Patent search ap:("스미토모덴키고교가부시키가이샤") AND inv:"미야께마사야" Page 1

1.

发明授权
질화알루미늄 소결체 및 그 제조법 失效
Title translation: 氮化铝烧结体及其制造方法

公开(公告)号：KR100073260B1

公开(公告)日：1994-05-03

申请号：KR1019910004873

申请日：1991-03-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마가와아끼라 , 시모다고우헤이 , 미야께마사야 , 소게베고이찌

IPC: C04B35/58

2.

发明授权
질화알루미늄소결체와 그것을 사용한 회로기판 및 반도체패키지 失效
Title translation: 氮化铝烧结体，电路板及使用其的半导体封装

公开(公告)号：KR100053501B1

公开(公告)日：1992-08-03

申请号：KR1019890006465

申请日：1989-05-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마가와아끼라 , 미야께마사야 , 사까노우에히또유끼 , 소가베고오이찌

IPC: C04B35/58

3.

发明授权
반도체 소자 이송 또는 보유 반도체 장치용 부재 失效
Title translation: 半导体器件转移或保留半导体器件的成员

公开(公告)号：KR1019910007096B1

公开(公告)日：1991-09-18

申请号：KR1019880008138

申请日：1988-06-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사메아끼라 , 사까노우에히또유끼 , 미야께마사야 , 야마까와아끼라

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014

Abstract: 내용 없음.

4.

发明公开
질화알루미늄소결체와 그것을 사용한 회로기판 및 반도체패키지 失效

公开(公告)号：KR1019890017201A

公开(公告)日：1989-12-15

申请号：KR1019890006465

申请日：1989-05-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마가와아끼라 , 미야께마사야 , 사까노우에히또유끼 , 소가베고오이찌

IPC: C04B35/58

Abstract: 내용 없음

5.

发明授权
반도체 장치용 부품간의 접속 구조물 失效
Title translation: 半导体元器件

公开(公告)号：KR1019910007016B1

公开(公告)日：1991-09-14

申请号：KR1019880008211

申请日：1988-07-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사메아끼라 , 사까노우에히또유끼 , 다께우찌히사오 , 미야께마사야 , 야마까와아끼라 , 유시오야스히사 , 아까자와히또시

IPC: H01L21/60 , H01L23/04

CPC classification number: H05K3/3405 , H01L21/4853 , H01L23/10 , H01L23/49582 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H05K1/0306 , H05K3/246 , H05K3/3421 , H05K2201/0347 , H05K2201/1025 , H05K2201/1034 , H05K2201/10909 , H05K2201/10916 , Y10T428/12576 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

Abstract: 내용 없음.

6.

发明公开
반도체 소자 이송 또는 보유 반도체 장치용 부재 失效

公开(公告)号：KR1019890001159A

公开(公告)日：1989-03-18

申请号：KR1019880008138

申请日：1988-06-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사메아끼라 , 사까노우에히또유끼 , 미야께마사야 , 야마까와아끼라

IPC: H01L21/00

7.

发明授权
몰리브덴과 텅스텐을 함유하는 초경합금 失效

公开(公告)号：KR100015122B1

公开(公告)日：1983-09-01

申请号：KR1019790000145

申请日：1979-01-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야께마사야 , 나까노미노루 , 야마모또다까하루 , 하라아끼오

IPC: B22F3/00

8.

发明授权
질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 失效

公开(公告)号：KR100091995B1

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：KR1019920701554

申请日：1991-10-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마카와아끼라 , 소가베코이찌 , 시모다코헤이 , 미야께마사야

IPC: C04B35/58

9.

发明授权
고열전도성 질화 알루미늄 소결체 및 그 제조법 失效
Title translation: 具有高热导率的烧结的氮化铝体及其生产

公开(公告)号：KR1019920004211B1

公开(公告)日：1992-05-30

申请号：KR1019890001363

申请日：1989-02-04

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마가와아끼라 , 미야께마사야 , 사까노우에히도유끼 , 다께우찌히사오 , 소가베고오이찌 , 사사메아끼라

IPC: C04B35/58

CPC classification number: H01L23/15 , C04B35/581 , C04B35/64 , C04B37/026 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/366 , C04B2237/403 , C04B2237/407 , C04B2237/55 , C04B2237/72 , H01L21/4807 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/16152 , H05K1/0306 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

Abstract: 내용 없음.

10.

发明授权
반도체 소자 이송 또는 보유 반도체 장치용 부재 失效

公开(公告)号：KR100049204B1

公开(公告)日：1992-02-20

申请号：KR1019880008138

申请日：1988-06-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사메아끼라 , 사까노우에히또유끼 , 미야께마사야 , 야마까와아끼라

IPC: H01L21/00

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