Abstract:
비디오 부호화 장치, 비디오 복호화 장치, 비디오 부호화 방법 및 비디오 복호화 방법을 제공한다. 비디오 부호화 장치에 있어서, 미리 정해진 비디오를 구성하는 프레임의 구성정보에 따라 입력받은 프레임을 키프레임 또는 하이브리드프레임으로 구분하는 프레임 구분부, 구분 결과에 따라 키프레임에 인트라 부호화 방법을 적용하여 변환된 키프레임을 생성하는 키프레임 부호화부 및 구분 결과에 따라 하이브리드프레임에 복수의 부호화 방법을 적용하여 변환된 하이브리드프레임을 생성하는 하이브리드프레임 부호화부를 포함하여 구성될 수 있다. 따라서 현재 프레임과 보조정보 사이의 잡음을 예측하여 그에 따른 패리티 양을 생성함으로써 분산 비디오 부호화 기술이 가지는 큰 문제점인 피드백 채널을 제거할 수 있으며, 복호화 장치에서 현재 프레임의 이전 및 이후 프레임을 이용하여 보조정보를 생성함으로써 발생하던 시간 지연도 발생하지 않는다.
Abstract:
Disclosed are a method and an apparatus for filtering a reference pixel. A method of smoothing the reference pixel may include the steps of: determining whether or not to perform smoothing on the reference pixel based on the size of a transform block and information about an intra-prediction mode for the transform block; and determining a smoothing method by comparing the size of the transform block with the size of a maximum transform block. Accordingly, image coding efficiency can be increased, and picture quality can be improved.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a through hole electrode using an aluminum foil is provided to improve an electrical property by enhancing a filling rate. CONSTITUTION: In a method for forming a through hole electrode using an aluminum foil, at least one through hole(110) having a fixed pattern is formed on a substrate(100). A seed layer(120) is formed by attaching a zincate-processed aluminum foil on a surface of one side of the substrate. A through hole electrode is formed by filling the through hole with a conductive material through the seed layer. The seed layer is removed.
Abstract:
A manufacturing method of flexible printed circuit board is provided to prevent generation of harmful residual product due to etching of a metal film by selectively forming the metal film on a base substrate through a removal of a mask film. A mask film(12) is formed on a base substrate, and is a photosensitive film. A part of the base substrate is exposed. A seed metal film(16) is formed on an exposed base substrate and the mask film by a metal deposition method, and is a composite metal film or an alloy film. A metal film(18) is formed on the seed metal film by a copper electroplating or a copper electroless plating. The mask film is removed. The seed metal film and the metal film of the mask film are removed. A conductive pattern is formed on the base substrate, and is made of the seed metal film and the metal film.
Abstract:
PURPOSE: A video coding and decoding apparatus and method thereof are provided to perform coding and decoding using limited resources by eliminating feedback channel. CONSTITUTION: A frame dividing unit(31100) divides an input frame into a key frame and a hybrid frame. The fame is inputted by the predetermined video structure. According to the divided result, a key frame encoder(31200) applies an intra coding method to the key frame. According to the divided result, the hybrid frame encoder(31300) applies a plurality of coding methods to the hybrid frame.
Abstract:
본 발명은 구리산화물 나노벨트를 이용한 의사커패시터 전극제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 의사(pseudo) 커패시터 전극제조방법은, 구리호일(foil)을 준비하는 단계와; 상기 구리호일의 표면을 100℃ 이하의 저온에서 산화용액에 접촉시켜, 상기 구리호일의 표면에 구리산화물 나노벨트(nano-belt)를 성장시키는 단계와; 상기 구리산화물 나노벨트가 성장된 상기 구리호일을 커패시터의 전극으로 이용하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 저렴하면서도 제조공정이 간단하고, 표면적을 극대화하여 고출력의 에너지를 공급할 수 있으며, 충전/방전시간 및 그 수명에 있어서도 월등히 우수한 값을 가지는 의사커패시터 제조가 가능한 효과가 있다. 구리산화물, 나노벨트, 의사커패시터
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a pseudo capacitor using a copper oxide nano belt is provided to supply high output energy by maximizing a surface area of the copper oxide by a low temperature oxide solution. CONSTITUTION: A copper foil(125) is prepared. The surface of the copper foil is activated and cleaned. A copper oxide nano belt is grown on the surface of the copper foil by contacting the surface of the copper foil with the oxide solution(115) at a low temperature below 100 degrees centigrade. The oxide solution is formed by mixing NaClO2 aqueous solution, Na3PO4 12H2O aqueous solution and NaOH aqueous solution with 1:1:1. The copper foil with the copper oxide nano belt is used as the electrode of the capacitor.