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公开(公告)号：KR1020110129092A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：KR1020100048526
申请日：2010-05-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a passive component embedded substrate is provided to manufacture an electronic product of an excellent structure with high reliability, thereby extending a lifespan of the electronic product and making a slimmer finished product. CONSTITUTION: A penetration hole(20) for embedding a passive component is arranged in a substrate. A via hole(10) for wiring is arranged in the substrate. The via hole for wiring is plated. A support stand is attached in one surface of the substrate. The passive component is embedded through the penetration hole. The wiring is arranged by plating the penetration hole for embedding the passive component.
Abstract translation: 目的：提供一种无源部件嵌入式基板的制造方法，以制造具有高可靠性的优异结构的电子产品，从而延长电子产品的寿命并制成更细的成品。 构成：用于嵌入无源部件的贯通孔（20）布置在基板中。 用于布线的通孔（10）设置在基板中。 接线用通孔进行电镀。 在基板的一个表面上附着支撑台。 被动部件通过穿透孔嵌入。 布线通过电镀用于嵌入被动元件的穿透孔而布置。
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公开(公告)号：KR1020110106184A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020100025448
申请日：2010-03-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K9/00
Abstract: 본 발명은 동박 적층 필름 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트를 사용하여 도트 형태의 패턴을 형성하는 단계; 상기 동박 적층 필름 상에 형성된 도트 형태의 패턴에 연자성체를 도금하는 단계; 상기 연자성체를 도금한 후 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 단계를 거쳐 도트 형태로 연자성체가 도금된 동박 적층 필름의 구리층을 에칭액을 사용하여 에칭하는 단계를 포함하는 동박 적층 필름을 이용한 전자파 흡수시트의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전자파 흡수시트를 제조함에 있어 롤투롤 방식을 이용한 연속 제조 공정이 가능하며, 전자파 흡수시트를 플렉서블하고 현재 상용화된 제품에 비해 두께를 현저히 얇게 제조할 수 있는 동박 적층 필름을 이용한 전자파 흡수시트의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020090049436A
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070115693
申请日：2007-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/11 , H01L2224/12
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징에 이용되는 마이크로 솔더볼 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 제조가 매우 용이할 뿐만 아니라 균일한 사이즈의 솔더볼을 제조할 수 있는 솔더볼 제조방법에 관한 것이다.
이에, 본 발명의 솔더볼 제조방법은, 솔더 및 상기 솔더와의 젖음성이 낮은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 마스크층을 형성하는 마스크층 형성단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 홈을 형성하는 단계; 상기 마스크층의 홈에 솔더를 도금하는 솔더 도금단계; 상기 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계; 상기 솔더를 가열함으로써 솔더볼을 형성하는 단계; 및 상기 솔더볼을 기판에서 분리시키는 솔더볼 분리단계를 포함하여 이루어진다.
반도체패키징, 솔더볼, 젖음성, Sn-AgAbstract translation: 本发明涉及一种用于半导体封装的微型焊料球的制造方法，更具体地说，涉及一种能够制造均匀尺寸的焊球并且非常易于制造的焊料球制造方法。
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公开(公告)号：KR101073485B1
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020090022927
申请日：2009-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/131 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은인쇄회로기판또는실리콘웨이퍼등과같은기판에형성되는무연솔더범프의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로기판에형성된구리포스트의전면을캡핑할수 있도록솔더를형성함으로써기계적신뢰성을향상시킬수 있는무연솔더범프의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 目的：提高机械可靠性的自由铅焊料凸块的制造方法是在基板上形成形成铜柱的前侧的焊料为封盖。 关于剪切应力的阻力增加。 构成：在基板（1）上形成铜线（2）。 光致抗蚀剂层（3）形成在铜线上。 根据光致抗蚀剂层的图案，铜柱（5）形成在铜线上。 形成光致抗蚀剂层（4）以具有与铜柱的底部的直径相同直径的图案。 焊料（10）被形成为使得铜柱的上部的正面被盖住。
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公开(公告)号：KR100987106B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020080072338
申请日：2008-07-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 재료의 제한 없이 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 중간층 형성을 통한 선택적 도금을 이용한 멀티레이어 기판 제조방법은, 기재의 표면에 금속층을 형성하는 1단계; 상기 금속층의 표면에 제1보호피막 패턴을 형성하는 2단계; 상기 금속층을 상기 제1보호피막 패턴에 의해 선택적으로 양극산화시킨 뒤에 상기 제1보호피막을 제거하는 3단계; 상기 3단계에서 제1보호피막을 제거한 표면에 중간층을 형성하는 4단계; 상기 중간층의 표면에 제2보호피막 패턴을 형성하는 5단계; 상기 중간층을 상기 제2보호피막 패턴에 의해 선택적으로 에칭하는 6단계; 및 상기 제2보호피막을 제거하고 에칭 뒤에 남은 중간층에 도금을 실시하는 7단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 도금이 쉬운 중간층을 형성하여 선택적 도금방법으로 도금층을 형성함으로써, 간단한 공정으로 멀티레이어 기판을 제조할 수 있으며, 도금이 어려운 재료를 이용하여 멀티레이어 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
멀티레이어 기판, 양극산화, 알루미늄, 중간층-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100939273B1
公开(公告)日：2010-01-29
申请号：KR1020080029778
申请日：2008-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징 또는 디스플레이 분야 등에 이용되는 멀티레이어에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 간단한 공정 내지 적은 비용으로 멀티레이어를 제조할 수 있는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 멀티레이어 제조방법은, 기판의 표면에 제1금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 가지는 제1회로를 형성하는 제2단계; 상기 제1금속층 및 제1부분산화영역을 전면적으로 양극산화시킴으로써 층간절연층을 형성하는 제3단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 하나 이상의 관통홀을 형성하는 제4단계; 상기 층간절연층의 표면 및 관통홀 내에 제2금속층을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2금속층의 표면을 부분적으로 양극산화시킴으로서 제2부분산화영역 및 제2금속배선을 가지는 제2회로를 형성하는 제6단계를 포함한다.
양극산화, 멀티레이어, 관통홀, 층간절연층-
公开(公告)号：KR1020090103535A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080029203
申请日：2008-03-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05K9/0086 , H01J11/44 , H01J2211/446 , H05K9/0096
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electrode for selective plating, a method for manufacturing an EMI shielding filter using the same, and an EMI shielding filter structure are provided to improve transparency and EMI shielding filtering effect by minimizing contamination, damage, or deterioration in a process. CONSTITUTION: A base substrate(100) with a mesh recess is formed in an upper part. The base substrate has an insulated transparent material. A first conductive layer is formed by depositing a first conductive material in the upper part of the base substrate. A dry etching process is performed while rotating the inclined base substrate. The first conductive layer of the remaining part except the bottom or the side of the recess is removed. An electroplating process is performed to fill a second conductive material in the recess using the first conductive layer remaining in the bottom of the recess as a seed layer.
Abstract translation: 目的：制造用于选择性电镀的电极的方法，使用其的EMI屏蔽滤波器的制造方法和EMI屏蔽滤波器结构，以通过最小化污染，损坏或劣化来提高透明度和EMI屏蔽滤波效果 处理。 构成：在上部形成具有网孔的基底基板（100）。 基底具有绝缘的透明材料。 第一导电层通过在基底衬底的上部中沉积第一导电材料而形成。 在旋转倾斜的基底基板的同时进行干蚀刻处理。 除了凹部的底部或侧面之外的剩余部分的第一导电层被去除。 执行电镀工艺以使用残留在凹槽的底部中的第一导电层作为种子层填充凹部中的第二导电材料。
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公开(公告)号：KR1020090039474A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020070105146
申请日：2007-10-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4076 , H05K3/467 , H05K2201/0317 , H05K2203/0353
Abstract: A method for manufacturing a build-up printed circuit board is provided to prevent harmful by-product by selectively forming a metal layer on a base substrate by removing a mask film. A base substrate is composed of an epoxy layer(10) and a copper layer(20). The copper layer is formed on the epoxy layer. An insulating layer(30) is formed on the copper layer. The mask film is formed on the insulating layer of the base substrate. A part of the base substrate is exposed. A seed metal film(50) is formed on the exposed base substrate and the mask film. The mask film is removed from the base substrate. The seed metal film is removed from the mask film. A metal layer(55) is formed on the seed metal film in the base substrate. A conductive pattern composed of the seed metal film and the metal layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造积层印刷电路板的方法，以通过去除掩模膜在基底基板上选择性地形成金属层来防止有害的副产物。 基底由环氧树脂层（10）和铜层（20）组成。 铜层形成在环氧树脂层上。 在铜层上形成绝缘层（30）。 掩模膜形成在基底基板的绝缘层上。 露出基底衬底的一部分。 在暴露的基底基板和掩模膜上形成种子金属膜（50）。 掩模膜从基底基材上除去。 将种子金属膜从掩模膜上除去。 在基底基板上的种子金属膜上形成金属层（55）。 由种子金属膜和金属层构成的导电图案。
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公开(公告)号：KR1020090030786A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070096331
申请日：2007-09-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium is provided to improve the thermal stability of recording layer by depositing a soft-magnetic layer on the substrate surface with applying a magnetic field in the horizontal direction. A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium comprises a soft-magnetic layer(2), a non-magnetic intermediate layer, and a recording layer which are deposited in sequence on the surface of a substrate(1). The soft-magnetic layer is deposited by sputtering at the state that a magnetic field parallel to the horizontal plane of the substrate is applied from the opposite side of the deposition plane.
Abstract translation: 提供一种用于制造垂直磁记录介质的方法，通过在水平方向上施加磁场而在基板表面上沉积软磁层来提高记录层的热稳定性。 一种用于制造垂直磁记录介质的方法包括依次沉积在基板（1）的表面上的软磁层（2），非磁性中间层和记录层。 在从沉积平面的相对侧施加平行于衬底的水平面的磁场的状态下，通过溅射沉积软磁性层。
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公开(公告)号：KR101016729B1
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 열안정성이 우수하며 높은 저항값을 가지는 세라믹-금속 나노복합체를 이용한 박막 내장형 저항체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 내장형 저항체는 세라믹-금속 나노복합체를 이용하여 제조됨으로써 산화 구조로 인해 산화의 영향을 적게 받아 우수한 열안정성을 나타낼 뿐만 높은 저항값을 나타내어 회로의 집적도를 높인 저항 내장형 인쇄회로기판 등에 사용될 수 있다.
박막 내장형 저항체, 산화실리콘, 백금, 열안정성, 고저항
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