公开(公告)号：KR1020120090775A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020120001195

申请日：2012-01-04

Applicant: 소이텍

Inventor： 레콤테모니크 ,  제나드파스칼 ,  리갈소피 ,  소타다비드 ,  자닌파비안느 ,  베티주크리스텔

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032

Abstract: PURPOSE: A method for reproducing a supply substrate is provided to reduce the time, quality, and costs of a reproduction operation by easily removing a remaining material ring on a donor substrate. CONSTITUTION: A weak interface is generated(110). A supply substrate is contacted with a support substrate(120). The supply substrate is thermally processed(130). An electromagnetic wave is selectively irradiated to the supply substrate(210). The supply substrate is chemically and mechanically polished(220).

Abstract translation: 目的：提供用于再现供应基板的方法，通过容易地去除供体基板上的剩余材料环来减少再现操作的时间，质量和成本。 构成：生成弱接口（110）。 供应基板与支撑基板（120）接触。 供应基板被热处理（130）。 电磁波被选择性地照射到供给基板（210）。 供应基板经化学和机械抛光（220）。

公开(公告)号：KR1020110091587A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020117015424

申请日：2009-12-30

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  그리티파브리스 ,  구트에릭 ,  코논추크올레그 ,  베티주크리스텔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

Abstract: 본 발명은, 캐리어 기판(1), 산화물층(2) 및 반도체 재료의 얇은 층(3)을 연속해서 포함하는 반도체 온 절연체 형태의 구조를 처리하기 위한 공정에 관한 것으로서, 상기 구조는 상기 산화물층(2)이 노출되는 주변 링부분(peripheral ring)을 가지며, 상기 공정은 중성 또는 제어된 환원 분위기에서의 주 열처리의 적용을 포함한다. 본 발명은 상기 주 열처리 이전에, 적어도 상기 산화물층(2)의 노출된 주변 부분을 덮는 단계를 포함하고, 이러한 열처리는 상기 산화물층(2)의 산소의 적어도 일부가 상기 얇은 반도체층(3)을 통해 확산하도록 제어된 시간 및 온도 조건들 하에서 실행되어, 상기 산화물층(2)의 두께의 감소를 제어한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种处理载体衬底，氧化物层和半导体材料薄层的绝缘体上半导体结构的结构的方法，其中具有暴露氧化物层的外围环的结构和 该方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。 该方法包括在主要热处理之前至少覆盖氧化物层的暴露的周边部分的步骤，该后处理在受控的时间和温度条件下进行，以便促使氧化物层中的至少一部分氧 通过薄的半导体层扩散，导致氧化物层的厚度受到控制的减小。

公开(公告)号：KR101373084B1

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：KR1020117015424

申请日：2009-12-30

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  그리티파브리스 ,  구트에릭 ,  코논추크올레그 ,  베티주크리스텔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

Abstract: 본 발명은, 캐리어 기판(1), 산화물층(2) 및 반도체 재료의 얇은 층(3)을 연속해서 포함하는 반도체 온 절연체 형태의 구조를 처리하기 위한 공정에 관한 것으로서, 상기 구조는 상기 산화물층(2)이 노출되는 주변 링부분(peripheral ring)을 가지며, 상기 공정은 중성 또는 제어된 환원 분위기에서의 주 열처리의 적용을 포함한다. 본 발명은 상기 주 열처리 이전에, 적어도 상기 산화물층(2)의 노출된 주변 부분을 덮는 단계를 포함하고, 이러한 열처리는 상기 산화물층(2)의 산소의 적어도 일부가 상기 얇은 반도체층(3)을 통해 확산하도록 제어된 시간 및 온도 조건들 하에서 실행되어, 상기 산화물층(2)의 두께의 감소를 제어한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种处理载体衬底，氧化物层和半导体材料薄层的绝缘体上半导体结构的结构的方法，其中具有暴露氧化物层的外围环的结构和 该方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。 该方法包括在主要热处理之前至少覆盖氧化物层的暴露的周边部分的步骤，该后处理在受控的时间和温度条件下进行，以便促使氧化物层中的至少一部分氧 通过薄的半导体层扩散，导致氧化物层的厚度受到控制的减小。

公开(公告)号：KR1020110055743A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117008888

申请日：2009-10-09

Applicant: 소이텍

Inventor： 코논추크올레그 ,  구트에릭 ,  그리티파브리스 ,  랑드뤼디디에 ,  베티주크리스텔

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251

Abstract: 본 발명은 특히, 캐리어 기판(1), 산화물층(3) 및 반도체 재료의 얇은 층(2)을 연속해서 포함하는, 반도체-온-절연체형의 구조를 제조 및 처리하는 방법으로서, 이에 따르면, 1) 상기 층의 표면 위에 노출된 영역들(20)을 규정하도록, 마스크(4)에 의해 덮이지 않은 상기 얇은 층(2) 위에 마스크(4)가 형성되고, 2) 상기 산화물층(3)의 산소의 적어도 일부가 상기 얇은 층(2)을 통해 강제로 확산되게 하여 상기 원하는 패턴에 대응하는 상기 산화물 층(3)의 상기 영역들(30)에서 상기 산화물의 제어된 제거로 이어지도록 열 처리가 가해지는, 반도체-온-절연체형의 구조를 제조 및 처리하는 방법에 있어서, 상기 캐리어 기판(1) 및 얇은 층(2)이 서로에 대해 상대적으로 배열되어 이들의 결정 격자들이, 이들 경계면(I)에 평행한 평면(P)에서, 1°이하의 "비틀림 각(twist angle)"� �로 불리는 각도를 형성하고 이들 경계면(I)에 수직인 평면에서 1°이하의 "경사각(tilt angle)"으로 불리는 각도를 함께 형성하고, 얇은 층(2)은 그 두께가 1100 Å 이하인 것이 사용된다.