公开(公告)号：KR101269315B1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：KR1020117020627

申请日：2009-12-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지이게이 ,  우에노마사키 ,  아키타가츠시 ,  교노다카시 ,  요시즈미유스케 ,  스미토모다카미치 ,  엔야요헤이

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 반극성면을이용하여낮은임계치를제공할수 있는Ⅲ족질화물반도체레이저를제공한다. 반도체기판(13)의주면(13a)은, GaN의 a축방향으로 GaN의 c축방향의기준축(Cx)에직교하는기준면에대하여 50도이상 70도이하범위의경사각 A으로경사진다. 제1 클래드층(15), 활성층(17) 및제2 클래드층(19)이반도체기판(13)의주면(13a) 상에형성되어있다. 활성층(17)의우물층(23a)은 InGaN으로이루어진다. 이반도체레이저가레이저발진에도달하기전에활성층으로부터출사되는 LED 모드에있어서의편광도(P)가 -1 이상 0.1 이하이다. Ⅲ족질화물반도체레이저의편광도(P)는 LED 모드에있어서의광의그 X1 방향의전계성분 I1과그 X2 방향의전계성분 I2를이용하여, P=(I1-I2)/(I1+ I2)에의해서규정된다.

公开(公告)号：KR101238464B1

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：KR1020107017039

申请日：2009-07-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아다치마사히로 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치 ,  도쿠야마신지 ,  가타야마고지 ,  나카무라다카오 ,  이케가미다카토시

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.

公开(公告)号：KR1020120075473A

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：KR1020127010670

申请日：2010-09-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아다치마사히로 ,  도쿠야마신지 ,  스미토모다카미치 ,  우에노마사키 ,  이케가미다카토시 ,  가타야마코지 ,  나카무라다카오

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14

Abstract: COD에 대한 큰 내성을 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)과의 교차선 방향으로 뻗어나가는 레이저 도파로를 갖는다. 레이저 도파로의 양끝에는, 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단부면(26, 28)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 단부면(26, 28)은 mn면(또는 an면)에 교차한다. c+축 벡터는 도파로 벡터(WV)와 예각을 이룬다. 이 도파로 벡터(WV)는 제2 단부면(28)에서 제1 단부면(26)으로의 방향에 대응한다. 제1 단부면(C+측)(26) 상의 제1 유전체 다층막(43a)의 두께가 제2 단부면(C-측)(28) 상의 제2 유전체 다층막(43b)의 두께보다 얇다.

公开(公告)号：KR101151953B1

公开(公告)日：2012-06-04

申请号：KR1020097027194

申请日：2009-04-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 교노다카시 ,  요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치 ,  나카무라다카오

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 양호한표면모폴로지를갖는질화갈륨계반도체막을포함하는 III족질화물반도체소자를제공한다. III족질화물반도체광소자(11a)는, III족질화물반도체지지체(13), GaN계반도체영역(15), 활성층(17) 및 GaN계반도체영역(19)을구비한다. III족질화물반도체지지체(13)의주요면(13a)은기준축(Cx)에직교하는기준평면(Sc)에대하여경사지며비극성을나타내고, 기준축(Cx)은 III족질화물반도체의 c축방향으로연장된다. GaN계반도체영역(15)은반극성주요면(13a) 위에형성된다. GaN계반도체영역(15)의 GaN계반도체층(21)은예컨대 n형 GaN계반도체로이루어지고, n형 GaN계반도체에는실리콘이첨가된다. GaN계반도체층(23)의산소농도가 5×10㎝이상일때, GaN계반도체층(23)의주요면위에서계속해서성장하는활성층(17)의결정품질이양호해진다.

公开(公告)号：KR1020120024678A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020117028529

申请日：2010-03-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 교노다카시 ,  엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 본 발명은 비극성면 상에 형성되는 발광 소자에 있어서 광 가둠성을 향상시킬 수 있고, 전위에 의한 광학 손실을 저감시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 코어 반도체 영역(15), 제1 클래드 영역(17) 및 제2 클래드 영역(19)은, GaN의 지지 기체(13)의 비극성의 주면(13a) 상에 탑재된다. 코어 반도체 영역(15)은 활성층(21) 및 캐리어 블록층(23)을 포함한다. 제1 클래드 영역(17)은 n형 AlGaN 클래드층(25) 및 n형 InAlGaN 클래드층(26)을 포함한다. n형 InAlGaN 클래드층(26)은 n형 AlGaN 클래드층(25)과 활성층(21) 사이에 설치된다. 계면(27b)에서의 미스피트 전위 밀도는 계면(27a)에서의 미스피트 전위 밀도보다 크다. AlGaN 클래드층(25)은 GaN 지지 기체(13)에 대하여 격자 완화하고, InAlGaN 클래드층(26)은 AlGaN 클래드층(25)에 대하여 격자 완화하고 있다.

公开(公告)号：KR1020110056429A

公开(公告)日：2011-05-27

申请号：KR1020117009687

申请日：2009-10-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  교노다카시 ,  우에노마사키 ,  나카무라다카오

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본 발명은 우수한 광의 추출 효율을 갖는 질화물계 반도체 발광 소자를 제공한다. 발광 소자(11)에서는, 지지 기체(13) 및 반도체 적층(15)을 포함한다. 반도체 적층(15)은, n형 GaN계 반도체 영역(17), 활성층(19) 및 p형 GaN계 반도체 영역(21)을 포함한다. n형 GaN계 반도체 영역(17), 활성층(19) 및 p형 GaN계 반도체 영역(21)은, 주면(13a) 위에 탑재되어 있고, 또한 주면(13a)에 직교하는 정해진 축(Ax)의 방향으로 배치되어 있다. 지지 기체(13)의 이면(13b)은, 지지 기체(13)의 육방정계 질화 갈륨 반도체의 c축 방향으로 연장되는 기준축에 직교하는 평면에 대하여 경사진다. 벡터(VC)는 c축 방향을 나타낸다. 이면(13b)의 표면 모폴로지(M)는, 축의 방향을 향하여 돌출하는 복수의 돌기(23)를 갖는다. 정해진 축(Ax)의 방향은 기준축의 방향(벡터(VC)의 방향)과 다르다.

Abstract translation: 公开了一种具有优异的光提取效率的氮化物基半导体发光器件。 发光器件11包括支撑基底13和半导体层叠体15.半导体层叠体15包括n型GaN基半导体区域17，有源层19和p型GaN基半导体区域21。 n型GaN基半导体区域17，有源层19和p型GaN基半导体区域21安装在主表面13a上，并且沿与主表面正交的预定轴线Ax的方向 13A。 支撑基座13的后表面13b相对于与支撑基座13的六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面倾斜。矢量VC表示c轴方向。 后表面13b的表面形态M具有沿<000-1>轴方向突出的多个突起23。 预定轴Ax的方向与参考轴的方向（矢量VC的方向）不同。

公开(公告)号：KR1020110027643A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020107021641

申请日：2010-02-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에노마사키 ,  요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아키타가츠시 ,  스미토모다카미치 ,  아다치마사히로 ,  도쿠야마신지

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3202

Abstract: Ⅲ족 질화물 반도체 광소자(11a)는, c축 방향으로 연장되는 기준축(Cx)에 직교하는 기준 평면(Sc)에 대하여 유한한 각도를 이루는 주요면(13a)을 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 기판(13)과, Ⅲ족 질화물 반도체 기판(13)의 주요면(13a) 상에 마련되고, Ⅲ족 질화물 반도체로 이루어지는 우물층(28), 및 Ⅲ족 질화물 반도체로 이루어지는 복수의 배리어층(29)을 포함하는 양자 우물 구조의 활성층(17)을 구비하며, 주요면(13a)은 반극성을 나타내고, 활성층(17)은, 1×10
17 ㎝
-3 이상 8×10
17 ㎝
-3 이하의 산소 농도를 갖고 있으며, 복수의 배리어층(29)은, 우물층(28)의 Ⅲ족 질화물 반도체 기판측의 하부 계면(28Sd)과 접하는 상부 계면 근방 영역(29u)에 있어서, 산소 이외의 n형 불순물을 1×10
17 ㎝
-3
이상 1×10
19 ㎝
-3 이하의 농도로 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100086958A

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020100006071

申请日：2010-01-22

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  우에노마사키 ,  교노다카시 ,  아키타가츠시

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride semiconductor optical device is provided to improve non-uniformity of an indium composition about the thickness direction of a well layer by reducing a piezo electric field in the well layer. CONSTITUTION: An InGaN thin layer(24a,26a) is grown by supplying gallium materials and indium materials to a growth crucible as group III materials in a first period(P1) of the well layer growth. The gallium material is not supplied and the indium material is supplied in a second period(P2). The second period is continuous with the first period. The first period is a time(t3-t4) and a time(t5-t6). In the time(t3-t4), an InGaN thin layer(24a) is grown and an InGaN thin layer is grown in the time(t5-t6). The second period is a time(t4-t5). A well layer(25a) of an active layer(21) is comprised of a plurality of InGaN thin layers.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造氮化物半导体光学器件的方法，通过减少阱层中的压电场来改善围绕阱层厚度方向的铟组分的不均匀性。 构成：通过在阱层生长的第一周期（P1）中将镓材料和铟材料作为III族材料提供给生长坩埚，生长InGaN薄层（24a，26a）。 不提供镓材料，并且在第二时段（P2）中供应铟材料。 第二期与第一期持续。 第一个时间段是时间（t3-t4）和时间（t5-t6）。 在时间（t3-t4）中，在时间（t5-t6）中生长InGaN薄层（24a）并生长InGaN薄层。 第二个时间段是时间（t4-t5）。 有源层（21）的阱层（25a）由多个InGaN薄层构成。

公开(公告)号：KR101250660B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117009687

申请日：2009-10-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  교노다카시 ,  우에노마사키 ,  나카무라다카오

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본 발명은 우수한 광의 추출 효율을 갖는 질화물계 반도체 발광 소자를 제공한다. 발광 소자(11)에서는, 지지 기체(13) 및 반도체 적층(15)을 포함한다. 반도체 적층(15)은, n형 GaN계 반도체 영역(17), 활성층(19) 및 p형 GaN계 반도체 영역(21)을 포함한다. n형 GaN계 반도체 영역(17), 활성층(19) 및 p형 GaN계 반도체 영역(21)은, 주면(13a) 위에 탑재되어 있고, 또한 주면(13a)에 직교하는 정해진 축(Ax)의 방향으로 배치되어 있다. 지지 기체(13)의 이면(13b)은, 지지 기체(13)의 육방정계 질화 갈륨 반도체의 c축 방향으로 연장되는 기준축에 직교하는 평면에 대하여 경사진다. 벡터(VC)는 c축 방향을 나타낸다. 이면(13b)의 표면 모폴로지(M)는, 축의 방향을 향하여 돌출하는 복수의 돌기(23)를 갖는다. 정해진 축(Ax)의 방향은 기준축의 방향(벡터(VC)의 방향)과 다르다.

Abstract translation: 公开了一种具有优异的光提取效率的氮化物基半导体发光器件。 发光器件11包括支撑基底13和半导体层叠体15.半导体层叠体15包括n型GaN基半导体区域17，有源层19和p型GaN基半导体区域21。 n型GaN基半导体区域17，有源层19和p型GaN基半导体区域21安装在主表面13a上，并且沿与主表面正交的预定轴线Ax的方向 13A。 支撑基座13的后表面13b相对于与支撑基座13的六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面倾斜。矢量VC表示c轴方向。 后表面13b的表面形态M具有沿<000-1>轴方向突出的多个突起23。 预定轴Ax的方向与参考轴的方向（矢量VC的方向）不同。

公开(公告)号：KR101216342B1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：KR1020100067490

申请日：2010-07-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 스미토모다카미치 ,  우에노마사키 ,  교노다카시 ,  엔야요헤이 ,  요시즈미유스케

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333

Abstract: 본발명은, 접촉층과전극의계면에쇼트키장벽이형성되는것을억제할수 있는질화물계반도체발광소자를제공하는것을목적으로한다. GaN 기판(3)과, GaN 기판(3)의주요면(S1)에마련되고있고, 발광층(11)을포함하는육방정계의질화갈륨계반도체영역(5)과, 질화갈륨계반도체영역(5) 상에마련되어있고, 금속으로이루어진 p 전극(21)을구비하는질화물계반도체발광소자의 LD(1)를제공한다. 질화갈륨계반도체영역(5)은, 왜곡을내포하는접촉층(17)을포함하고, 접촉층(17)은 p 전극과접하고있으며, 주요면(S1)은, GaN 기판(3)의 c축방향과직교하는면으로부터미리정해진경사각도(&thetas;)로경사진기준평면(S5)을따라연장되어있고, 경사각도(&thetas;)는 40°보다크고 90°보다작은범위또는 150°이상 180°미만의범위중 어느하나에포함되어있다. 질화갈륨계반도체영역(5)은 GaN 기판(3)과격자정합되어있다.