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公开(公告)号：WO2011040688A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/KR2010/003062
申请日：2010-05-14
CPC classification number: G01N17/04
Abstract: 본 발명은 배관 방청 관련 전기화학적 가속화 방법을 이용한 정량적 코팅 열화도의 평가방법에 관한 것으로서, 금속재질의 모재로 이루어진 비코팅재와 상기 금속재질 모재의 표면에 부식방지 코팅된 코팅재를 준비하는 준비단계; 상기 코팅재의 표면 일부분을 제거하여 인위적인 결함부를 생성하는 결함부 생성단계; 상기 코팅재 및 상기 비코팅재를 각각 인공침출수에 넣은 후, 상기 코팅재 및 상기 비코팅재에 대해 각각 양극 또는 음극전위를 교번인가하는 가속화단계; 상기 코팅재 및 상기 비코팅재 각각에 대해 교류전압을 인가하여 임피던스 분광시험에 의해 상기 가속화단계를 거친 시점의 열화도 상태를 평가하는 열화도 평가단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 실제 열화 환경과 가장 흡사한 인공침출수를 제조하여 부식환경을 조성함으로써, 실제 지하 환경에 매설되는 배관의 코팅열화도를 정확하게 예측할 수 있으며, 양극반응과 음극 반응을 동시에 적용하는 최적화된 정전위분극법을 이용한 열화 가속화시험을 통해 실제 코팅열화기구인 음극박리와 산화물 부풀림 현상을 모두 재현할 수 있어, 배관제품의 열화도를 정확하게 예측할 수 있는 장점이 있다. 뿐만 아니라, 최적화된 임피던스 분광시험에 의해 박리면적 및 코팅보호효율 등을 정확히 측정할 수 있으며, 이를 통해 이종재료간의 코팅열화도에 대해, 전기화학적으로 정량적인 비교를 용이하게 할 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用电化学加速涉及管道防锈的涂层退化的定量评价方法，该方法包括：由金属母体材料形成的未涂覆部件和涂覆部件的制备步骤， 预防金属母材的表面; 缺陷部分制造步骤，通过从涂覆部件的表面去除一部分来制造人造缺陷部分; 将每个涂覆部件和未涂覆部件放置在人造沥滤液中，然后交替地向每个涂覆部件和非涂覆部件施加正或负电位的加速步骤; 以及劣化评估步骤，通过在加速步骤之后分别向涂覆部件和未涂覆部件施加AC电压，通过阻抗谱测试来评估退化状态。 根据本发明，通过制备与实际退化环境最相似的人造沥滤液，通过构成腐蚀性环境来精确估计埋在真实地下环境中的管道的涂层退化程度。 通过使用优化的恒电位极化试验方法，通过劣化加速试验，可以再现实际的降解机理，即所有的阴极解散和氧化物的充气，其中同时施加阳极反应和阴极反应，从而精确地估计降解度 的管产品。 此外，通过优化的阻抗谱测试，可以精确测量分层面积和涂层保护效率。 因此，可以容易地对不同材料的涂层劣化程度进行电化学定量比较。
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公开(公告)号：WO2016200225A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/KR2016/006221
申请日：2016-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/502 , B32B5/16 , B32B37/12 , B32B2264/10 , B32B2457/206 , G02B6/02 , H01L51/5036 , H01L2933/0041
Abstract: 용매에 분산된 양자점 또는 염료를 파이버(fiber) 또는 비드(bead)의 형태로 형성하는 단계, 상기 파이버 또는 비드를 점착성 필름에 압력을 가하여 접착시키는 단계, 및 상기 파이버 또는 비드가 접착된 점착성 필름을 경화시키는 단계를 포함하는, 양자점 또는 염료를 함유하는 대면적 필름 및 상기 대면적 필름의 제조 방법, 그리고 전기 방사법에 의하여 제조된, 양자점 또는 염료의 파이버 또는 비드에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及含有量子点或染料的大面积膜，以及涉及大面积膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成量子点或分散于其中的染料的步骤 溶剂，以纤维或珠粒的形式; 向粘合剂膜施加压力以将纤维或珠粒附着在其上的步骤; 以及固化已经粘附有纤维或珠粒的粘合剂膜的步骤。 本发明还涉及通过静电纺丝法生产的量子点或染料的纤维或珠粒。
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公开(公告)号：KR102216542B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150134166A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/054 , Y02E10/52
Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는 P형영역과 N형영역을포함하는 TMDC층(반도체특성을나타내는 2차원물질)을기판상에구비하고, 상기 TMDC층의상기 P형영역상에는광전효율을높이는미립자가분포되어있다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는과정과, 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는과정을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电子设备，其包括使用二维材料的水平二极管及其制造方法。 所公开的电子器件具有在基板上包括p型区域和n型区域的TMDC层（表示半导体特性的二维材料），并且增加光电效率的粒子分布在TMDC的p型区域中 层。 所公开的电子器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层; 在绝缘层上形成二维材料层; 并将二维材料层分成n型区域和p型区域。
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公开(公告)号：KR1020130007062A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110063127
申请日：2011-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L29/1606 , H01L29/4234 , H01L29/66825 , H01L29/792
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device using the hysteresis property of graphene, a manufacturing method thereof, and an operating method thereof are provided to improve the operation margin of a memory device by forming a graphene layer with a chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A data storage layer(36) is formed on a substrate. A gate electrode(40) is separated from the data storage layer. An insulation layer is formed between the gate electrode and the data storage layer. A source region and a drain region are formed on both sides of the data storage layer. A channel layer connects the source region to the drain region.
Abstract translation: 目的：提供使用石墨烯的滞后特性的非易失性存储器件及其制造方法及其操作方法，以通过用化学气相沉积法形成石墨烯层来改善存储器件的操作余量。 构成：在基板上形成数据存储层（36）。 栅电极（40）与数据存储层分离。 在栅电极和数据存储层之间形成绝缘层。 源极区域和漏极区域形成在数据存储层的两侧。 沟道层将源极区域连接到漏极区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101037043B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020090016724
申请日：2009-02-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 반도체 기판의 비아 형성방법을 개시한다. 상기 방법은 반도체 기판을 진공 상태의 챔버 내 시료를 올려놓은 척(chuck)부에 제공하는 기판 제공단계, 상기 진공 상태의 챔버 내 공간인 플라즈마 생성부로 육플루오린화 황(SF
6 ), 산소(O
2 ) 및 팔플루오르화 부텐(C
4 F
8 )을 투입하고 상기 플라즈마 생성부에 전원을 인가하는 제1전원 및 상기 척부에 전원을 인가하는 제2전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계, 및 상기 제1전원은 연속적으로 인가하고 상기 제2전원은 저 주파수로 주기적으로 온(on)·오프(off)하면서 상기 플라즈마를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각함으로써 상기 반도체 기판에 비어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함한다.
반도체, 비아, 플라즈마, 저 주파수, 펄스-
公开(公告)号：KR1020110034968A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：KR1020090092480
申请日：2009-09-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G01N17/04
Abstract: PURPOSE: A quantitative evaluation method of coating degradation using electrochemical acceleration relating to pipe rest-prevention is provided to accurately estimate coating degradation before using a pipe by performing an acceleration test. . CONSTITUTION: A quantitative evaluation method of coating degradation using electrochemical acceleration relating to pipe rest-prevention is as follows. A non-coating material, composed of a metal material, and a coating material are prepared(S10). An artificla defect part is created by eliminating a part of the surface of the coating material(S20). The coating material and the non-coating material are put into artificla leachate. Positive or negative potential is alternatively applied to the coating material and the non-coating material. AC voltage is applied to the coating material and the non-coating material.
Abstract translation: 目的：通过进行加速度试验，在使用管道之前，通过使用电化学加速与管道静止防止相关的涂层退化的定量评估方法被提供，以准确估算涂层退化。 。 构成：使用电化学加速与管道静止防止有关的涂层退化的定量评价方法如下。 制备由金属材料和涂料组成的非涂层材料（S10）。 通过消除涂料表面的一部分来产生人造缺陷部分（S20）。 将涂层材料和非涂层材料放入人工渗滤液中。 可以将正电位或负电位施加到涂层材料和非涂层材料上。 交流电压施加到涂层材料和非涂层材料上。
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公开(公告)号：KR102100415B1
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：KR1020130083154
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR101880596B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020160072759
申请日：2016-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/502 , B32B5/16 , B32B37/12 , B32B2264/10 , B32B2457/206 , G02B6/02 , H01L33/505 , H01L51/001 , H01L51/502 , H01L51/5036 , H01L2933/0041
Abstract: 용매에분산된양자점또는염료를파이버(fiber) 또는비드(bead)의형태로형성하는단계, 상기파이버또는비드를점착성필름에압력을가하여접착시키는단계, 및상기파이버또는비드가접착된점착성필름을경화시키는단계를포함하는, 양자점또는염료를함유하는대면적필름및 상기대면적필름의제조방법, 그리고전기방사법에의하여제조된, 양자점또는염료의파이버또는비드에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160145519A
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020160072759
申请日：2016-06-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/502 , B32B5/16 , B32B37/12 , B32B2264/10 , B32B2457/206 , G02B6/02 , H01L51/5036 , H01L2933/0041 , G02B6/0229
Abstract: 용매에분산된양자점또는염료를파이버(fiber) 또는비드(bead)의형태로형성하는단계, 상기파이버또는비드를점착성필름에압력을가하여접착시키는단계, 및상기파이버또는비드가접착된점착성필름을경화시키는단계를포함하는, 양자점또는염료를함유하는대면적필름및 상기대면적필름의제조방법, 그리고전기방사법에의하여제조된, 양자점또는염료의파이버또는비드에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及含有量子点或染料的大面积膜，以及涉及大面积膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成量子点或分散于其中的染料的步骤 溶剂，以纤维或珠粒的形式; 向粘合剂膜施加压力以将纤维或珠粒附着在其上的步骤; 以及固化已经粘附有纤维或珠粒的粘合剂膜的步骤。 本发明还涉及通过静电纺丝法生产的量子点或染料的纤维或珠粒。
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