公开(公告)号：KR1020110055508A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117000073

申请日：2009-07-03

Applicant: 소이텍

Inventor： 부르델르콘스탄틴 ,  랑드뤼디디에 ,  랑드리카린느

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 본 발명은 특히 전자 공학, 광학, 또는 광전자공학 분야에서의 응용을 위하여 지지 기판(3) 위에 반도체 물질의 박막(1)을 포함하는 구조의 제조를 위한 방법에 관련된 것으로서, 본 발명에 의하면: a) 상기 박막(1)이 분자 접착에 의해 상기 지지 기판(3) 위에 접착 접합되고; b) 상기 a)에 의하여 얻어진 상기 구조가 접착 접합 계면(2)의 안정화를 위하여 열처리되고, b) 단계 이전에 상기 계면(2)에서의 이온 주입에 의하여 원자들이 상기 박막(1)으로부터 상기 지지 기판(3)으로 및/또는 상기 지지 기판(3)으로부터 상기 박막(1)으로 전달되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020100113117A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：KR1020107017903

申请日：2008-03-13

Applicant: 소이텍

Inventor： 알리베르프레데릭 ,  고댕그웰타즈 ,  랄르망파브리스 ,  랑드뤼디디에 ,  랑드리카린느 ,  샤힌모하마드 ,  마쭈레카를로스

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248 ,  H01L27/10844

Abstract: Embodiments of the invention relate to substrates comprising a base wafer, an insulating layer and a top semiconductor layer, wherein the insulating layer comprises at least a zone wherein a density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to processes for making such substrates.

公开(公告)号：KR101196791B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020107017903

申请日：2008-03-13

Applicant: 소이텍

Inventor： 알리베르프레데릭 ,  고댕그웰타즈 ,  랄르망파브리스 ,  랑드뤼디디에 ,  랑드리카린느 ,  샤힌모하마드 ,  마쭈레카를로스

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: Embodiments of the invention relate to substrates comprising a base wafer, an insulating layer and a top semiconductor layer, wherein the insulating layer comprises at least a zone wherein a density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to processes for making such substrates.