公开(公告)号：KR1020090035963A

公开(公告)日：2009-04-13

申请号：KR1020070101019

申请日：2007-10-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  김장현 ,  정근희 ,  장주희 ,  이용호 ,  김태성 ,  강치구

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76838

Abstract: A formation method of the through hole electrode is provided to reduce the process time by growing the conductor material based on the side wall seed layer of the through hole. The through hole formation step is the step that forms one or more through holes on the substrate by using the RIE(Reactive Ion Etch) etcher etc(S1). The through hole is formed by the dry etching process. A step for forming the side wall seed layer is to form the side wall seed layer in the inner wall surface of the through hole of substrate(S2). The side wall seed layer is formed by the electroless plating process. A step for forming the coated layer is to form the coated layer including the dry film formed in the one side of substrate(S3). The coated layer is formed by the general coating progress. The though electrode is formed by filling up the conductor material including Cu etc from the side wall seed layer of the through hole to the center(S4).

Abstract translation: 提供通孔电极的形成方法，以通过基于通孔的侧壁种子层生长导体材料来缩短处理时间。 通孔形成步骤是通过使用RIE（反应离子蚀刻）蚀刻器等在基板上形成一个或多个通孔的步骤（S1）。 通孔是通过干式蚀刻工艺形成的。 用于形成侧壁种子层的步骤是在基板的通孔的内壁表面中形成侧壁种子层（S2）。 侧壁种子层通过无电镀方法形成。 形成涂层的步骤是形成包含在基材一侧形成的干膜的涂层（S3）。 涂层通过一般的涂层进行形成。 贯通电极通过从贯通孔的侧壁种子层向中央填充包括Cu等的导体材料而形成（S4）。

公开(公告)号：KR100964030B1

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020080036345

申请日：2008-04-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이호영 ,  서수정 ,  염광섭 ,  강치구 ,  정근희 ,  이용호

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 관통형 전극 형성방법은, 기판에 일정패턴을 가지는 적어도 하나의 관통홀(through-hole)을 형성하는 단계와; 상기 기판의 일측 표면에 징케이트(zincate) 처리된 알루미늄 호일(foil)을 부착하여 시드(seed)층을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 이용하여 상기 적어도 하나의 관통홀을 도전물질로 충진하여 관통형 전극을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 제거하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 진공증착공정을 없애고 에칭공정만으로 공정을 수행할 수 있으며, 이를 통해 공정의 단순화 및 제조공정의 시간을 줄일 수 있어 전체 공정비용(제조비용)을 절감할 수 있다. 또한, 기존 스퍼터 방식의 시드를 사용할 경우 문제가 되었던 도금공정 초기에서의 기공(void) 생성을 억제하여 관통홀 전극의 충진율을 높혀 전기적 특성을 향상시키는 효과를 부수적으로 얻을 수 있다.
알루미늄, 징케이트, 관통형 전극, 에칭, 인터포저

公开(公告)号：KR100916771B1

公开(公告)日：2009-09-14

申请号：KR1020070101019

申请日：2007-10-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  김장현 ,  정근희 ,  장주희 ,  이용호 ,  김태성 ,  강치구

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 등에 관통형 전극을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그 도금공정이 매우 짧은 시간 내에 진행될 수 있을 뿐만 아니라 기공율이 최소화된 관통형전극의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 관통형전극 형성방법은, 기판에 관통공을 형성시키는 관통공 형성단계; 상기 관통공의 내벽면에 원주방향으로 도전체재질의 측벽시드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 일면에 상기 관통공의 일단을 폐쇄하는 마감층을 형성하는 마감층 형성단계; 및 상기 측벽시드층으로부터 내경방향으로 도전체를 도금하여 성장시킴으로써 관통형 전극을 형성하는 관통형전극 형성단계를 포함한다.
기판, 배선, 접속, 관통형전극, 기공율, 시드층

公开(公告)号：KR1020090110712A

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：KR1020080036345

申请日：2008-04-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이호영 ,  서수정 ,  염광섭 ,  강치구 ,  정근희 ,  이용호

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76873

Abstract: PURPOSE: A method for forming a through hole electrode using an aluminum foil is provided to improve an electrical property by enhancing a filling rate. CONSTITUTION: In a method for forming a through hole electrode using an aluminum foil, at least one through hole(110) having a fixed pattern is formed on a substrate(100). A seed layer(120) is formed by attaching a zincate-processed aluminum foil on a surface of one side of the substrate. A through hole electrode is formed by filling the through hole with a conductive material through the seed layer. The seed layer is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种使用铝箔形成通孔电极的方法，以通过提高填充率来提高电气性能。 构成：在使用铝箔形成通孔电极的方法中，在基板（100）上形成具有固定图案的至少一个通孔（110）。 通过在基板的一侧的表面上附着锌酸盐处理的铝箔来形成种子层（120）。 通过用种子层用导电材料填充通孔形成通孔电极。 种子层被去除。