公开(公告)号：KR1020170021648A

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020150116277

申请日：2015-08-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박철민 ,  전민한 ,  오동현 ,  나가라잔발라지

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 졸-겔법및 어닐링공정을이용한패시베이션층형성방법이개시된다. 졸-겔법및 어닐링공정을이용한패시베이션층형성방법은웨이퍼상에졸-겔법을이용하여알루미나(AlO)로이루어진패시베이션층을형성하는단계; 및상기패시베이션층을어닐링하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了使用溶胶 - 凝胶法和退火工艺的钝化层形成方法。 使用溶胶 - 凝胶法和退火工艺的钝化层形成方法包括：使用溶胶 - 凝胶法在晶片上形成由氧化铝（AlO）制成的钝化层; 并对钝化层进行退火。

公开(公告)号：KR1020170073902A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：KR1020150182659

申请日：2015-12-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  이영석 ,  김상호 ,  오동현 ,  김현성

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 미세결정실리콘산화물을이용한이종접합태양전지가개시된다. 미세결정실리콘산화물을이용한이종접합태양전지는하부전극; 하부전극상에배치되고미세결정실리콘산화물로이루어진하부도핑층; 상기하부도핑층상에배치된광전변환부; 상기광전변환부상에배치된상부도핑층; 상기상부도핑층상에배치된투명전도막을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种使用微晶氧化硅的异质结太阳能电池。 使用微晶氧化硅的异质结太阳能电池具有下电极; 设置在下电极上并由微晶氧化硅制成的下掺杂层; 设置在下掺杂层上的光电转换单元; 设置在光电转换部分上的上掺杂层; 以及设置在上掺杂层上的透明导电膜。

公开(公告)号：KR101831533B1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：KR1020160176342

申请日：2016-12-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  이영석 ,  김상호 ,  오동현 ,  박진주

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은투명전도막상에전극을형성하는방법에관한것이고, 또한본 발명은실리콘이종접합태양전지에전극을형성하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른투명전도막상에전극을형성하는방법은, 투명전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에산화막을형성하는단계; 레이저스크라이빙(laser scribing)을이용하여전극을형성할위치에서상기투명전도막의일부및 상기산화막을식각하는단계; 상기식각된빈 공간에전극을형성하는계; 및상기산화막을제거하는단계를포함한다.