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公开(公告)号：KR101516619B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020137012250
申请日：2009-07-02
Applicant: 소이텍
Abstract: 본 발명은 하기 단계를 이어서 수행하는 것을 포함하는, 표적 기판상에 적어도 부분적으로 이완된 변형된 물질을 형성하는 방법에 관한 것이다:
중간 기판상에 변형된 물질층으로부터 아일랜드를 형성하는 단계;
변형된 물질 아일랜드를, 첫번째 열 처리에 의해 적어도 부분적으로 이완시키는 단계; 및
적어도 부분적으로 이완된 변형된 물질 아일랜드를 표적 기판으로 이동시키는 단계.Abstract translation: 本发明涉及一种形成在目标基材上至少部分松弛的改性材料的方法，包括执行以下步骤：
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公开(公告)号：KR1020150032946A
公开(公告)日：2015-03-31
申请号：KR1020147036042
申请日：2013-06-18
Applicant: 소이텍
Inventor： 제나드파스칼
CPC classification number: H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/075 , H01L31/1892 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , Y02E10/548
Abstract: 본 발명은 n-형 층(132), 활성층(133) 및 p-형층(134)을 각각 포함하는 기본 구조들(150)의 형성을 포함하는 발광 다이오드(LED) 디바이스들의 일괄 제조 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 - 각각의 기본 LED 구조(150)의 부분의 횡방향 치수의 감소; - 기본 구조들(150)의 측면들 상의 절연 재료(139)의 일부의 형성; - n-형 전기 접촉 패드들(145) 및 p-형 전기 접촉 패드들(138)의 형성; - 기본 구조들(150) 상에의 도전 재료층(141)의 침착 및 도전 재료층(141)의 폴리싱; 및 - 상기 구조(70)의 폴리싱된 표면(70a) 상에의 제 2 기판(50)의 분자 접착에 의한 접합을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150023452A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020147036038
申请日：2013-06-14
Applicant: 소이텍
Inventor： 제나드파스칼
IPC: H01L21/20 , H01L21/18 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L31/02 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/0543 , H01L31/055 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1844 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2924/3512 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , H01L21/2007 , H01L21/187 , H01L33/385
Abstract: 본 발명은 적어도 하나의 p-형층(20), 활성 영역(18) 및 n-형층(12)을 각각 포함하는 기본 LED 또는 광기전 구조들의 제 1 기판(10) 상에의 형성, 기본 구조들에의 제 1 평탄 금속층(42)의 형성, 제 2 평탄 금속층(46)을 포함하는 전사 기판(50)의 제공, 실온에서 분자 접착에 의한 제 1 및 제 2 금속층들(42, 46)의 접합에 의한 전사 기판(50)과 기본 구조들의 조립, 및 제 1 기판(10)의 제거를 포함하는 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 该方法包括以小岛形式在基底（100）的表面上形成LED（150）的基本结构。 通过沟槽（160），n型层（132），有源层（133），p型层（134）和结构在衬底上彼此间隔开。 p型层，有源层和n型层的一部分（1320）的侧面尺寸减小。 绝缘材料部分（1390）形成在p型层，有源层和n型层的一部分的侧面上。 接触螺柱暴露在n型层的另一部分（1321）上。 LED结构还包括独立权利要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120090775A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020120001195
申请日：2012-01-04
Applicant: 소이텍
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02032
Abstract: PURPOSE: A method for reproducing a supply substrate is provided to reduce the time, quality, and costs of a reproduction operation by easily removing a remaining material ring on a donor substrate. CONSTITUTION: A weak interface is generated(110). A supply substrate is contacted with a support substrate(120). The supply substrate is thermally processed(130). An electromagnetic wave is selectively irradiated to the supply substrate(210). The supply substrate is chemically and mechanically polished(220).
Abstract translation: 目的：提供用于再现供应基板的方法，通过容易地去除供体基板上的剩余材料环来减少再现操作的时间，质量和成本。 构成：生成弱接口（110）。 供应基板与支撑基板（120）接触。 供应基板被热处理（130）。 电磁波被选择性地照射到供给基板（210）。 供应基板经化学和机械抛光（220）。
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公开(公告)号：KR1020130070652A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020137012250
申请日：2009-07-02
Applicant: 소이텍
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L2221/68359 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 하기 단계를 이어서 수행하는 것을 포함하는, 표적 기판상에 적어도 부분적으로 이완된 변형된 물질을 형성하는 방법에 관한 것이다:
중간 기판상에 변형된 물질층으로부터 아일랜드를 형성하는 단계;
변형된 물질 아일랜드를, 첫번째 열 처리에 의해 적어도 부분적으로 이완시키는 단계; 및
적어도 부분적으로 이완된 변형된 물질 아일랜드를 표적 기판으로 이동시키는 단계.Abstract translation: 本发明涉及一种用于在目标基底上形成至少部分松弛的应变材料的方法，包括随后执行的步骤：从中间基底上的应变材料层形成岛，至少部分地通过第一 热处理并将至少部分松弛的应变材料岛转移到目标衬底。
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公开(公告)号：KR1020110031988A
公开(公告)日：2011-03-29
申请号：KR1020117003843
申请日：2009-07-02
Applicant: 소이텍
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L2221/68359 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 하기 단계를 이어서 수행하는 것을 포함하는, 표적 기판상에 적어도 부분적으로 이완된 변형된 물질을 형성하는 방법에 관한 것이다:
중간 기판상에 변형된 물질층으로부터 아일랜드를 형성하는 단계;
변형된 물질 아일랜드를, 첫번째 열 처리에 의해 적어도 부분적으로 이완시키는 단계; 및
적어도 부분적으로 이완된 변형된 물질 아일랜드를 표적 기판으로 이동시키는 단계.Abstract translation: 本发明涉及一种用于在目标基底上形成至少部分松弛的应变材料的方法，包括随后执行的步骤：从中间基底上的应变材料层形成岛，至少部分地通过第一 热处理并将至少部分松弛的应变材料岛转移到目标衬底。
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