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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020120099136A
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：KR1020127019498
申请日：2010-11-11
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 스미토모다카미치 , 사가노부히로 , 아다치마사히로 , 스미요시가즈히데 , 도쿠야마신지 , 다카기심페이 , 이케가미다카토시 , 우에노마사키 , 가타야마고지
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 본 발명은 육방정계 III족 질화물의 c 축이 m 축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에 있어서, 저임계치 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖고 발진 수율을 향상시킬 수 있는 구조를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이, mn 면에 교차한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)에서는, 레이저 도파로 mn 면과 반극성면(17a)과의 교차선의 방향으로 연장되기 때문에, 저임계치 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)로부터 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c 면, m 면 또는 a 면 등의 지금까지의 벽개면과는 다르다. 도파로 벡터(LGV)와 투영 성분(VCP)이 이루는 어긋남 각(AV)은, -0.5도 이상 +0.5도 이하의 범위에 있을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120075474A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020127010671
申请日：2010-09-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 도쿠야마신지 , 스미토모다카미치 , 우에노마사키 , 이케가미다카토시 , 가타야마코지 , 나카무라다카오
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 소자 수명이 긴 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자가 제공된다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)과의 교차선 방향으로 뻗어나가는 레이저 도파로를 갖는다. 레이저 도파로의 양끝에는, 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단부면(26, 28)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 단부면(26, 28)은 mn면(또는 an면)에 교차한다. c+축 벡터는 도파로 벡터(WV)와 예각을 이룬다. 이 도파로 벡터(WV)는 제2 단부면(28)에서 제1 단부면(26)으로의 방향에 대응한다. 제2 단부면(28) 상의 제2 유전체 다층막(C-측)(43b)의 두께가 제1 단부면(26) 상의 제1 유전체 다층막(C+측)(43a)의 두께보다 얇다.
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公开(公告)号：KR1020110006638A
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：KR1020100067900
申请日：2010-07-14
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202
Abstract: PURPOSE: A III-family nitride semiconductor laser diode is provided to easily stabilize an oscillation mode in an optical guide layer by forming thick optical guide layer and active layer. CONSTITUTION: A III-family nitride substrate(13) includes a semi-polar major face(13a). An n-type clad layer(15) is composed of a III-family nitride containing aluminum. A p-type clad layer(19) is composed of an active layer(17) and the III-family nitride containing aluminum. A first optical guide layer(21) is installed between the n-type clad layer and the active layer. A second optical guide layer is installed between the p-type clad layer and the active layer.
Abstract translation: 目的：提供III族氮化物半导体激光二极管，通过形成厚的导光层和有源层，容易地使光导层中的振荡模式稳定。 构成：III族氮化物衬底（13）包括半极性主面（13a）。 n型覆盖层（15）由含有铝的III族氮化物组成。 p型覆盖层（19）由有源层（17）和含有铝的III族氮化物组成。 第一光导层（21）安装在n型覆层和有源层之间。 第二光导层安装在p型覆盖层和有源层之间。
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公开(公告)号：KR101238464B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020107017039
申请日：2009-07-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 아키타가츠시 , 우에노마사키 , 스미토모다카미치 , 도쿠야마신지 , 가타야마고지 , 나카무라다카오 , 이케가미다카토시
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.
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公开(公告)号：KR1020120075473A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020127010670
申请日：2010-09-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 도쿠야마신지 , 스미토모다카미치 , 우에노마사키 , 이케가미다카토시 , 가타야마코지 , 나카무라다카오
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: COD에 대한 큰 내성을 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)과의 교차선 방향으로 뻗어나가는 레이저 도파로를 갖는다. 레이저 도파로의 양끝에는, 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단부면(26, 28)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 단부면(26, 28)은 mn면(또는 an면)에 교차한다. c+축 벡터는 도파로 벡터(WV)와 예각을 이룬다. 이 도파로 벡터(WV)는 제2 단부면(28)에서 제1 단부면(26)으로의 방향에 대응한다. 제1 단부면(C+측)(26) 상의 제1 유전체 다층막(43a)의 두께가 제2 단부면(C-측)(28) 상의 제2 유전체 다층막(43b)의 두께보다 얇다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120023687A
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020117027870
申请日：2010-10-25
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Abstract: 본 발명은 전극과의 접촉 저항이 저감된 화합물 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 화합물 반도체 소자는, 표면(S1)과 표면(S2)을 갖고 있고 육방정계 화합물 반도체의 GaN으로 이루어진 n 기판(3)과, n 기판(3)의 표면(S1)에 설치된 n 전극(13)과, n 기판(3)의 표면(S2)에 설치된 n 클래드층(5), 활성층(7), p 클래드층(9) 및 컨택트층(11)을 갖는 적층체와, p 클래드층(9) 상에 설치된 p 전극(15)을 구비한다. n 기판(3)의 표면(S1)에 포함되는 N 원자의 수는 표면(S1)에 포함되는 Ga 원자의 수보다 크고, 표면(S1)에 설치되는 전극은 n 전극(13)이며, 표면(S1)의 산소 농도는 5 원자 퍼센트 이하이다. 컨택트층(11)의 표면(S3)에 포함되는 Ga 원자의 수는 표면(S3)에 포함되는 N 원자의 수보다 크고, 표면(S3)에 설치되는 전극은 p 전극(15)이며, 표면(S3)의 산소 농도는 5 원자 퍼센트 이하이다.
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公开(公告)号：KR1020110027643A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020107021641
申请日：2010-02-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3202
Abstract: Ⅲ족 질화물 반도체 광소자(11a)는, c축 방향으로 연장되는 기준축(Cx)에 직교하는 기준 평면(Sc)에 대하여 유한한 각도를 이루는 주요면(13a)을 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 기판(13)과, Ⅲ족 질화물 반도체 기판(13)의 주요면(13a) 상에 마련되고, Ⅲ족 질화물 반도체로 이루어지는 우물층(28), 및 Ⅲ족 질화물 반도체로 이루어지는 복수의 배리어층(29)을 포함하는 양자 우물 구조의 활성층(17)을 구비하며, 주요면(13a)은 반극성을 나타내고, 활성층(17)은, 1×10
17 ㎝
-3 이상 8×10
17 ㎝
-3 이하의 산소 농도를 갖고 있으며, 복수의 배리어층(29)은, 우물층(28)의 Ⅲ족 질화물 반도체 기판측의 하부 계면(28Sd)과 접하는 상부 계면 근방 영역(29u)에 있어서, 산소 이외의 n형 불순물을 1×10
17 ㎝
-3
이상 1×10
19 ㎝
-3 이하의 농도로 포함한다.-
公开(公告)号：KR101265018B1
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020117027870
申请日：2010-10-25
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Abstract: 본발명은전극과의접촉저항이저감된화합물반도체소자를제공하는것을목적으로한다. 화합물반도체소자는, 표면(S1)과표면(S2)을갖고있고육방정계화합물반도체의 GaN으로이루어진 n 기판(3)과, n 기판(3)의표면(S1)에설치된 n 전극(13)과, n 기판(3)의표면(S2)에설치된 n 클래드층(5), 활성층(7), p 클래드층(9) 및컨택트층(11)을갖는적층체와, p 클래드층(9) 상에설치된 p 전극(15)을구비한다. n 기판(3)의표면(S1)에포함되는 N 원자의수는표면(S1)에포함되는 Ga 원자의수보다크고, 표면(S1)에설치되는전극은 n 전극(13)이며, 표면(S1)의산소농도는 5 원자퍼센트이하이다. 컨택트층(11)의표면(S3)에포함되는 Ga 원자의수는표면(S3)에포함되는 N 원자의수보다크고, 표면(S3)에설치되는전극은 p 전극(15)이며, 표면(S3)의산소농도는 5 원자퍼센트이하이다.
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公开(公告)号：KR101220555B1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：KR1020117015354
申请日：2010-12-28
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 다카기심페이 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 우에노마사키 , 스미토모다카미치 , 도쿠야마신지 , 가타야마고지 , 나카무라다카오 , 이케가미다카토시
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 육방정계 III족 질화물의 c축이 m축 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 높은 발진 수율의 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이 mn면과 교차한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)과의 교차선 방향으로 연장되어 있는 레이저 도파로를 갖는다. 이것 때문에, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)로부터 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장되어 있다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 지금까지의 벽개면과는 상이하다.
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公开(公告)号：KR101157758B1
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020107021641
申请日：2010-02-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3202
Abstract: A group III nitride semiconductor optical device 11a has a group III nitride semiconductor substrate 13 having a main surface 13a forming a finite angle with a reference plane Sc orthogonal to a reference axis Cx extending in a c-axis direction of the group III nitride semiconductor and an active layer 17 of a quantum-well structure, disposed on the main surface 13a of the group III nitride semiconductor substrate 13, including a well layer 28 made of a group III nitride semiconductor and a plurality of barrier layers 29 made of a group III nitride semiconductor. The main surface 13a exhibits semipolarity. The active layer 17 has an oxygen content of at least 1 × 10 17 cm -3 but not exceeding 8 × 10 17 cm -3 . The plurality of barrier layers 29 contain an n-type impurity other than oxygen by at least 1 × 10 17 cm -3 but not exceeding 1 × 10 19 cm -3 in an upper near-interface area 29u in contact with a lower interface 28Sd of the well layer 28 on the group III nitride semiconductor substrate side.
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