나 열방출에 의해서 기록매체와 탐침이 직접 접촉하지 않고 데이터의 기록/재생을 실시하여, 기록매체와 탐침의 접촉으로 인하여 발생하는 불안정성을 제거하고, 기록매체에 데이터를 에러 없이 안정되게 기록/재생할 수 있는 효과가 있다.
탐침, 기록매체, SPM, 상변환 물질, 전이 금속 산화물-
公开(公告)号：KR100682916B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050003977
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버; 상기 캔티레버 상에서 상기 저항영역을 덮는 유전층; 및 상기 유전층 상에서 상기 저항영역에 해당되는 영역에 개구가 형성된 메탈 쉴드;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1020060078697A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040117010
申请日：2004-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/105
Abstract: 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법이 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 제1 배선 상에 적층되어 자기 분극 방향이 주어진 방향으로 고정된 하부 자성막과, 상기 하부 자성막 상에 적층된 비자성막과, 상기 비자성막 상에 적층되어 자기 분극 방향이 상기 하부 자성막의 자기 분극 방향과 동일하거나 반대인 상부 자성막과, 상기 상부 자성막 상에 형성된 제2 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법을 제공한다. 상기 제1 배선의 일단과 상기 제2 배선의 일단사이에 제1 전류원이 구비되고, 상기 제1 배선의 타단과 상기 제2 배선의 타단사이에 제2 전류원이 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140143867A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130065351
申请日：2013-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 물체의 움직임을 검출할 수 있는 씨모스 이미지 센서가 제공된다. 씨모스 이미지 센서는 복수의 픽셀 영역들을 포함하는 제 1 도전형의 반도체 기판으로서, 상기 픽셀 영역들 각각은 수광 영역 및 상기 수광 영역을 둘러싸는 로직 영역을 포함하는 것, 상기 수광 영역의 상기 반도체 기판 내에 제 2 도전형의 불순물을 도핑하여 형성된 광전 변환층, 상기 반도체 기판 내에 형성되어 상기 픽셀 영역들 각각의 상기 수광 영역을 정의하며, 상기 광전 변환층의 측벽을 둘러싸는 제 1 소자 분리막, 및 상기 반도체 기판 내에 형성되어 상기 로직 영역을 정의하며, 상기 제 1 소자 분리막의 수직적 깊이보다 작은 수직적 깊이를 갖는 제 2 소자 분리막을 포함하되, 상기 광전 변환층의 바닥면은, 수직적 관점에서, 상기 제 1 소자 분리막의 바닥면과 상기 제 2 소자 분리막의 바닥면 사이에 위치한다.
Abstract translation: 提供了一种CMOS图像传感器，其检测物体的移动。 CMOS图像传感器是包括多个像素区域的第一导电型半导体衬底。 每个像素区域具有光接收区域和围绕光接收区域的逻辑区域。 在受光区域的半导体衬底中形成通过掺杂第二导电型杂质形成的光电转换层。 第一器件隔离层形成在半导体衬底中，限定像素区域的每个光接收区域并且包围光电转换层的侧壁。 在半导体衬底中形成第二器件隔离层，限定逻辑区域，并且与第一器件隔离层的垂直深度相比具有较小的垂直深度。 在垂直方向上，光电转换层的底表面位于第一器件隔离层的底表面和第二器件隔离层的底表面之间。
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