수직자기기록매체의 제조방법
    2.
    发明公开
    수직자기기록매체의 제조방법 无效
    制造全能磁记录介质的方法

    公开(公告)号:KR1020090105746A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:KR1020080031380

    申请日:2008-04-03

    CPC classification number: G11B5/667 G11B5/65 G11B5/84

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium is provided to reduce the noise and improve the signal to noise ratio of the medium by magnetically separating the particles in the recording layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium includes a step of laminating a soft-magnetic layer, a non magnetic middle layer, and a recording layer successively on the surface of a substrate(S1~S3), and a step of wet-etching the recording layer in order to separate the particles in it(S4). The recording layer is made of Co-Pt alloy, and nitric acid solution is used for wet-etching.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造垂直磁记录介质的方法,以通过磁记录层中的颗粒的磁分离来降低噪声并提高介质的信噪比。 构成:垂直磁记录介质的制造方法包括在基板表面上依次层叠软磁性层,非磁性中间层和记录层的工序(S1〜S3),以及湿式工序 - 记录层,以分离其中的颗粒(S4)。 记录层由Co-Pt合金制成,硝酸溶液用于湿蚀刻。

    수직자기기록매체의 제조방법
    3.
    发明公开
    수직자기기록매체의 제조방법 无效
    方法F0R制造一个完整的磁记录介质

    公开(公告)号:KR1020090030786A

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:KR1020070096331

    申请日:2007-09-21

    Abstract: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium is provided to improve the thermal stability of recording layer by depositing a soft-magnetic layer on the substrate surface with applying a magnetic field in the horizontal direction. A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium comprises a soft-magnetic layer(2), a non-magnetic intermediate layer, and a recording layer which are deposited in sequence on the surface of a substrate(1). The soft-magnetic layer is deposited by sputtering at the state that a magnetic field parallel to the horizontal plane of the substrate is applied from the opposite side of the deposition plane.

    Abstract translation: 提供一种用于制造垂直磁记录介质的方法,通过在水平方向上施加磁场而在基板表面上沉积软磁层来提高记录层的热稳定性。 一种用于制造垂直磁记录介质的方法包括依次沉积在基板(1)的表面上的软磁层(2),非磁性中间层和记录层。 在从沉积平面的相对侧施加平行于衬底的水平面的磁场的状态下,通过溅射沉积软磁性层。

    규칙적인 알루미늄 양극 산화 홀의 형성방법 및 이를이용한 자기기록매체의 형성방법
    4.
    发明授权
    규칙적인 알루미늄 양극 산화 홀의 형성방법 및 이를이용한 자기기록매체의 형성방법 失效
    形成高有序铝阳极氧化孔的方法及使用其形成磁记录介质的方法

    公开(公告)号:KR101002300B1

    公开(公告)日:2010-12-20

    申请号:KR1020070078588

    申请日:2007-08-06

    Abstract: 본 발명은 알루미늄 양극 산화시에 알루미늄에 규칙적인 나노 홀 형성을 유도할 수 있는 가이드 패턴을 미리 형성하고 양극 산화를 실시함에 의해 가이드 패턴을 따라 알루미늄 상에 나노 홀을 규칙적인 형성할 수 있는 규칙적인 알루미늄 양극 산화 홀의 형성방법 및 이를 이용한 자기기록매체의 형성방법에 관한 것이다.
    본 발명은 알루미늄층 위에 노출되는 알루미늄 영역을 선택적으로 차단하여 양극 산화시에 형성되는 양극산화 홀의 형성위치를 가이드하기 위한 가이드 패턴을 선택적으로 형성하는 단계와, 상기 노출된 알루미늄 영역에 대한 양극산화를 실시하여 노출된 알루미늄 영역을 마스킹하는 가이드 패턴의 막 종류에 따라 나노 홀의 생성 위치를 제어하여 외표면에 알루미나가 형성된 다수의 나노 홀을 규칙적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    알루미늄, 양극 산화, 자기기록매체, 나노 홀, 규칙적 생성

    알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성방법
    5.
    发明公开
    알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성방법 失效
    用于形成贯通孔电极的方法及其结构

    公开(公告)号:KR1020090110712A

    公开(公告)日:2009-10-22

    申请号:KR1020080036345

    申请日:2008-04-18

    CPC classification number: H01L21/76877 H01L21/32134 H01L21/76873

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a through hole electrode using an aluminum foil is provided to improve an electrical property by enhancing a filling rate. CONSTITUTION: In a method for forming a through hole electrode using an aluminum foil, at least one through hole(110) having a fixed pattern is formed on a substrate(100). A seed layer(120) is formed by attaching a zincate-processed aluminum foil on a surface of one side of the substrate. A through hole electrode is formed by filling the through hole with a conductive material through the seed layer. The seed layer is removed.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用铝箔形成通孔电极的方法,以通过提高填充率来提高电气性能。 构成:在使用铝箔形成通孔电极的方法中,在基板(100)上形成具有固定图案的至少一个通孔(110)。 通过在基板的一侧的表面上附着锌酸盐处理的铝箔来形成种子层(120)。 通过用种子层用导电材料填充通孔形成通孔电极。 种子层被去除。

    기판의 금속패턴 형성방법
    6.
    发明授权
    기판의 금속패턴 형성방법 有权
    在基材上形成金属图案的方法

    公开(公告)号:KR100901017B1

    公开(公告)日:2009-06-04

    申请号:KR1020070102536

    申请日:2007-10-11

    Abstract: 본 발명에 의한 기판의 금속패턴 형성방법은, 기판의 표면에 패턴을 형성하는 패턴 형성단계; 상기 기판 표면의 거칠기를 높이는 거칠기 정도 증가 단계; 및 상기 거칠기 정도 증가 단계에 의해 거칠기가 향상된 기판의 표면에 금속재질을 도금하여 선택적인 금속패턴을 형성하는 선택적 금속패턴 형성단계를 포함한다.
    금속패턴, 기판, 거칠기, 샌드, 패턴

    높은 규칙도를 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그제조방법
    8.
    发明授权
    높은 규칙도를 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그제조방법 有权
    高度有序的阳极氧化铝模板及其制造方法

    公开(公告)号:KR101399982B1

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:KR1020070068182

    申请日:2007-07-06

    Abstract: 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿은 알루미늄 막; 상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴; 상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄;을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
    또한, 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 (가) 알루미늄 막을 교대 배치되는 제1영역과 제2영역으로 나누고, 상기 제1영역만을 1차 양극 산화 시키는 단계; (나) 상기 제1영역에 생성된 산화 알루미늄을 제거하는 단계; (다) 상기 알루미늄 막의 상기 제1영역 및 제2영역을 2차 양극 산화 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    기판의 금속패턴 형성방법
    9.
    发明公开
    기판의 금속패턴 형성방법 有权
    在基材上形成金属图案的方法

    公开(公告)号:KR1020090037101A

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:KR1020070102536

    申请日:2007-10-11

    CPC classification number: H01L21/76874 G03F7/42 H01L21/0274 H05K3/422

    Abstract: A method for forming a metal pattern of a substrate is provided to directly form a pattern on a surface of a substrate without a coating process of a metal film by increasing roughness of the surface of the substrate. A predetermined pattern is formed by performing a photolithography process on a surface of a substrate(S1). The pattern is formed by a photoresist in a pattern forming step. The photoresist is made of negative AZ5214 material. The photolithography process is performed by irradiating an ultraviolet ray. A roughness of a surface of a part etched on the substrate is improved(S2). A roughness improving process is performed by a sanding process. The photoresist on the surface of the substrate is removed by performing a strip process. A selective metal pattern is formed by performing an electroless plating process(S3).

    Abstract translation: 提供了形成基板的金属图案的方法,以通过增加基板的表面的粗糙度,直接在基板的表面上形成图案,而不用金属膜的涂覆处理。 通过在基板的表面上进行光刻工序来形成规定的图案(S1)。 图案由图案形成步骤中的光致抗蚀剂形成。 光致抗蚀剂由负AZ5214材料制成。 通过照射紫外线进行光刻处理。 蚀刻在基板上的部分的表面的粗糙度得到改善(S2)。 通过砂光处理进行粗糙度改善处理。 通过进行剥离处理,去除衬底表面上的光致抗蚀剂。 通过进行化学镀处理来形成选择性金属图案(S3)。

    관통형전극의 형성방법
    10.
    发明公开
    관통형전극의 형성방법 失效
    形成通孔电极的方法

    公开(公告)号:KR1020090035963A

    公开(公告)日:2009-04-13

    申请号:KR1020070101019

    申请日:2007-10-08

    CPC classification number: H01L21/76897 H01L21/3213 H01L21/76838

    Abstract: A formation method of the through hole electrode is provided to reduce the process time by growing the conductor material based on the side wall seed layer of the through hole. The through hole formation step is the step that forms one or more through holes on the substrate by using the RIE(Reactive Ion Etch) etcher etc(S1). The through hole is formed by the dry etching process. A step for forming the side wall seed layer is to form the side wall seed layer in the inner wall surface of the through hole of substrate(S2). The side wall seed layer is formed by the electroless plating process. A step for forming the coated layer is to form the coated layer including the dry film formed in the one side of substrate(S3). The coated layer is formed by the general coating progress. The though electrode is formed by filling up the conductor material including Cu etc from the side wall seed layer of the through hole to the center(S4).

    Abstract translation: 提供通孔电极的形成方法,以通过基于通孔的侧壁种子层生长导体材料来缩短处理时间。 通孔形成步骤是通过使用RIE(反应离子蚀刻)蚀刻器等在基板上形成一个或多个通孔的步骤(S1)。 通孔是通过干式蚀刻工艺形成的。 用于形成侧壁种子层的步骤是在基板的通孔的内壁表面中形成侧壁种子层(S2)。 侧壁种子层通过无电镀方法形成。 形成涂层的步骤是形成包含在基材一侧形成的干膜的涂层(S3)。 涂层通过一般的涂层进行形成。 贯通电极通过从贯通孔的侧壁种子层向中央填充包括Cu等的导体材料而形成(S4)。

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